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壳聚糖作为 DUV 光刻的水基光刻胶
作为纳米加工的主要工艺，DUV 光刻通常需要在光刻胶配方、溶剂和显影剂中使用大量有毒化学品。在此背景下，提出了替代当前石油衍生光刻胶的化学品，以减少对环境的影响。壳聚糖是一种生物源光刻胶，通过用绿色溶剂（去离子 (DI) 水）替代，可实现不含有机溶剂和碱性显影剂的水基图案化工艺。本文介绍了使用壳聚糖基光刻胶进行图案化集成的最后一个分步过程。使用 CEA-Leti 的 300 毫米中试线规模的初步结果显示，图案分辨率低至 800 nm，同时等离子蚀刻转移到 Si 基板中。最后，通过生命周期分析 (LCA) 对基于壳聚糖光刻胶的整个工艺的环境影响进行了评估，并将其与传统的基于溶剂的工艺进行了比较。关键词：光刻、光刻胶、生物源、壳聚糖、水基、半导体、可持续性、LCA
在200/300 mm飞行员线环境中，水溶性生物源抗DUV光刻
壳聚糖是由114批量的Mahtani壳聚糖提供的，其乙酰化度（DA）为2％，由1 H NMR确定，质量平均摩尔质量（m w）为619 kg/mol，分散剂（ð）的分散剂（1.6），由尺寸 - 1.6，通过尺寸 - 散发性切除率确定。壳聚糖以1、2-丙二醇和ACOH（50/50 V/V）的水醇混合物中的0.5％（w/v）以0.5％（w/v）的形式进行乙酰基壳。在剧烈的机械搅拌下将壳聚糖（GLCN）单位的静态藻类添加到D-葡萄糖（GLCN）单元中，并混合18小时以达到靶向DA。然后将壳溶液通过纤维素膜过滤，孔径从3 µm降低至0.45 µm。乙酰化的壳聚糖最终用NH 4 OH沉淀，用去离子水洗涤并冷冻干燥。乙酰化的壳聚糖，DA为35％，M W的693 kDa和1.8的分散性。
多层PDTE/GAN异质结构，用于可见的深紫外线光电检测
摘要 - Deep-ultraviolet（DUV）光电检测对其在许多军事和民用领域的重要应用中获得了广泛的研究兴趣。在这项工作中，我们介绍了大区域二维（2D）PDTE 2多层的合成，可以将其直接转移到GAN基板上，以构建垂直异质质质，以进行可见的盲型DUV PhotoDeTection。在265 nm的光照射下，异质结构显示出独特的pho-tovoltaic行为，使其能够充当自动驱动光电探测器。重要的光响应参数，例如I光/I暗比，响应性，特定的DUV/可见度（265 nm/450 nm）的拒绝率分别高达10 6，168.5 mA/w，5.3×10 12 JONES和10 JONES和10 4。通过应用-1.0 V的小反向偏置，可以进一步增强254.6 mA/W。此外，光电探测器可以用作DUV光图像传感器，以可靠地记录具有不错的分辨率的“ H”模式。本研究铺平了一种将高性能成本效益的DUV光电探测器设计到实用的光电应用的方法。
在LQB/P-EBL界面的极化工程中，基于Algan的深紫外线发光二极管的增强载体注入
摘要 - 基于Algan的深紫外线发光二极管（DUV LED）的外部量子效率（EQE）由于电子泄漏的主要问题而远非令人满意阻塞层（P-EBL）可以在该界面附近诱导电子积累和孔耗尽，从而导致电子泄漏并阻碍孔注入。在本文中，我们提出了在LQB和P-EBL之间插入的Al-Composition Increasing Algan层（ACI-ALGAN），以增强DUV LED的载体注入能力，通过调节LQB/EBL界面和下层机制在LQB/EBL界面上调节偏振产生的表电荷产生的床单，并通过数字计算分析。插入结构可以消除LQB的P侧界面处的正电荷，并在P-EBL的N侧界面附近诱导孔积累，这随后可以减少电子泄漏和偏爱孔注射。提出的带有ACI-Algan层的DUV LED结构表现出增强的EQE 45.7％，其正向电压保持不变。此设计方案可以提供另一种方法来促进使用各种应用程序的DUV LED的性能。
金属卤化物钙壶中的应变化学梯度和极化1
分析了两个基于Algan的深紫外线（DUV）发光二极管（LED）的电流 - 电压（IV）特性，这些发光二极管（LED）分析了开放核螺纹位错的密度不同（Nanopipes）。模拟了一个三二极管电路，以模拟DUV LED的IV特性，但只能准确地对较低的泄漏电流（较低的Nanopipe密度DUV-LED）建模。发现，尽管纳米管以前被确定为固有的N型，但这些结构中的纳米管的电流泄漏仍在纠正。使用缺陷敏感的蚀刻，揭示了纳米管在DUV-LED的P型GAN上限层中终止。修改了电路模型，以说明N型纳米管和P型GAN之间的另一个P-N连接，并实现了漏水DUV LED的IV特征的极好拟合。
高功率，狭窄的线宽固态深紫外线激光在193 nm处通过LBO晶体中的频率混合
摘要。在LBO晶体中具有两个阶段，在193 nm处有60兆瓦的固态深紫外线（DUV）激光器，狭窄的线宽。泵激光器分别来自258 nm和1553 nm，源自自制的YB-Hybrid激光器，分别采用了第四次谐波产生和ER掺杂的纤维激光器。YB-HYBRID激光器最终是功率缩放的2 mm×2 mm×30 mm YB：YAG散装晶体。伴随着221 nm的220兆瓦DUV激光器，193 nm激光器的平均功率为60 mW，脉冲持续时间为4.6 ns，重复速率为6 kHz，线宽约为640 MHz。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。 值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。 我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。
EUV 光刻胶模型的解离光电离
从使用 248-193 nm (4.8-6.4 eV) 的深紫外 (DUV) 光刻技术转变为使用 13.5 nm (92 eV) 的极紫外 (EUV) 光刻技术，这意味着光与光刻胶薄膜相互作用的方式发生了根本性的变化。虽然 DUV 光通过共振激发选择性地激活光刻胶材料中的化学键，但 EUV 的高光子能量本质上会触发电离事件，但该过程仅具有较低的局部选择性。此外，初级光电离事件会导致光刻胶薄膜中发生复杂的辐射化学反应。为了设计适用于 20 nm 以下特征尺寸成像的强效 EUV 光刻胶材料，了解并最终控制用 EUV 辐射成像的光刻胶膜中的物理和化学过程至关重要。本文使用气相光电子光离子巧合 (PEPICO) 光谱研究了甲基丙烯酸叔丁酯 (TBMA) 的解离光电离，TBMA 是一种广泛用于化学放大光刻胶 (CAR) 聚合物的单体单元。通过只关注 EUV 光子与光刻胶相互作用的初始步骤，可以降低化学的复杂性，并获得如果没有这种孤立视角就无法获得的深刻基本见解。这些见解与进一步的补充实验相结合，是解密 EUV 光刻中的完整化学和物理过程的基本组成部分。
HyperRapid NXT 266
注释：1. 由于我们持续进行产品改进计划，规格如有变更，恕不另行通知。2. 所有规格均为 800 kHz 规格。3. 预热时间后，冷却器温度 = 23 +/- 0.1°C 4. 最大传输率下，可变衰减器和过程快门的最大功率。5. 800 kHz 操作下的 DUV 自相关。6. 超过 8 小时，±1°C 环境温度。7. 单脉冲操作（突发数 = 1）。8. 稳定状态（无脉冲选通或脉冲重复率变化）。9. M x 2 和 M y 2 的平均值。
激光波长和脉冲能对原子层析成像中锡涂层蒸发行为的影响：多功能仪研究
研究了激光波长对原子探针断层扫描（APT）中元素组成分析中精度的影响。系统比较了三种不同的商业原子探针系统 - LEAP 3000 x HR，LEAP 5000 XR和LEAP 6000 XR-用于研究较短激光波长的锡模型涂层，尤其是在深紫外线（DUV）范围内，对蒸发行为的影响。发现的结果表明，较短波长的使用提高了元素组成的准确性，而主潮具有相似的电场强度。因此，热效应减少，进而提高质量分辨能力。这项研究的一个重要方面包括估计不同工具的能量密度比。波长的降低伴随着由于激光斑点尺寸较小而导致的能量密度增加。此外，还研究了检测器技术的进步。最后，确定探测器的死时间，并评估了死区，以调查具有LEAP 6000 XR的氮化物测量中的离子堆积行为。
建模300mm晶圆厂碳排放
在计算选定晶面的总设备用电后，我们将其值与晶圆厂的总电用使用情况进行了比较[9]。差异除以处理为设施值的掩码层处理的掩模层数。然后可以对按过程节点进行电气使用（逻辑显示），请参见图3。利用这种方法，我们发现设备用电量在没有EUV的40％+范围内，而EUV的范围为50％+范围。这与2007年至2011年时间范围的4个FAB的SEMATECH数据一致。设备对总用电的贡献的这些值不同于[6]中使用的60％假设。图3 EUV用电使用持续的30mJ/cm 2剂量（未填充条），并随着节点增加剂量，我们认为更反映实际需求（填充条）。euv在引言的第一个节点上，与DUV相比，DIV> EUV可以一次性减少。这是由于消除了多造影步骤。