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功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
电力电子设备的未来趋势
DOI: 10.5281/zenodo.3591592 CZU 62-83:621.38 电力电子设备的未来趋势 Titu-Marius I. Băjenescu，ORCID ID：0000-0002-9371-6766 瑞士技术协会，瑞士电子集团 tmbajenesco@gmail.com 收稿日期：2019 年 10 月 16 日 接受日期：2019 年 2 月 12 日 摘要。半导体技术的最新进步以及电力电子器件在电能不同领域（特别是航空、运输和配电网络应用）日益增长的需求，对高频、高电压、高温和高电流密度等新规范提出了要求。所有这些都促进了电力设备的强劲发展。为此，应开发低电阻率薄膜的分离技术以及厚膜生长技术，包括绝缘晶片上的热丝 CVD。本文概述了半导体制造的发展、当前应用和前景。关键词：GaN、SiC、Si vs SiC、IGBT、MOSFET、HEMT、HFET、FET、金刚石功率器件。简介半导体的历史悠久而复杂。表 1 显示了功率半导体器件发展的时间表。在 1950 年代，晶闸管或可控硅整流器 (SCR) 是数百伏固态电力电子的唯一选择。随着技术的进一步发展，JFET、功率 MOSFET 和 IGBT 等新器件问世，它们的性能得到了极大提高，额定电压和电流也更高。现在，在 21 世纪，宽带隙 (WBG) 半导体是高性能电力电子趋势中的最新产品。电力电子技术是一项复杂的跨学科技术，从事该领域的研究需要具备电气工程及其他领域的综合背景。器件研究极其重要，因为该领域的发展从根本上引发了现代电力电子革命。目前硅和宽带隙 (WBG) 功率半导体（图 1、2、3、4）的研发趋势将持续下去，直到功率器件特性和额定值得到显著改善，接近理想的转换。自宽带隙电力电子技术问世以来，器件评论迎来了第二波流行，涵盖了 SiC、GaN 等材料，也许还包括钻石（但程度较小）。很明显，在不久的将来，SiC（而不是 GaN）将成为所选市场的主要 WBG 功率器件材料。宽带隙半导体是半导体材料的一个子类，其带隙大于 Si，通常在 2 到 4 电子伏 (eV) 之间。
1983 - 交通控制设备手册
8D. 其他考虑事项................... 8-69 8D-1 视距.................................................................................................................. 8-69 8D-2 几何形状....................................................... 8-75 SD-3 排水.................................................................................................................................. 8-76 SD-4 照明.................................................................................................................................. 8-76 SD-4 照明.................................................................................................................................. 8-76 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 77 SD-5 障碍物. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8-77 8D-6 交叉表面. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 78 8D- 7 驾驶员教育. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 79 SD-8 执行 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8- 79
电子设备制造基础
Parasuraman Swaminathan 教授是印度理工学院马德拉斯分校冶金与材料工程系 (MME) 的教授。他于 2013 年加入该学院。他拥有印度理工学院马德拉斯分校的冶金与材料工程学士和硕士双学位，以及美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的材料科学博士学位。随后，他在约翰霍普金斯大学和美国国家标准与技术研究所 (NIST) 从事微电子器件制造方面的博士后研究。他还在英特尔公司工作了两年，主要在其开发工厂工作。他的研究小组称为电子材料和薄膜小组，他们从事印刷电子和薄膜沉积领域的工作。他的研究页面可在 https://mme.iitm.ac.in/swamnthn 上访问。Parasuraman 博士自 2016 年以来一直提供这门在线课程。他已经出版了一本关于这个主题的教科书。
唾液DNA收集装置
DNA•SAL™唾液DNA收集装置通过在收集装置平台上使用一系列锯齿状边缘收集并收集富含DNA的唾液，从而收集唾液中的DNA。在几秒钟内，细胞组合在DNA•SAL™工具表面产生的空隙中积累。在口腔中的唾液中散发出大量其他细胞。耙开30秒后，DNA•SAL™唾液DNA收集装置被从口腔中取出，然后通过从收集管中饮用来将少量的预分配的稳定冲洗液放在口腔中。然后在将细胞磨损几秒钟的区域“旋转”，然后将[“向后倒入”]磨碎到同一收集管中。DNA的手柄•SAL™唾液DNA收集装置从设备的收集头部分离，然后将分离的头部小心地放入收集管中，其中包含稳定的冲洗液和唾液的混合物。然后立即处理收集管和样品以提取下游应用的DNA或运送到远程实验室以隔离DNA。有关使用DNA•SAL™唾液DNA收集设备的更详细说明，请参阅下面使用的说明。
麦克斯韦超级电容器：用于任务关键备用功率应用的能源存储设备
超级电容器是储能设备，可为需要高功率功能的应用提供爆发功率。与通过化学反应储存能量的电池不同，超级电容器通过静电（物理）分离正电荷来存储能量。与电池相比，超级电容器的静电储能允许该设备迅速充电并放电数十万个循环 *，通常仅执行数千或数千个电荷/放电周期。超平球是用于存储能量的可靠，节能和成本效益的解决方案。
砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，
PNP3000 GPS 跟踪设备
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