XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemDRV
drv3233-q1汽车24/12-V电池3相门驱动器单元具有准确的电流感应和增强的诊断数据表（Rev. a）
•AEC-Q100有资格用于汽车申请 - 温度选项： - drv323333php：–40°C至 +150°C，T A - DRV3233QPHP（预览）：–40°C：–40°C至 +125°C， +125°C，t•功能安全系统 - 可实现的系统范围262 26226262226262222222. up to ASIL D targeted • Three phase half-bridge gate driver – Drives six N-channel MOSFETs (NMOS) – 4.5 to 60-V wide operating voltage range – Bootstrap architecture for high-side gate driver – Charge pump for 50mA average gate current – 100% PWM duty cycle support – Overdrive supply of external switches • Smart Gate Drive architecture – 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink) – Three-step dynamic drive current control – Soft shutdown for power stage protection • Low-side Current Sense Amplifier – Sub-1 mV low input offset across temperature – 9-level adjustable gain • SPI-based detailed configuration and diagnostics • DRVOFF pin to disable driver independently • High voltage wake up pin (nSLEEP) • Multiple PWM interface options available – 6x, 3x, 1x PWM Modes – PWM over SPI • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs • Optional programmable OTP for reset settings • Advanced and configurable protection features – Battery and power supply voltage monitors – Phase feedback comparator – MOSFET V DS and R sense over current monitors – Analog Built-In-Self-Test, Clock monitors – Fault condition indicator pin
The Brain® - DRV40 数字再循环阀
注意！本设备已经过测试，符合 FCC 规则第 15 部分对 B 类数字设备的限制。这些限制旨在为住宅安装提供合理的保护，防止有害干扰。本设备会产生、使用并辐射射频能量，如果不按照说明进行安装和使用，可能会对无线电通信造成有害干扰。但是，不能保证在特定安装中不会发生干扰。如果本设备确实对无线电或电视接收造成有害干扰（可通过关闭和打开设备来确定），建议用户尝试通过以下一种或多种措施来纠正干扰：• 重新调整或重新放置接收天线。• 增加设备和接收器之间的距离。• 将设备连接到与接收器连接的电路不同的电路插座上。• 咨询经销商或经验丰富的无线电/电视技术人员寻求帮助
DRV8705-Q1汽车H桥智能门驱动器具有低侧电流感官放大器数据表（Rev. b）
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格： - 温度1级：–40°C至 +125°C，T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V（40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚（DRVOFF） - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉（nforts Intrump PIN）
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器数据表 (Rev. A)
DRV5015 是一款磁性传感器，具有数字输出，可锁存最近测量的极点。上电期间，如果没有外部磁场，DRV5015A1 和 DRV5015A2 默认为低输出状态，而 DRV5015A3 默认为高输出状态。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A1 和 DRV5015A2 输出驱动为低，而北磁极会导致此输出驱动为高。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A3 输出驱动为高，而北磁极会导致此输出驱动为低。没有磁场会导致输出继续驱动当前状态，无论是低还是高。
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器
8.1 应用信息 ................................................................ 13 8.2 典型应用 .............................................................. 13 8.3 要做什么和不要做什么 .............................................. 16 9 电源建议 .............................................................. 17 10 布局 .............................................................................. 17 10.1 布局指南 .............................................................. 17 10.2 布局示例 .............................................................. 17 11 器件和文档支持 ...................................................... 18 11.1 文档支持 ............................................................. 18 11.2 接收文档更新通知 18 11.3 社区资源 ............................................................. 18 11.4 商标.................................................................... 18 11.5 静电放电警告 ............................................................. 18 11.6 术语表 .................................................................... 18 12 机械、封装和可订购信息 .......................................................................... 18
Armstrong Hot Water，Inc。 - DRV调试报告
如果原发电源故障定期发生，或者将DRV安装在安全系统中，该供应系统至关重要，则必须至少每12个月更换一次电池，作为年度维护例程的一部分。在非关键系统中或电池使用率低，更长的替换周期最多可被视为最多5年。