近年来,对包括微机电系统 (MEMS) 和传感器在内的越来越小的芯片的需求急剧增加。自动驾驶技术等技术正在腾飞,市场对减小封装尺寸和提高移动设备性能的压力也在增加。DDAF 越来越多地被用于这些应用中,以将芯片粘合到基板和其他芯片上。DDAF 可用于切割和芯片粘合工艺,取代了使用两种独立材料来切割和粘合芯片的需求。它由 DAF(芯片粘接膜)和基材组成,DAF 层将小芯片粘合到基板和其他芯片上。然而,传统的 DDAF 在芯片尺寸较小时容易出现转移故障 (TF)。这是一种故障模式,在芯片拾取 (PU) 过程中,DAF 层从芯片背面剥落。导致此问题的根本原因有多种;小型芯片的 DAF 附着面积较小,而为增加芯片强度而使芯片背面光滑,导致 DAF 无法锚定到芯片本身。通过使用具有高熔体粘度的 DAF,使 DAF 能够更好地锚定到芯片上,从而改善了 PU 工艺上的 TF。但是,由于材料无法嵌入到基板上,封装可靠性下降。探索了高基板嵌入抑制 TF 的影响因素。为了探索这些因素,实施了直角撕裂强度方法。在分析数据后,发现了一个抑制 TF 的新参数。该参数与 TF 显示出很强的相关性。开发了一种新的 DDAF,可减轻 PU 过程中的 TF。关键词 刀片切割、切割芯片贴膜、MEMS、直角撕裂强度法、转移失败
简短版:中国和俄罗斯都希望在军事上使用最现代的技术。这些先进技术大部分都嵌入到所谓的第四次工业革命 (4IR)(也称为工业 4.0)中,例如人工智能 (AI) 和机器学习、自动化和机器人、量子计算、大数据、5G 网络和互联网物联网(IoT)。与此同时,第四次工业革命领域的大部分研发(R&D)活动都发生在商业领域。第四次工业革命技术对未来军事能力的有用性将取决于各国能否通过军民融合(MCF)将商业研发活动的创新飞跃整合到军事项目中。中国和俄罗斯在各自国家开展并行且经常相互交织的研发计划,开发和推进第四次工业革命技术(特别是人工智能),然后将这些技术(通过 MCF)用于军事应用。他们对利用尖端技术实现武装部队现代化的共同兴趣可能会鼓励北京和莫斯科在未来的第四次工业革命研发项目上进行合作。然而,这种合作可能是有限的。俄罗斯尤其缺乏资源或综合技术技能(资金和熟练工人,以及...
陶氏公司对所有制造、分销和使用其产品的人以及我们生活的环境都深表关切。这种关切是我们产品管理理念的基础,我们根据该理念评估产品的安全、健康和环境信息,然后采取适当措施保护员工和公众健康以及我们的环境。我们的产品管理计划的成功取决于与陶氏产品相关的每一位个人 - 从最初的概念和研究,到每种产品的制造、使用、销售、处置和回收。客户须知陶氏公司强烈建议客户从人类健康和环境质量的角度审查其制造流程和陶氏产品的应用,以确保陶氏产品不会以非预期或未经测试的方式使用。陶氏公司的工作人员可以回答您的问题并提供合理的技术支持。在使用陶氏产品之前,应查阅陶氏产品文献,包括安全数据表。陶氏公司提供最新的安全数据表。我们今天能为您提供什么帮助?
各种应用(例如太空应用)对高功率密度、高效率电子设备的需求日益增加。高功率密度要求在封装层面进行有效的热管理,以确保工作温度保持在安全的工作范围内,避免设备早期故障。芯片粘接(芯片和法兰之间的粘合层)一直是热瓶颈,依赖于导热率相对较低的共晶焊料。正在开发先进的高导热率芯片粘接材料,包括烧结银和银环氧树脂,以解决这一问题。然而,这些新材料的热导率通常以其块体形式进行评估;体积热导率可能无法代表实际应用中较低的实际“有效”热导率,这也受到界面和空隙的影响。在本文中,频域热反射已调整为在低频下运行,具有深度灵敏度,可测量夹在芯片和法兰之间的芯片粘接层的热导率。
现代的计算机视觉深度学习模型理解和使用(例如B.卷积神经网络(CNN),Resnet,Yolo和Mask R-CNN,用于对象识别,分割或分类等任务)。
CRISPR/Cas9 工具由一条核糖核酸 (RNA) 链和一种蛋白质 (2) 组成。 RNA 链的一部分(引导 RNA)是人工产生(合成)的,以便它能够识别 DNA 上的特定部分 (3)。 RNA线(1)和剪刀蛋白Cas9形成复合物。引导RNA引导剪刀到达DNA上的目标基因。在那里,Cas9 将双链 DNA 切成两半。
尽管拉尔森(Larson)主要在建筑行业工作,但他维持了20多年的房地产许可证,因此他在两个市场上都有一步。他建议Skoog在其他任何事物之前考虑地点,并向他展示了Osseo及其周边地区的几个现有设施,Die Technology自1997年以来一直在租赁空间。但是,所有这些都需要进行大量的重塑和建筑物。,所有这些人都将要求公司在几年后再次搬家。