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众议院戏剧这是一次美好的生活，奥德赛
从未有过，因为舞台和观众之间的界线模糊。漫步在贝德福德瀑布（Bedford Falls）迷人的街道上，与心爱的角色互动，并成为这个永恒的故事的一部分。以惊人的表演和迷人的套装，这部独特的作品承诺了一个充满魔术，怀旧和假期精神的夜晚。与我们一起度过一个夜晚，每一刻都证明了生活之美和社区的力量。《奥德赛》：这是尼娜·塞加尔（Nina Segal）的一段非常非常漫长的旅程，2025年2月12日至14日，晚上7点，Pac
110、72 和 63 nm SDRAM 中卡住位和单粒子翻转的技术依赖性
在质子辐照下，使用扫描电子显微镜 (SEM) 研究了来自同一制造商的三种 SDRAM，其技术节点尺寸分别为 110、72 和 63 nm。表征了辐射引起的故障，并比较了不同部件类型之间的故障。被测设备 (DUT) 经过质子辐照，并以卡住位和单比特翻转 (SBU) 的形式经历了单粒子效应 (SEE)。对具有 SBU 并在辐照期间卡住的比特的数据保留时间进行分析，结果显示保留时间退化模式相似，这表明这三种部件类型中的 SBU 和卡住位可能是由相同机制引起的。还在辐照前后进行了详细的数据保留时间分析，以研究辐照后和退火一段时间后数据保留时间的变化。发现最大的辐射引起的保留时间损失发生在退火过程中，但辐照后直接受影响最小的比特的数据保留时间随着退火时间而减少。 SEM 成像显示，不同测试部件类型之间的存储单元结构存在差异。节点尺寸最大的器件对辐射最敏感，无论是 SEE 还是累积辐射效应。
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戏剧艺术（DRAM）
DRAM 5124. 公民社会中的艺术。（3 学分）本课程的学生将探索艺术在人类广泛经验中的作用，特别关注社会正义。涉及的主题包括艺术家、艺术管理者和文化工作者在公民社会中的作用，以及政策与艺术、行动主义与艺术、权力与艺术之间的交集、机构对艺术家和公众的积极和消极影响、大众领域的艺术、机会和参与的平等和多样性。从历史和当代的角度以及各种文化角度探讨主题。参观当地博物馆和文化机构是本课程的必修部分。查看课程（https://catalog.uconn.edu/course-search/?details&code=DRAM%205124）
单胎妊娠羊水过多
• 放置外周静脉导管。 • 检查母体垂直传播疾病（HIV、HBV 和 HCV）的血清学状态。 • 如果在手术前、手术中或手术后出现临床子宫收缩，应使用硝苯地平以常规剂量进行宫缩抑制治疗至少 24 小时。 • 建议按照方案进行胎儿肺成熟。 • 预防性抗生素给药：1-2 小时前静脉注射 2 克头孢西丁（如果对 β-内酰胺过敏：静脉注射 500 毫克红霉素或 1 克万古霉素）。 • 患者处于半侧卧位（以避免母体低血压），并在整个手术过程中始终处于超声直视下。 • 确定羊水最深的垂直袋，避免宫底区域，因为子宫下垂时可能会脱位。 • 皮肤消毒和铺巾。 • 使用 18 号针头和抽吸系统（真空），以针头规格允许的最大速度抽吸。 • 抽吸液体直至 AFI 小于 20 厘米。 • 26 周后，在术后 1 小时进行 CTG。
了解 DRAM 故障模式及其对...的影响
例如，实时错误信息传递、命令/地址总线保护、允许更有效的片上 ECC 方案等。内存供应商 • ASIL 认证的内存组件汽车芯片组供应商、OEM 和一级供应商 • 使用已通过 ISO-26262 ASIL 认证的内存组件
了解新兴行业解决方案的安全益处和开销
我们介绍了最先进的DRAM-DIE读取干扰方法的第一个严格的安全性，绩效，能源和成本分析，该方法在更新（截至2024年4月）中（截至2024年4月）JEDEC DDR5规格中的更新（截至截至2024年4月）在更新中的描述方面被广泛称为“ PRAC”（PRAC）。与先前的最新技术不同，它建议内存控制器发出名为Refresh Management（RFM）的DRAM命令，该命令为DRAM芯片提供了时间来执行其对策，PRAC引入了新的后退信号。PRAC的向后信号从DRAM芯片传播到存储器控制器，并迫使内存控制器到1）停止服务请求，2）发出RFM命令。因此，仅在需要时就发布RFM命令，而不是定期降低RFM的性能开销。我们分四个步骤分析PRAC。首先，我们定义了一个面向安全的对抗访问模式，该模式代表了PRAC安全性最差的案例。第二，我们研究了PRAC的不同形象及其安全含义。我们的安全性分析表明，只要在访问内存位置20次之前，就可以将PRAC配置为安全操作。第三，我们评估了PRAC的性能影响，并使用开源周期级模拟器Ramulator 2.0将其与先前的作品进行了比较。我们的性能分析表明，尽管PRAC在当今DRAM芯片的良性应用程序上的性能开销少于13％，但对于将来的DRAM芯片来说，其性能开销可以达到94％（平均为60个工作负载，平均为85％），这些芯片更容易受到读取令人不安的人。第四，我们定义了一种面向可用性的对抗访问模式，该模式加剧了PRAC的性能开销，以执行记忆性能，这表明这种对抗性模式可以诱发多达94％的DRAM吞吐量和降低系统吞吐量的94％（平均为87％）。我们讨论了PRAC对未来系统和预示未来研究方向的影响。为了帮助未来的研究，我们可以在https://github.com/cmu-safari/ramulator2上开放实施和脚本。
重新思考现代基于 DRAM 的系统中生产者与消费者的关系
摘要 半个世纪以来，商品 DRAM 的代际改进早已巩固了其作为整个计算行业主存储器的普及地位。然而，克服当今 DRAM 技术扩展挑战需要 DRAM 生产者和消费者共同推动的新解决方案。在本文中，我们观察到，行业范围的 DRAM 标准所规定的生产者和消费者之间的关注点分离正在成为解决扩展相关问题的负担。为了理解这个问题，我们研究了使用系统-内存协作克服 DRAM 扩展挑战的四个关键方向：（i）改善内存访问延迟；（ii）减少 DRAM 刷新开销；（iii）安全防御 RowHammer 漏洞；（iv）解决日益恶化的内存错误。我们发现，在这四种情况下，阻碍进步的最重要障碍是消费者对 DRAM 可靠性缺乏了解。基于对 DRAM 可靠性测试的分析，我们建议修改关注点分离以纳入生产者和消费者之间有限的信息透明度。最后，我们建议分两步实施此次修订，首先通过众包和出版的方式立即发布信息，最终对 DRAM 标准进行大规模修改。
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。