XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemDIAMOND
Diamond RFDistresives®家族
EMC技术表面安装座（CR）具有极高功率等级的芯片电阻可用于从DC到30.0 GHz的应用中，并且非常适合军事和空间应用，因为它们具有高功率，广泛的频率响应和较小的轻量级尺寸。它们是使用所有薄膜结构制造的，并具有薄膜金色饰面，既可以粘合又可售。由于其总薄膜结构，它们是峰值功率应用的理想选择。标准芯片和基于MILPRF-55342的高可靠性测试版本也可用。从胶带和卷轴，散装或华夫饼包装中进行选择。这些产品是免费的，ROHS投诉和S级批准。标准可用值为50和100欧姆。直接与我们联系以获得非标准电阻值。
钻石量子处理器的优化
抽象的钻石量子处理器由氮气散布中心和周围的核自旋组成，一直是室温量子计算，量子传感和显微镜的显着进步的关键。这些处理器的优化对于开发大型钻石量子计算机以及下一代增强的量子传感器和显微镜至关重要。在这里，我们提供了一个多量子钻石量子处理器的完整模型，并开发了一种用于设计栅极脉冲的半分析方法。此方法在存在随机控制误差的情况下优化了门的速度和实现，并且与反馈优化例程很容易兼容。从理论上讲，对于单量门门，在接近10-5的限制中，并确定了证据表明，这也可以实现两倍的CZ门。因此，我们的方法将控制误差的效果降低到高细胞未对准的误差和处理器内部固有的不可避免的破坏性。开发了这种最佳控制后，我们通过计算量子傅立叶变换来模拟钻石量子处理器的性能。我们发现，模拟的钻石量子处理器能够以低误差概率实现快速操作。
生物学中的金刚石量子器件
摘要：目前可用的能够达到原子分辨率的分子成像技术仅限于低温、真空条件或大量样品。基于金刚石中氮空位 (NV) 中心自旋相关光致发光的量子传感器具有在环境条件下实现具有原子分辨率的单分子检测的巨大潜力。金刚石纳米粒子也可以通过植入 NV 中心来制备，从而实现能够进入活体生物系统的独特纳米传感器。因此，该技术可能提供前所未有的途径和洞察力，了解生理条件下单个生物分子的结构和功能，并能够以原子分辨率观察量子级的生物过程。本综述对金刚石量子传感器的理论以及从制备到传感技术的最新发展进行了批判性讨论。
红宝石钻石音乐厅
40 26'8” EMPTY 10'/2500 41 27'4” EMPTY 10'/2500 42 28' EMPTY 10'/2500 43 28'8” SHELL 4 PERMANENT 14'/3500 44 29'4” EMPTY 10'/2500 45 30' EMPTY 10'/2500 46 30'8” EMPTY 10'/2500 47 31'4” EMPTY 10'/2500 48 32' EMPTY 10'/2500 49 32'8” EMPTY 10'/2500 50 33'4英寸空的空10'/2500 51 34'空10'/2500 52 34'8“空的空10'/2500 53 35'4”空空10'/2500 54 36'空空10'/2500 55 36'8“空空空空10'/2500 56 37'4”
金刚石材料中NV中心的表征及其...
近年来，金刚石中的氮空位 (NV) 中心已经成为一个类似原子的系统，在精密测量、量子信息处理和量子基础研究方面有许多应用。在本文中，我们重点研究了 NV 中心作为光激发和局部温度传感的函数的特性。为了证明 NV 中心对基础科学研究和技术应用的巨大潜力，对 NV − 缺陷中心，特别是在各种光激发下的了解仍然不足。在本文中，我们探讨了影响 NV − 中心 ODMR 信号的几个因素，例如微波辐射源的功率、磁场强度、光激发强度和光学系统的检测效率。用于这些实验的光谱方法称为光学检测磁共振 (ODMR)。实验旨在测量不同类型样品在不同光激发强度下NV − 中心的对比度特性，并通过能级模拟模型估计能级间的布居分布，从而得到实验结果。这些观察结果和模型为理解不同光激发下NV 中心成像的对比度分析提供了良好的理解，也为改进NV − 检测奠定了基础。之后，利用实验所得知识，采用第 3 1 章中提出的无背景成像技术，该方法被用于绘制神经元细胞培养中接种的纳米金刚石的图像。为了了解不同光激发强度下NV − 中心对比度的一般特征，对多个单晶样品进行了实验，并在第 4 章中报告了实验结果。第 5 章研究了NV − 中心的温度检测特性。介绍了一种称为跳频法的新方法来检测所需表面的局部温度变化。该方法首先在单晶金刚石样品上进行测试，然后在纳米金刚石上进行测试。最后，该技术被应用于测量局部温度变化的实际问题
热级多晶 CVD 金刚石
通过将我们的热管理生长工艺与世界一流的光学制造设施相结合，Coherent Advanced Materials 可以提供激光加工、光学抛光的热材料，以满足弯曲、翘曲和表面粗糙度规格，从而确保与您的高功率设备实现最佳热接触。除了生长和制造之外，我们的员工还随时准备通过使用内部计量技术（例如灯闪光热扩散率测量和 SEM）以及热模型与客户合作，以设计特定应用的解决方案。
钻石填充底部填充材料：SMT 158D8
钻石填充底部填充材料：SMT 158D8（纽约州奥尔巴尼）2021 年 1 月 18 日 YINCAE 很高兴地宣布，我们开发了 SMT 158D8，这是一种毛细管状、流动速度快的高导热底部填充材料，也是一种易于返工的液体环氧树脂。SMT 158D8 是世界上第一个（也是唯一一个）商用钻石填充底部填充材料。SMT 158D8 的导热系数为 >6 W/mK，可轻松流入小间隙，不会发生相分离，具有高耐盐湿性和出色的附着力。此外，与使用焊膏相比，SMT 158D8 跌落测试的性能提高了两个数量级。SMT 158D8 的亮点是它能够将 CPU (POP) 温度降低 10°C。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和焊盘栅格阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装中的裸芯片保护，例如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块。它专为高产量和以工艺速度和散热为主要考虑因素的环境而设计。如需了解有关 YINCAE 的 SMT 158D8 底部填充材料的更多信息，或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以访问我们的网站：www.yincae.com 了解更多信息