• Separating, drilling, structuring of glass wafers and panels with different glass materials • Processing of optical devices • Generation of micro fluidic channels for medical, biological, chemical applications in glass, metal or ceramic materials • Laser Lift-Off (LLO) of glass and sapphire substrates for the semiconductor industry, as well as for production of organic light-emitting diodes (OLEDs) and microLED-displays •基于透明玻璃基板的柔性电子系统的激光升级(LLO)•柔性电气系统的激光处理,例如在医疗设备和传感器领域使用卷到卷过程•为流体应用制造微钻,例如喷墨打印喷嘴,只有几微米的钻孔直径和定义的孔几何形状
它的内部结构与其他二极管不同,因为它仅由N型半导体材料组成,而大多数二极管都由P和N掺杂区域组成。因此,它在两个方向上进行进行,并且不能像其他二极管一样整流交替的电流,这就是为什么某些来源不使用二极管术语,而是更喜欢TED的原因。在Gunn二极管中,存在三个区域:每个端子上有两个区域,其中两个区域在它们之间,它们之间有一层薄的n掺杂材料。当将电压施加到设备上时,电梯度将在整个薄层中最大。如果电压增加,则层的电流将首先增加。最终,在较高的场值下,中间层的导电性能发生了变化,增加了电阻率并导致电流下降。这意味着Gunn二极管在其电流 - 电压特性曲线中具有负差分电阻的区域,其中施加电压的增加会导致电流减小。此属性允许其放大,充当射频放大器,或者在偏向DC电压时变得不稳定和振荡。
[3] M.-H. Chang,D。Das,P。Varde和M. Pecht,“发光二极管可靠性评论”,微电子可靠性,第1期。52,