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区域技术
资料来源：Gartner、DBS 深入研究终端市场 我们更进一步，通过对未来 12 个月 (NTM) 的一致收入预测，确定各个非 AI 参与者的复苏和/或衰退领域。我们认为，这对于那些接触多元化终端市场的公司尤其具有指导意义，这些市场的复苏阶段可能会有所不同。 设备制造商在 2025 年还有更多发展空间。我们认为，我们对设备制造商的积极预测——在我们的 2024 年展望中——在未来一年仍然有效。 预计设备制造商将在未来几个季度引领收入和盈利增长。 大多数设备制造商的复苏始于 2024 年，预计将延续到明年，市场预计 ASML、Lam Research 和 Tokyo Electron 等主要参与者将在未来一年取得更强劲的业绩。 我们报道的不同设备制造商都发现了两个关键的增长领域。首先，预计内存的强劲复苏将延续到未来几个季度，在高性能/带宽内存领域更是如此。其次，他们继续看到对“前沿”技术（即人工智能、逻辑芯片）的强劲需求，这进一步凸显了它们在整个半导体价值链中的重要性——因为更先进的芯片需要更好的设备和测试能力。在 2023 年大幅下滑之后，内存部门是首批复苏的部门之一。DRAM 和 NAND 的供需动态在 2023 年第四季度开始改善，DRAM 和 NAND 的充足水平均跌至平衡水平以下，表明需求已超过供应。预计 DRAM 的供应不足情况将持续到 2026 年，NAND 的供应不足情况将持续到 2025 年第四季度。
exma：精确匹配的基因组加速器
摘要 - 基因组学是精密医学，全球粮食安全和病毒监测的基础。精确匹配是在基因组学的几乎每个步骤中广泛使用的操作之一，例如对齐，组装，注释和相互作用。现代基因组学采用Ferragina-Manzini指数（FM-索引）增强空间 - 有效的Burrows-Wheeler-Wheeler-Wheeler-Wheeler-Wheeler-Wheeler-Wheeler-Wheeler Transform（BWT），并具有其他数据结构，以允许超快速的精确匹配操作。但是，FM索引因其空间局部性和随机内存访问模式而臭名昭著。先前的工作创建GPU-，FPGA-，ASIC-甚至是基于内存过程（PIM）的加速器，以增强FM-Index搜索吞吐量。尽管他们实现了最新的FM索引搜索吞吐量，但与所有先前的常规加速器相同，但在每个DRAM行激活后仅处理一个DNA符号，因此仅处理一个DNA符号，从而遭受了记忆带宽利用率不佳。在本文中，我们提出了一个硬件加速器EXMA，以增强FM-Index搜索吞吐量。我们首先创建一个具有多任务学习（MTL）基于多任务的索引的新型EXMA表，以在每个DRAM行激活中处理多个DNA符号。然后，我们构建一个加速器以在EXMA表上进行搜索。我们提出了2阶段的安排，以提高加速器的高速公路命中率。我们介绍了动态页面策略，以提高DRAM主内存的行缓冲区命中率。我们还提出链条压缩，以减少EXMA表的数据结构大小。与最新的FM索引PIM相比，EXMA将搜索吞吐量提高了4。9倍，并增强每瓦4瓦搜索吞吐量。8×。 索引术语 - 特定于硬件加速器，ge- sickics，精确匹配8×。索引术语 - 特定于硬件加速器，ge- sickics，精确匹配
嵌入式系统研究与教育面临的挑战
� 不要只考虑成本或性能——要考虑您能得到多少：• 1 美元的芯片（仅片上内存）——大部分市场• 10 美元的芯片（带有一个 RAM/ROM 组合芯片）——大部分市场• 100 美元的芯片（带有 DRAM + 1 个启动闪存芯片）——一小部分市场
2023 年第四季度收益报告 - 2024 年 2 月 7 日
• 2μm以下半导体用超薄产品。采用新一代微电路制造方法（MSAP）。 • 应用于DRAM/CPU/GPU半导体芯片等各种IT领域。 • 该产品打破了现有日本厂商在超薄市场的垄断，为先进材料的本土化生产做出了贡献。 • 获得全球半导体厂商的材料/产品认可，为半导体的小型化、集成化和高性能化做出了贡献。
耐变异感测放大器电路的设计
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中，准确感测位线电压变得非常具有挑战性，因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配，这带来了严重的挑战，导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题，并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图，从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配（阈值电压，V t ），表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下，所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比，该设计还提供了高达 20-30% 的产量，并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词：补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性
LPDDR 接口上的 NVM（更新）
• 无 e-flash → e-flash 在 ~20nm 以下不可用 • 高温 (>125 ○ C) → DRAM 存在问题 • e-RAM 在较小几何尺寸下价格昂贵（更昂贵的晶圆上的面积有时会增加） • 多核现已成为常态 • 旧式 NVM（xSPI-NOR）无法满足读取性能要求（启动时间、XiP） • 我们有机会！（高吞吐量/低延迟分立式 NVM 存储设备）
LPDDR5：深入探究系统内协议验证
• 协议是 LPDDR 内存总线上用于内存控制器与 DRAM 通信的命令之间的时序 • tRRD 定义 ACT 到 ACT 的最小时间 • tRCD 是 ACT 到 Read 之间的最短时间 • tRAS 定义 ACT 和 PreCharge 之间的最短时间（此参数还有一个 MAX） • tRC 是 ACT 到 ACT 同一 Bank 之间的最短时间 • tRP 定义 PreCharge 到 ACT 同一 Bank
益登科技集团 | 产品线
Cimetrix 创新工厂自动化软件，包括 CIMConnect、SECSConnect、HostConnect、TestConnect、CIM300、CIMPortal、CIMTester、ECCE Plus、EDAConnect、CIMControlFramework Cyberlink FaceMe 面部识别 SDK Dexerials ACF/粘合剂/表面贴装型保险丝/导热片 Dosilicon SPI NOR、SPI/SLC NAND、MCP、DDR、KGD Eggtronic AC/DC PWM IC、无线 PWM IC Egis 指纹打印机 ELATEC RFID 系统，具有多频(LF+HF+NFC+蓝牙 LE)/多应答器/多认证 Eleven Engineering SKAA™、专有协议/音频无线发射器模块 Enovix 电池（包括定制和非定制） ESMT eMMC、eMCP、LPDDR、DRAM IC、NOR Flash、SLC Flash 快速 SiC SiC MOSFET、SiC肖特基二极管和 SiC 模块、SiC 裸片 Fitipower DC/DC 转换器、LDO、电源开关 FocalTech 触摸屏控制器、LCD 驱动器 IC、In-cell IC Framos 摄像头模块、深度摄像头模块和 ISP 调试服务 FURUNO GNSS 接收器模块和芯片 GCT 4G LTE、NB-IoT 和 Sigfox 基带和 RF GigaDevice DDR3 和 DDR4 DRAM 芯片 GlobalTech MOSFET、LDO、肖特基二极管、TVS 二极管 GoMore 健身/健康算法和 AI 教练解决方案提供商 GP（Goldpeak）电池
Gaoyang Zhao, Zhen Wei, Weilei Wang, Daohuan Feng, Aoxue Xu, Weili Liu*, and Zhitang Song Review on modeling and application of chemical mechanical po
摘要：随着集成电路技术的发展，特别是进入亚微米工艺之后，关键尺寸的缩小和高密度器件的实现，集成电路材料层之间的平整度变得越来越关键。因为传统的机械抛光方法不可避免地会在金属甚至电介质层中产生与器件相同尺寸的划痕，导致光刻中的景深和聚焦问题。第一个实现应用的平坦化技术是旋涂玻璃（SOG）技术。但是该技术不仅会引入新的材料层，而且无法达到VLSI和ULSI技术所要求的整体平坦化。而且旋涂过程中的工艺不稳定性和均匀性无法满足晶圆表面的高平坦度要求。而一些技术如反向刻蚀和玻璃回流虽然可以实现亚微米级的区域平坦化。当临界尺寸达到0.35微米(亚微米工艺)后,上述方法已不能满足光刻和互连制造的要求.20世纪80年代,IBM首次将用于制造精密光学仪器的化学机械抛光(CMP)技术引入到DRAM制造中[1].随着CMP技术的发展,DRAM的制造工艺也发生了巨大的变化.
SK海力士 (000660)
4Q24营业利润预计为7.4万亿韩元（环比+5%），低于预期。由于前期需求疲软，以及来自CXMT、JHICC、Kioxia等的竞争加剧，我们认为通用存储器售价将跌至低于预期。预计25年1季度营业利润将达到5.4万亿韩元（环比下降27%）。我们坚持先前的观点，即通用 DRAM 和 HBM3e 的繁荣将持续到 2025 年。不过，目标股价略有下调，以反映 2024-2026 年 EPS 预测的变化。