此次审计的总体目标是评估 NASA 在获取、处理、储存和处置危险材料方面的流程和程序。此外,我们还评估了该机构为保护人员、公众和环境免受这些材料伤害所做的努力。作为此次审查的一部分,我们访问了戈达德太空飞行中心 (Goddard)、约翰逊航天中心 (Johnson)、兰利研究中心 (Langley) 和斯坦尼斯航天中心 (Stennis),观察和评估了它们的危险材料流程和操作。在四个中心,我们分别确定了 100 种危险材料,以测试对其获取、储存、使用和处置的控制。我们还采访了 NASA 总部安全和任务保障办公室以及后勤和环境部门的官员。
(根据《自然资源与环境保护法》第 11127、11128、11132a 和 11140 节、1994 PA 451、MCL 324.11127、324.11128、324.11132a 和 324.11140 节以及行政重组令第 1995-16、2009-31 和 2011-1 号、MCL 324.99903、324.99919 和 324.99921 授予环境、大湖和能源部主任和部门的权力)R 299.9101、R 299.9102、R 299.9103、R 299.9104、R 299.9105, R 299.9106, R 299.9107, R 299.9108, R 299.9109, R 299.9202, R 299.9204, R 299.9206, R 299.9213, R 299.9214, R 299.9226, R 299.9228, R 299.9232, R 299.9301, R 299.9302, R 299.9303, R 299.9304, R 299.9305, R 299.9306, R 299.9307, R 299.9308, R 299.9309, R 299.9310, R 299.9311, R 299.9312, R 299.9313, R 299.9401, R 299.9404, R 299.9405, R 299.9409, R 299.9413, R 299.9503, R 299.9511, R 299.9513, R 299.9519, R 299.9601, R 299.9608, R 299.9610, R 299.9612, R 299.9627, R 299.9801, R 299.9803, R 299.9804, R 299.9808, R修改密歇根州行政法规的 R 299.9809、R 299.9902、R 299.11001、R 299.11003、R 299.11004 和 R 299.11005,增加 R 299.9314、R 299.9315 和 R 299.9316,并废除 R 299.9205,具体如下:
www.legris.com/Legris_ecom/ConsulterFicheProduit.do?codeActivite=BP&codeGroupe=07&codeFamille=05&codeSousFamille=01&codeTypeArt… 1/1
<90 天 少于 90 天 ASD 积累开始日期 AST 地上储罐 BMP 最佳管理实践 CA 缔约授权 CFL 紧凑型荧光灯泡 CFR 联邦法规 CHRIMP 综合危险品再利用清单和管理计划 CLIN 合同项目编号 CO 指挥官 CY 日历年 DLA 国防后勤局 DoD 国防部 DOT 运输部 EC 应急协调员 EMS 环境管理系统 EO 行政命令 EOC 紧急行动中心 EPA 美国环境保护署 EPCRA 应急计划和社区知情权法案 EPP 环境优先产品 ERG 应急响应指南 E-Waste 电子废物 FEAD 设施工程和采购部 HAZWOPER 危险废物运营和应急响应 HID 高强度排放 HPW 危险制药废物 HWC 危险废物协调员 HWCP 危险废物应急计划 HWMP 危险废物管理计划 HWPM 危险废物计划经理 IC 事件指挥官 ID 标识 IEPD 设施环境计划主管 ISSA 跨部门支援协议 kg 千克 LDR 土地处置限制 LQG 大量发生器 MDEQ 密西西比州环境质量部 MEMA 密西西比州应急管理局 密西西比州行政法规 密西西比州行政法规 密西西比州法规附录 密西西比州法规注释
摘要 本文分析了一种由III族材料(铟、镓)和V族材料(磷化物、砷化物)统一构成的新型双栅极MOSFET(DG MOSFET)。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力,DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中,我们研究了基于磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模,并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看,基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A,优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词:DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
序言 欢迎参加危险材料 - 意识认证课程。本课程符合 NFPA 472《危险材料/大规模杀伤性武器事件响应人员能力标准》(2018 年)和 NFPA 1072《危险材料/大规模杀伤性武器应急响应人员专业资格标准》(2017 年)。根据联邦法规,本课程的所有毕业生都必须接受年度再培训。再培训必须具有足够的内容和持续时间以维持其认证,或者毕业生必须至少每年证明在这些领域的能力(即危险材料演习、多媒体培训、课堂培训或参与实际的危险材料应急响应)。这是雇主必须遵守的法律要求(29 CFR 1910.120-q-6),国家紧急反应委员会要求每年进行 4 小时的持续教育以保留每年的认证(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训、大规模杀伤性武器培训或参与实际的危险品应急响应)。
序言 欢迎参加危险材料 - 意识认证课程。本课程符合 NFPA 472《危险材料/大规模杀伤性武器事件响应人员能力标准》(2018 年)和 NFPA 1072《危险材料/大规模杀伤性武器应急响应人员专业资格标准》(2017 年)。根据联邦法规,本课程的所有毕业生都必须接受年度再培训。再培训必须具有足够的内容和持续时间以维持其认证,或者毕业生必须至少每年证明在这些领域的能力(即危险材料演习、多媒体培训、课堂培训或参与实际的危险材料应急响应)。这是雇主必须遵守的法律要求(29 CFR 1910.120-q-6),国家紧急反应委员会要求每年进行 4 小时的持续教育以保留每年的认证(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训、大规模杀伤性武器培训或参与实际的危险品应急响应)。
序言 欢迎参加危险材料 - 意识认证课程。本课程符合 NFPA 472《危险材料/大规模杀伤性武器事件响应人员能力标准》(2018 年)和 NFPA 1072《危险材料/大规模杀伤性武器应急响应人员专业资格标准》(2017 年)。根据联邦法规,本课程的所有毕业生都必须接受年度再培训。再培训必须具有足够的内容和持续时间以维持其认证,或者毕业生必须至少每年证明在这些领域的能力(即危险材料演习、多媒体培训、课堂培训或参与实际的危险材料应急响应)。这是雇主必须遵守的法律要求(29 CFR 1910.120-q-6),国家紧急反应委员会要求每年进行 4 小时的持续教育以保留每年的认证(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训、大规模杀伤性武器培训或参与实际的危险品应急响应)。
序言 欢迎参加危险品 - 意识认证课程。本课程符合 NFPA 472《危险品/大规模杀伤性武器事件响应人员能力标准》(2018 年)和 NFPA 1072《危险品/大规模杀伤性武器应急响应人员专业资格标准》(2017 年)。根据联邦法规,本课程的所有毕业生都必须接受年度再培训。再培训必须具有足够的内容和持续时间以维持其认证,或者毕业生应至少每年证明其在这些领域的能力(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训或参与实际的危险品应急响应)。这是雇主必须遵守的法律要求 (29 CFR 1910.120-q-6),州应急委员会要求雇主每年接受 4 小时的持续教育,以保留每年的认证(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训、大规模杀伤性武器培训或参与实际的危险品应急响应)。
序言 欢迎参加危险材料 - 意识认证课程。本课程符合 NFPA 472《危险材料/大规模杀伤性武器事件响应人员能力标准》(2018 年)和 NFPA 1072《危险材料/大规模杀伤性武器应急响应人员专业资格标准》(2017 年)。根据联邦法规,本课程的所有毕业生都必须接受年度再培训。再培训必须具有足够的内容和持续时间以维持其认证,或者毕业生必须至少每年证明在这些领域的能力(即危险材料演习、多媒体培训、课堂培训或参与实际的危险材料应急响应)。这是雇主必须遵守的法律要求(29 CFR 1910.120-q-6),国家紧急反应委员会要求每年进行 4 小时的持续教育以保留每年的认证(即危险品演习、多媒体培训、课堂培训、大规模杀伤性武器培训或参与实际的危险品应急响应)。