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MOS 结构高频电容-电压特性建模
这项研究的意义在于它可应用于电容谱法，这对于检查先进微电子和纳米电子中的介电/半导体界面至关重要。通过采用这些方法，我们可以准确测量界面处的陷阱电荷水平，这一参数对材料用作栅极介电体或存储器元件的可行性有重大影响。此外，电容-电压 (CV) 特性的控制对于超大规模集成电路 (VLSI) 的开发至关重要，在热场测试下评估栅极介电体的稳定性可以指示电压平坦区的变化，从而确保半导体器件的可靠性。
使用机器学习预测聚合物的频率相关介电常数
介电常数 (ϵ) 是用于储能电容器、微电子设备和高压绝缘体的聚合物电介质设计的关键参数。然而，灵活地发现具有理想ϵ 的聚合物电介质仍然是一个挑战，特别是对于高能、高温应用而言。为了加速聚合物电介质的发现，我们开发了一种基于机器学习 (ML) 的模型，可以即时准确地预测聚合物的频率相关 ϵ，频率范围跨越 15 个数量级。我们的模型使用一组包含 1210 个不同频率下实验测量的 ϵ 值的数据集、先进的聚合物指纹方案和高斯过程回归算法进行训练。开发的 ML 模型用于预测 60 – 10 15 Hz 频率范围内可合成的 11,000 种候选聚合物的 ϵ，并在整个过程中恢复正确的逆 ϵ 与频率趋势。此外，我们使用 ϵ 和另一个之前研究过的关键设计属性（玻璃化转变温度，T g ）作为筛选标准，提出了五种具有所需 ϵ 和 T g 的代表性聚合物，用于电容器和微电子应用。这项工作展示了使用替代 ML 模型成功快速地发现满足特定应用的单一或多个属性要求的聚合物。
3D 打印介电晶体的有效介电常数测量
摘要 — 增材制造为创新天线和微波元件提供了新的可能性。为了充分发挥其潜力，必须充分利用 3D 打印技术提供的功能。3D 打印结构化电介质目前在这方面受到广泛关注。然而，表征这种晶体结构的介电性能并不容易，而且经常需要对这种性能做出假设。本文展示了在具有不同填充率的简单立方 (SC) 和面心立方 (FCC) 晶体几何中，增材制造结构化电介质的介电常数和损耗角正切的表征。将测量结果与 Maxwell-Garnett 有效介质近似预测的值以及从长波长极限的三维平面波展开法 (PWEM) 中提取的有效折射率进行了比较。
光子学
•射线射线光学光学（几何（几何光学）光学）:: Fermat的Fermat的Fermat的原理，原理，原理，携带携带和矩阵矩阵光学元件.. s l s l s l s l s l s l s l s l w o ti o ti o ti（i t f＆g i g i g i g i s claverian scressic corterican s clave and clave scallice sclasic scallice scallice clave and clave wave wave wave wave（ Beams) Beams): Scalar Scalar wave wave equation, equation, Helmholtz Helmholtz equation, equation, Superpostion Superpostion of of Waves, Waves, Interferometers, Interferometers, Paraxial Paraxial Wave Wave Equation, Equation, Gaussian Gaussian Beam Beam Solution, Solution, ABCD ABCD Law, Law, Hermite Hermite-Gaussian Gaussian Beams Beams.ABCD ABCD法律，法律，Hermite Hermite高斯高斯横梁。•激光激光物理物理学：轻度放大，放大，抽水计划，方案，增益系数，系数，系数，激光激光输出（CW（CW（CW和脉冲）脉冲）。声音大声疾呼，光学和非线性非线性光学元件• Electromagnetic Electromagnetic Optics Optics:: Maxwell Maxwell Equations Equations in in Vacuum Vacuum and and Dielectrics, Dielectrics, Monochromatic Monochromatic Waves, Waves, Plane Plane Waves, Waves, Polarization Polarization Ellipse, Ellipse, Jones Jones Formalism, Formalism, Reflection Reflection and and Refraction Refraction of of Light Light from from aa Boundary边界..•Fabry Fabry-孔孔洞腔::平面平面腔，腔，阻尼，阻尼，技巧，技巧，技巧，球形球形 - 镜面镜面腔，腔，稳定稳定和不稳定的不稳定型腔。光学光学涂层涂层设计•光子光子光学光学和光材料 - 物质材料相互作用::光子光子光子和光子光子流式流式材料材料属性属性，并模型模型光子光子和原子和原子和原子和原子流，以及流，材料，材料材料属性以及模型，模型，模型，模型，模型，光子，光子光子和型号。
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
光电子发射和界面从头理论研究...
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长：应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志，微电子处理与现象，2003 年，21，1765。
第二公告 - SPIG 2024
第二次关于群体物理和气态介电的研讨会（2 nd SPGD）将于8月26日星期一在塞尔维亚贝尔格莱德举行的2024年SPIG 2024会议上举行。全球大学，研究实验室和资助机构的领先专家将聚集在会议上，他们将重点介绍基于群的研究，以推进和利用高压技术的气态介电。研讨会旨在研究用于研究气态和凝结相的分子（包括散射和转运）的带电颗粒相互作用的实验和理论方法。特定的主题包括在低温等离子体中对带电粒子动力学的建模，重点关注与玻尔兹曼方程，蒙特卡洛法和基于流体方程的模型相关的技术。研讨会将包括受邀进度报告，然后进行有关局部问题和未来未来的讨论。研讨会得到塞尔维亚共和国科学基金会的支持，赠款号7749560，Egwin项目。7749560，Egwin项目。
基于BATIO3的新型，Ag/PD兼容的无铅松弛剂，具有出色的储能性能
摘要：据报道陶瓷电介质具有用于应用的优质储能性能，例如电动车辆中的电力电子设备。在〜4.55 j cm -3的可回收能量密度（W REC）中，在〜520 kV cm -1的情况下，在无铅松弛剂BATIO 3-0.06BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）中实现了η〜90％。这些陶瓷可以与AG/PD共同使用，这构成了它们在制造商业多层陶瓷电容器中潜在使用的重要一步。与化学计量学BI（Mg 2/3 NB 1/3） - O 3掺杂的Batio 3（BT），A-SITE降低BI 2/3（mg 1/3 NB 2/3）O 3降低了BT的电气异质性。块状电导率仅通过1个数量级从晶界处差异，这与较小的体积的导电核心较小，这是由于A-Site Sublattice中掺杂剂的差异增加而导致的，从而在电气文件下导致较高的击穿强度。可以采用此策略来开发具有改进的储能性能的新介质。关键字：储能，电容器，无铅，Batio 3，电介质，陶瓷
重新定义纳米级高 k 介电材料在储能领域的应用：一种新型电化学活性保护屏障
关键词：能源材料、纳米级效应、高 k 电介质、隧道传导、电化学储能。缩写：（第一页脚注） ALD：原子层沉积 Si NWs：硅纳米线 Si NTs：硅纳米树 Al@SiNWs：氧化铝涂层硅纳米线 Al@SiNTs：氧化铝涂层硅纳米树 3 纳米 Al@SiNWs：3 纳米氧化铝涂层硅纳米线