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Diodes Incomporated在冲突矿物上的陈述
Diodes Incorporated拥有一个全面的过程来满足监管要求，采取步骤来增加我们的供应链适当措施，并对覆盖的矿物具有内部控制。我们希望我们的供应商能够与我们的流程保持一致，并执行由Incorporated确定和要求的纠正措施。黄金，塔塔勒姆，钨和锡以行业标准的RMI冲突矿物报告模板（CMRT）的形式报告。钴和云母以行业标准RMI扩展矿物报告模板（EMRT）的形式报告。我们至少每年至少每年并定期审查RMI的一致列表，以调查有关这些金属/矿物质的起源的组件和原材料的相关供应商。任何相关状态或其他问题的任何相关更改也可能需要进行其他调查。我们通过公开报告（包括通过我们的网站和SEC文件）披露了实施该政策的进展。
1SS181 开关二极管
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TPESD1CANW TVS二极管阵列
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RB551SH-30 肖特基势垒二极管
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DAN202 表面贴装开关二极管
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最佳电池二极管系统 - 快速技术
我们只能作为单个单元提供二极管，或者我们可以提供一系列集成的完全组装系统，其中包括：•辅助监视 - 二极管面板温度关闭。•用于远程温度指示的恒温开关•快速恢复二极管（T模块）•双极主断开连接隔离器•低电压监视•MCB保护•触摸Lexan Profe（IP20）• +请求更多选项。
具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
垂直范德华异质结二极管由 3D β-Ga2O3 上的 2D 半导体组成
摘要：宽带隙半导体，例如氧化镓 (Ga 2 O 3 )，因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长，但关于这些取向的影响的报道却很少。此外，由于缺乏 p 型掺杂，用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中，我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管：衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明，2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向（-201）进行优化，结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触，并显示出记录的整流比（> 10 6 ）同时具有导通电流密度（> 10 3 A cm -2 ），可用于功率整流器。
PCO-7115-5-1 激光二极管驱动器模块数据表
说明 保修：材料和工艺缺陷保修一年，包括零件和人工。所有规格均在环境温度为 25°C 的自由空气环境中测量。由于电阻器 R1 和 R2 会产生约 3.7 W 的不必要的最坏情况热源，因此我们建议使用至少 17.66 CFM 的气流源对 PC 板进行空气冷却。排气理想情况下应位于 R1 和 R2 后面，以便热气流直接排出，而不会穿过模块。当以高于 3 A 的频率运行且频率大于 600 kHz 时，以及/或者当此模块在可能积聚热量的密闭区域中运行时，尤其建议使用这种额外的冷却。通常，用户应留出 15 分钟的预热时间以获得更稳定的输出。通过添加如上所述的气流冷却源可以大大提高稳定性。所有电气测量均在驱动短路负载时通过电流监视器连接进行。规格如有更改，恕不另行通知。