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垂直范德华异质结二极管由 3D β-Ga2O3 上的 2D 半导体组成
摘要：宽带隙半导体，例如氧化镓 (Ga 2 O 3 )，因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长，但关于这些取向的影响的报道却很少。此外，由于缺乏 p 型掺杂，用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中，我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管：衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明，2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向（-201）进行优化，结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触，并显示出记录的整流比（> 10 6 ）同时具有导通电流密度（> 10 3 A cm -2 ），可用于功率整流器。
有机间隔物对明亮的二维层状钙钛矿发光二极管的关键作用
这种材料在有机发光领域具有极高的应用前景。例如，由于量子或电介质限制效应，光学带隙随着有机间隔物之间八面体层数的减少而变宽。[3,4] 最近，发现表面态是由层状钙钛矿的局部结构扭曲引起的。[5] 由于高发射量子效率和光学特性的大可调性，人们致力于利用准二维/三维钙钛矿[6–8]和低维钙钛矿制造发光二极管 (LED)。[9–14] 典型的准二维/三维和低维钙钛矿基 LED 输出高亮度 10 3 – 10 5 cd m − 2 以及 10–20% 的外部量子效率。 [9,12,15,16] 支撑如此高性能的发射机制有多种物理原因。例如，有人提出，低维钙钛矿中激子的高结合能起着重要作用，促进了辐射复合，从而产生了高发射量子产率。[17] 其他研究将高效发射归因于薄膜上不同厚度（或 n 数）的量子阱形成的能量景观，这些量子阱将电荷载流子级联到能量最低的发射位点进行复合。[14]
A和Tau蛋白在阿尔茨海默氏病中的作用
抽象实现具有窄带发射和高颜色纯度的高发光有机发光设备（OLEDS）在各种光电领域都很重要。激光显示由于其最终的视觉体验而在下一代展示技术中表现出了出色的优势，但这仍然是一个巨大的挑战。在这里，我们开发了一种新型的基于OLED的有机单晶。通过将有机激子状态与光学微腔内强烈耦合，我们从极性的OLED（OPLEDS）中获得了Polariton电致工（EL）发射，具有较高的亮度，窄带发射，高色纯度，高极性，高极性以及出色的光学泵送极性元素Laser。此外，我们通过理论分析评估了电泵浦极性激光的潜力，并提供了可能的解决方案。这项工作提供了一种强大的策略，具有材料 - 设备组合，为电动有机单晶的极性发光设备和可能的激光器铺平了道路。
具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
用于高效有机发光二极管的非对称热活化延迟荧光材料
在材料科学中，开发具有聚集诱导发射的热活化延迟荧光 (TADF) 发射器对于构建高效电致发光器件至关重要。在此，基于高度扭曲的强吸电子受体 (A) 硫芴 (SF) 修饰的酮 (CO) 和芳胺供体 (D)，通过简单的合成程序高产率设计和制备了两种具有迷人聚集诱导发射的不对称 TADF 发射器 SFCOCz 和 SFCODPAC。所得分子具有高达 73% 的光致发光量子产率和 0.03 eV 的小单重态-三重态分裂；令人惊讶的是，由这些发射器促进的高效非掺杂和掺杂 TADF 有机发光二极管 (OLED) 显示出 5,598 和 11,595 cd m − 2 的高亮度、16.8 和 35.6 cd/A 的电流效率 (CE)、9.1 和 29.8 lm/W 的功率效率 (PE) 以及 7.5% 和 15.9% 的外部量子效率 (EQE)。这项工作为探索高效的 TADF 发射器提供了一个具体的例子，这对同时促进具有高亮度和出色效率的 TADF OLED 的发展非常有利和令人鼓舞。
通过多功能两性离子钝化工程实现高性能、稳定的纯蓝色准二维钙钛矿发光二极管
罗云汉 b,d, * 杨仁强 e 和侯林涛 a, * a 暨南大学物理与光学工程学院，广东省真空镀膜技术与新能源材料工程技术研究中心，广州市真空镀膜技术与新能源材料重点实验室，广州，中国 b 暨南大学物理与光学工程学院，广东省光纤传感与通信重点实验室，广州，中国 c 郑州大学物理与微电子学院，材料物理教育部重点实验室，郑州，中国 d 暨南大学，广东普通高校光电信息与传感技术重点实验室，广州，中国 e 江汉大学，光电材料与技术学院，光电化学材料与器件教育部重点实验室，武汉，中国
钙钛矿自旋发光二极管二极管具有同时高的电致发光不对称和高外部量子效率
在具有直接循环极化发射的发光二极管中，实现高电发光的非对称因子和高外部量子效率同时在发光二极管中具有挑战性。在这里，我们表明，基于手性钙钛矿量子点，可以同时在发光二极管中同时实现高发光的不对称因子和高外部量子效率。特定的，手性的钙钛矿具有手性诱导的自旋选择性可以同时用作局部的辐射辐射推荐中心，用于自旋极化载体的循环极化载体，从而抑制了旋转的放松，从而抑制了旋转的旋转，并改善了旋转的旋转，并促进了旋转的旋转效果，并促进了旋转的旋转效果，旋转了旋转的效果，供应型旋转效果。属性，以便可以促进产生设备的授权电源。我们的设备同时表现出高电致发光的非对称因子（R：0.285和S：0.251）和高外部量子效率（R：16.8％和S：16％），证明了它们在构建高表现性手性光源方面的潜力。
Space & High-Reliability
Varactor Tuning Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 Multiplier Step Recovery Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 PIN Switch and Attenuator Diodes . . . . . . . . . . . . 18 – 20 PIN Limiter Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 – 21 Schottky Mixer and Detector Diodes . . . . . . . . . . 21 – 25 Switches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 – 27 Digital Attenuators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 Integrated IC & Modules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 Power Dividers/Combiners . . . . . . . . . . . . . . . 27 – 28 Phase Detectors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 Amplifiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 – 31
基本的donnéesPublique descaractéristiquesdes diodes de puissanceàtempératurecryogénique
恢复 - 在低温温度下的电子功率转换器的设计需要在这些温度下的组件进行技术数据。但是，缺乏有关电气特性的数据，例如二极管，例如制造商指定的温度范围（例如-50°C）限制了它们的发展。我们已经根据我们的4.8 KA DC测量平台发起了一项计划，以创建有关低温温度下二极管特征的数据库。此数据库将公开，允许用户在不同温度下下载数据文件。尽管可以讨论某些方面并稍后添加，但该文档是对当前数据库框架的定义以及所使用的实验方法的介绍的重要贡献。他还通过案例研究强调了数据的实际实用性。