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砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，
机制与机械设备资料手册
这是《机械装置手册》的第四版，这是一本图文并茂的参考书，包含有关古典和现代机械装置的各种信息。此版包含三个新章节：第一章介绍基本机械；第二章介绍移动机器人；第三章介绍机械工程的新方向。基本机械章节概述了机械的物理原理；移动机器人章节研究了现有的科学和军用移动机器人以及先进机器人的科学和工程研究；机械工程的新方向章节回顾了微技术的现状和未来前景，重点介绍了微机电系统 (MEMS) 的进展和接受度。本章还包含有关纳米技术的文章，重点介绍了机械工程师在这一新兴科学中所扮演的角色。纳米技术领域现在涉及多个工程分支以及物理、化学、生物和医学科学。先前关于快速成型的部分已更新并升级为单独的章节。本版包含大量档案图纸和文本，描述和说明从以前版本延续下来的经过验证的机制和机械设备。这些核心内容已重新组织，以便读者更容易找到感兴趣的主题。一些以前发布的页面已被删除
特殊设备中能量吸收的机制
测试表明，碳钢的塑性扭转是能量吸收的极其有效的机制。发现，在3％至12％的塑料菌株下，每个周期（LU -50 x 1 0“每周循环N/m 2）的能量耗散在2000-7500 lb in/in^ in^ in^中，其寿命范围在1000至100个周期范围内。还表明，扭转中的故障方式是一种极为有利的，可用于吸收能量的设备，因为它可以逐渐衰减的形式。所研究的其他两个ME chanism效率较低，比扭转效率较低，并且每个周期的能力为500-2000 lb（3。< /div>）5-1^ x 1 0“每个周期N/m 2）和约200至20个周期的寿命。尽管如此，它们比扭转的ME Chanism更加紧凑，并且这些设备在一个结构中可能是1个驱动器，在该结构中，它们易于在攻击后易于替换。
电子设备与电路理论
Ernest Lee Abbott 纳帕学院，加利福尼亚州纳帕 Phillip D. Anderson 马斯基根社区学院，密歇根州马斯基根 Al Anthony EG&G VACTEC Inc. A. Duane Bailey 南阿尔伯塔理工学院，加拿大阿尔伯塔省卡尔加里 Joe Baker 南加州大学，加利福尼亚州洛杉矶 Jerrold Barrosse 宾夕法尼亚州立大学奥贡茨分校 Ambrose Barry 北卡罗来纳大学夏洛特分校 Arthur Birch 哈特福德州立技术学院，康涅狄格州哈特福德 Scott Bisland SEMATECH，德克萨斯州奥斯汀 Edward Bloch 珀金埃尔默公司 Gary C. Bocksch Charles S. Mott 社区学院，密歇根州弗林特 Jeffrey Bowe 邦克山社区学院，马萨诸塞州查尔斯顿 Alfred D. Buerosse 沃基肖县技术学院，威斯康星州皮沃基 Lila Caggiano MicroSim 公司 Mauro J. Caputi 霍夫斯特拉大学 Robert Casiano 国际整流器公司 Alan H. Czarapata 蒙哥马利学院，马里兰州罗克维尔Mohammad Dabbas ITT 技术学院 John Darlington 加拿大安大略省汉博学院 Lucius B. Day 大都会州立学院，科罗拉多州丹佛市 Mike Durren 印第安纳职业技术学院，印第安纳州南本德市 Dr. Stephen Evanson 英国布拉德福德大学 George Fredericks 东北州立技术社区学院，田纳西州布朗特维尔市 FD 加拿大安大略省富勒汉博学院
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