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与污染物相关的化学机械平坦化
化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料，包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而，在 CMP 工艺之后，晶圆表面上会观察到各种污染物，并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响，因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物，例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等，(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染，(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。
现代 VLSI 设备基础知识
这是一本经典且被广泛采用的教材的第三版，经过了彻底更新，非常适合实际晶体管设计和课堂教学。国际知名的作者涵盖了各种最新发展，详细讨论了现代 VLSI 器件的基本属性和设计，以及影响性能的因素。书中约有 25% 的内容为新内容，内容范围已扩展到高 k 栅极电介质、金属栅极技术、应变硅迁移率、MOSFET 的非 GCA（渐进沟道近似）建模、短沟道 FinFET 和 SOI 上的对称横向双极晶体管。章节已重新组织，将附录整合到正文中，以实现更流畅的学习体验，并包含大量额外的章末家庭作业练习（+30%），让学生参与实际问题并测试他们的理解。对于学习高级半导体器件课程的高年级本科生和研究生以及半导体行业中从事硅器件工作的专业人士来说，这是一本完美的教材。
电磁场（3-0-0）讲稿...
电磁场（3-0-0） 先决条件：1. 数学-I 2. 数学-II 课程成果 课程结束时，学生将展示以下能力：1. 理解电磁学的基本定律。2. 在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3. 分析时变电场和磁场。4. 理解不同形式和不同介质中的麦克斯韦方程。5. 了解电磁波的传播。模块 1：（08 小时）坐标系与变换：笛卡尔坐标、圆柱坐标、球坐标。矢量微积分：微分长度、面积和体积、线、表面和体积积分、Del 算子、标量的梯度、矢量散度与散度定理、矢量旋度与斯托克斯定理、标量的拉普拉斯算子。模块 2：（10 小时）静电场：库仑定律、电场强度、点电荷、线电荷、表面电荷和体积电荷产生的电场、电通量密度、高斯定律 - 麦克斯韦方程、高斯定律的应用、电势、E 和 V 之间的关系 - 麦克斯韦方程和电偶极子与通量线、静电场中的能量密度、电流和电流密度、点形式的欧姆定律、电流的连续性、边界条件。静电边界值问题：泊松和拉普拉斯方程、唯一性定理、求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序、电容。模块 3：（06 小时）磁静场：磁场强度、毕奥-萨伐尔定律、安培电路定律-麦克斯韦方程、安培定律的应用、磁通密度-麦克斯韦方程。麦克斯韦静场方程、磁标量和矢量势。磁边界条件。模块 4：（10 小时）电磁场和波传播：法拉第定律、变压器和运动电磁力、位移电流、最终形式的麦克斯韦方程、时谐场。电磁波传播：有损电介质中的波传播、无损电介质中的平面波、自由空间、良导体功率和坡印廷矢量。教科书：
电磁场（3-0-0）讲义...
电磁场（3-0-0）先决条件：1。Mathematics-I 2。数学课程结局在课程结束时，学生将展示能力1。了解电磁的基本定律。2。在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3。分析时间变化的电场和磁场。4。以不同形式和不同的媒体了解麦克斯韦方程。5。了解EM波的传播。模块1：（08小时）坐标系统与转换：笛卡尔坐标，圆形圆柱坐标，球形坐标。向量计算：差分长度，面积和体积，线，表面和体积积分，DEL操作员，标量的梯度，矢量和散射定理的差异，矢量和Stoke定理的卷曲，标量的Laplacian。模块2：（10小时）静电场：库仑定律，电场强度，电场，线，线，表面和体积电荷引起电流的边界条件。静电边界值问题：泊松和拉普拉斯方程，独特定理，求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序，电容。Maxwell方程，用于静态场，磁标量和向量电势。模块3：（06小时）Magneto静态场：磁场强度，生物 - 萨瓦特定律，Ampere的电路Law-Maxwell方程，Ampere定律的应用，磁通量密度 - 最大的方程。磁边界条件。模块4：（10小时）电磁场和波传播：法拉第定律，变压器和运动电磁力，位移电流，麦克斯韦方程，最终形式，时谐波场。电磁波传播：有损耗的电介质中的波传播，损耗中的平面波较少介电，自由空间，良好的导体功率和poynting矢量。教科书：
电磁场（3-0-0）讲稿...
电磁场（3-0-0） 先决条件：1. 数学-I 2. 数学-II 课程成果 课程结束时，学生将展示以下能力：1. 理解电磁学的基本定律。2. 在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3. 分析时变电场和磁场。4. 理解不同形式和不同介质中的麦克斯韦方程。5. 了解电磁波的传播。模块 1：（08 小时）坐标系与变换：笛卡尔坐标、圆柱坐标、球坐标。矢量微积分：微分长度、面积和体积、线、表面和体积积分、Del 算子、标量的梯度、矢量散度与散度定理、矢量旋度与斯托克斯定理、标量的拉普拉斯算子。模块 2：（10 小时）静电场：库仑定律、电场强度、点电荷、线电荷、表面电荷和体积电荷产生的电场、电通量密度、高斯定律 - 麦克斯韦方程、高斯定律的应用、电势、E 和 V 之间的关系 - 麦克斯韦方程和电偶极子与通量线、静电场中的能量密度、电流和电流密度、点形式的欧姆定律、电流的连续性、边界条件。静电边界值问题：泊松和拉普拉斯方程、唯一性定理、求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序、电容。模块 3：（06 小时）磁静场：磁场强度、毕奥-萨伐尔定律、安培电路定律-麦克斯韦方程、安培定律的应用、磁通密度-麦克斯韦方程。麦克斯韦静场方程、磁标量和矢量势。磁边界条件。模块 4：（10 小时）电磁场和波传播：法拉第定律、变压器和运动电磁力、位移电流、最终形式的麦克斯韦方程、时谐场。电磁波传播：有损电介质中的波传播、无损电介质中的平面波、自由空间、良导体功率和坡印廷矢量。教科书：
电磁场（3-0-0）讲义...
电磁场（3-0-0）UPCEE303先决条件：1。Mathematics-I 2。数学课程结局在课程结束时，学生将展示能力1。了解电磁的基本定律。2。在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3。分析时间变化的电场和磁场。4。以不同形式和不同的媒体了解麦克斯韦方程。5。了解EM波的传播。模块1：（08小时）坐标系统与转换：笛卡尔坐标，圆形圆柱坐标，球形坐标。向量计算：差分长度，面积和体积，线，表面和体积积分，DEL操作员，标量的梯度，矢量和散射定理的差异，矢量和Stoke定理的卷曲，标量的Laplacian。模块2：（10小时）静电场：库仑定律，电场强度，电场，线，线，表面和体积电荷引起电流的边界条件。静电边界值问题：泊松和拉普拉斯方程，独特定理，求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序，电容。磁边界条件。教科书：模块3：（06小时）Magneto静态场：磁场强度，生物 - 萨瓦特定律，Ampere的电路Law-Maxwell方程，Ampere定律的应用，磁通量密度 - 最大的方程。Maxwell方程，用于静态场，磁标量和向量电势。模块4：（10小时）电磁场和波传播：法拉第定律，变压器和运动电磁力，位移电流，麦克斯韦方程，最终形式，时谐波场。电磁波传播：有损耗的电介质中的波传播，损耗中的平面波较少介电，自由空间，良好的导体功率和poynting矢量。
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
米歇尔·豪萨教授
Michel Houssa 教授 比利时鲁汶大学物理与天文系和 imec michel.houssa@kuleuven.be；michel.houssa@imec.be Michel Houssa 在比利时列日大学获得物理学硕士 (1993) 和博士学位 (1996)。他是鲁汶大学物理与天文系教授，也是比利时鲁汶 imec 的客座教授 (10%)。他目前的研究重点是各种材料的原子建模，包括半导体/氧化物界面和二维材料及其异质结构。他撰写或合作撰写了约 400 篇出版物，发表过约 50 次受邀演讲和研讨会，并共同组织了多次国际研讨会和会议。他是 CRC Press 出版的两本评论书籍的 (联合) 编辑，一本是关于高 k 栅极电介质的 (2003)，另一本是关于用于纳米电子的二维材料 (2016)。他是电化学学会会员、美国物理学会会员和 IEEE 会员。教育背景 • 1993-1996 年获得比利时列日大学物理学博士学位