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ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强系统级 ESD 可靠性数据手册 (Rev. A)
表 1. 参数 符号 最小值典型值最大值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率25 Mbps (仅 CR 级) V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率 25 Mbps（仅 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7（V DD1 或 V DD2 ）
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
表 1.参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 DC 规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，两个通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率。25 Mbps（仅限 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级）V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率。25 Mbps（仅限 CR 级）V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7 (V DD1 或 V DD2 )
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强系统级 ESD 可靠性数据手册 (Rev. A)
表 1. 参数 符号 最小值典型值最大值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率25 Mbps (仅 CR 级) V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率 25 Mbps（仅 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7（V DD1 或 V DD2 ）
ASTMH 2022 年会摘要集
全球控制和消除恶性疟原虫 (Pf) 疟疾的努力因一线抗疟药物出现耐药性而受阻。东南亚对哌喹 (PPQ) 的耐药性主要由药物外排转运蛋白 PfCRT 的突变介导。在非洲，PPQ 已被确定为与青蒿素联合疗法一起进行化学预防的有前途的配套药物，因为它对无性血液阶段寄生虫具有效力，血浆半衰期延长（2-3 周），并且安全性良好。然而，非洲地区出现青蒿素耐药寄生虫增加了 PPQ 耐药性的选择压力，因此预测该地区是否会出现耐药性非常重要。在这里，我们使用基因编辑将非洲最常见的抗氯喹 pfcrt 等位基因引入 Dd2（亚洲）寄生虫：GB4（无 N326S/I356T 的 Dd2）、Cam783（无 N326S 的 Dd2）和 FCB（无 I356T 的 Dd2）。然后，我们将东南亚最常见的 PPQ 抗性 PfCRT 突变（T93S 和 I218F）编辑到 Dd2 GB4、Cam783 或 FCB 中
扩散大B细胞淋巴瘤参考：IGTFOISA25085
文档参考。foisa豁免适用于该法第20（1）条所规定的igtfoisa25085无无。必须在收到此答复后的40个工作日之前以书面形式进行内部审查的请求，并发送给：信息治理和网络保证负责人Mackenzie Building（Ninewells Campus）Nininewells Ninewells医院和医学院Kirsty Semple Waye Semple Way Dundee DD2 DD2 4BF或通过电子邮件发送到Tay.foisa@nhsscot，请访问您的内部访问。在任何审查之日起6个月内，向苏格兰信息专员致以决定。可以通过以下网络与苏格兰信息专员联系：苏格兰信息专员Kinburn Castle Doubedykes Road St Andrews Ky16 9ds或通过在线上诉服务：https：//www.foi.scot/appeal，如果您对此通信有任何疑问
从2010年至2023年
1丹麦AARHUS大学和Aarhus大学医院临床流行病学系； 2 Steno糖尿病中心Odense，Odense University Hospital，Odense，丹麦，丹麦； 3丹麦丹麦丹麦大学临床研究系； 4丹麦奥尔胡斯大学医院内分泌和内科系； 5 Steno糖尿病中心哥本哈根，丹麦Herlev； 6丹麦ODENSE大学医院内分泌学系； 7丹麦Vejle Lillebaelt医院生物化学系； 8丹麦丹麦南部丹麦大学地区卫生研究； 9丹麦奥尔堡市奥尔堡大学医院临床医学和内分泌学系； 10 Steno糖尿病中心北丹麦，丹麦奥尔堡； 11 Steno糖尿病中心Aarhus，Aarhus大学医院，丹麦Aarhus； 12丹麦奥尔胡斯大学医院临床药理学系； 13丹麦奥尔胡斯大学生物医学系； 14丹麦哥本哈根哥本哈根大学临床医学系； 15丹麦霍尔贝克医院的内科和斯托诺糖尿病中心16 Novo Nove Novisk Health and Medical Sciences基础代谢研究中心，丹麦哥本哈根哥本哈根大学； 17隆德大学糖尿病中心，伦德大学，马尔默，瑞典1丹麦AARHUS大学和Aarhus大学医院临床流行病学系； 2 Steno糖尿病中心Odense，Odense University Hospital，Odense，丹麦，丹麦； 3丹麦丹麦丹麦大学临床研究系； 4丹麦奥尔胡斯大学医院内分泌和内科系； 5 Steno糖尿病中心哥本哈根，丹麦Herlev； 6丹麦ODENSE大学医院内分泌学系； 7丹麦Vejle Lillebaelt医院生物化学系； 8丹麦丹麦南部丹麦大学地区卫生研究； 9丹麦奥尔堡市奥尔堡大学医院临床医学和内分泌学系； 10 Steno糖尿病中心北丹麦，丹麦奥尔堡； 11 Steno糖尿病中心Aarhus，Aarhus大学医院，丹麦Aarhus； 12丹麦奥尔胡斯大学医院临床药理学系； 13丹麦奥尔胡斯大学生物医学系； 14丹麦哥本哈根哥本哈根大学临床医学系； 15丹麦霍尔贝克医院的内科和斯托诺糖尿病中心16 Novo Nove Novisk Health and Medical Sciences基础代谢研究中心，丹麦哥本哈根哥本哈根大学； 17隆德大学糖尿病中心，伦德大学，马尔默，瑞典
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
1 当以相同的数据速率运行时，两个通道的电源电流值相加。输出电源电流值是在没有输出负载的情况下指定的。可以按照功耗部分所述计算以给定数据速率运行的单个通道的电源电流。有关每个通道电源电流在空载和负载条件下与数据速率的关系的信息，请参见图 6 至图 8。有关 ADuM3200 和 ADuM3201 通道配置的总 I DD1 和 I DD2 电源电流与数据速率的关系，请参见图 9 至图 11。
“基于NMR的定量研究，对其
用紫外线（= 254 nm）可视化，并用5％的乙醇溶液显示。熔点是在Yanagimoto微熔点设备（日本京都）的Yanagimoto微熔点设备上确定的。1 H NMR光谱在Agilent DD2 600-MHz NMR光谱仪（Agilent Technologies，美国加利福尼亚州）上记录。肽浓度在CD 3 CN中约为5.0 mm。相对于内部三甲基硅烷在0.00 ppm的情况下测量化学位移。使用二维相关光谱（2D-COSY）和旋转框架过度大冲突效应光谱（Roesy;混合时间= 500 ms）分配质子。高分辨率质谱（HR-MS）。
具有并行输出的 10 位模数转换器 数据表 (Rev. G)
电源电压，V DD1 、V DD2 和 V DD3 （见注 1） 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围，VO −0.3 V 至 V DD + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流（任何数字输入） ± 10 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .峰值总输入电流（所有输入）± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围，TA：TLC1550I，TLC1551I −40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC1550M −55 ° C 至 125 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围，T stg −65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 秒外壳温度：FK 或 FN 封装 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................... 距外壳 1.6 毫米（1/16 英寸）处的引线温度持续 10 秒：J 或 NW 封装 260 °C ....................................................................................................................................