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基塔夫·林德布拉德（Kitaev Lindbladians
量子自旋液体和曾经是凝结物理学主体的量子自旋液体，现在在各种Qubits中实现，提供了前所未有的机会，以研究多体量子渗透状态的典型物理学。量子不可避免地会暴露于环境的效果，例如熔融和耗散，据信这会导致多体纠缠。在这里，我们认为，与常见的信念折叠和耗散不同，可以引起量子自旋液体中新型的拓扑作用。我们通过Lindblad主方程方法研究Kitaev旋转液体和感谢您的曲折代码的开放量子系统。通过使用精确的溶液和数值方法，我们显示了通过反应和耗散的Anyon缩合的动态发生，从而导致从初始状态旋转液体到稳态旋转液体的拓扑转换。阐明了lindblad动力学的Anyon冷凝转换的机制。，我们还提供了对Anyon凝结图中Kitaev旋转液体与曲折代码之间的关系。我们的工作建议开放的量子系统是量子旋转液体和任何人的拓扑现象的新场地。
TLV2322、TLV2322Y、TLV2324、TLV2324Y LinCMOS™ LOW ...
电源电压，V DD （见注释 1） 8 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 差分输入电压，V ID （见注释 2） V DD ± . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输入电压范围，VI (任意输入) –0.3V 至VDD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输入电流，I I ± 5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 输出电流，I O ± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 在 T A = 25 ° C (或以下) 时短路电流持续时间 (见注释 3) 无限制 . . . . . . . . . . . . . . 连续总耗散 参见耗散额定值表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围，TA –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .存储温度范围 –65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内为 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . .
圆形涵洞的能量耗散优化 - ...
13. 报告类型和涵盖时间 最终报告 2020 年 7 月 1 日 – 2023 年 9 月 5 日 14. 赞助机构代码 15. 补充说明 16. 摘要 研究了两种类型的圆形涵洞出口能量消能装置：全长堰和交错堰。查阅了相关文献；建造了一个模型断背圆形涵洞和消能盆；安装了仪器以测量流量、测压水头和速度；并且在一系列流量和尾水范围内测试了四种尺寸的全长堰和交错堰。堰高范围从 D/8 到 4D/8，其中 D 为涵洞直径。两种堰类型经过两种类型的试验：（1）不受尾水影响的试验和（2）受尾水影响的试验。对于较高的全长堰（3D/8 和 4D/8），可以通过简单的堰方程、关于上游流量的一般假设以及没有水头损失的能量方程合理地预测盆地出口深度。对于较短的堰（D/8 和 2D/8），流量掠过堰，堰方程无效，尤其是在高流量的情况下。在这些情况下，堰不是有效的能量消散器。对于最高的堰，出口能量与临界深度的比率大致恒定。当堰高为 4D/8 和 3D/8 时，出口比能分别约为临界深度的 3.2 倍和 2.9 倍。对于交错堰也发现了类似的结果，但当堰高为 4D/8 和 3D/8 时，比能分别为临界深度的 2.7 倍和 2.9 倍。结果可用于确定消能盆出口流速，对于全长和交错堰，流入流出弗劳德数在 3.8 至 4.6 范围内，高度范围为 D/8 至 4D/8。17. 关键词 能量耗散、涵洞出口、断背涵洞、冲刷防护、堰、交错堰、挡板
Power MOSFET可靠性：基于LTSpice的交界处...
摘要：电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序，包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的，而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中，我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS（ON）开发了一个模型，以及平均功率计算，散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS（ON）的瞬态热模型（ON）合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能，根据模拟时间调节设备电阻。因此，该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果，我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计，从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET，可靠性，LT香料，功率，温度，高压。
![arXiv:2006.12633v3 [quant-ph] 2020 年 10 月 23 日](/simg/b\b208c6434ee6b795118f834abbe933d531c6c837.webp)
arXiv:2006.12633v3 [quant-ph] 2020 年 10 月 23 日
超导量子位的相干时间随着时间的推移得到了极大改善。此外，使用工程耗散的小型逻辑量子位架构已显示出进一步改善由少量物理量子位组成的逻辑量子位流形相干性的巨大希望。尽管如此，小型逻辑量子位的最佳工作参数通常仍未得到很好的理解。这项工作通过研究三种不同且复杂度不断增加的案例，提出了几种寻找优先参数配置的方法。我们首先研究通过与有损物体耦合而使用耗散来实现单个量子位的状态稳定。我们研究这种纠错方法的限制因素，以及如何通过对有损物体具有有效时变耗散率的情况（我们称之为脉冲复位循环）通过数值优化参数耦合强度来解决这些问题。然后，我们将这种方法转化为更高效的状态稳定，并将其转化为抽象的三量子比特翻转代码，最后研究非常小的逻辑量子比特 (VSLQ)。通过使用这些技术，我们可以进一步增加不同架构的逻辑状态寿命。我们展示了使用脉冲复位循环相对于数值优化的固定参数空间的显著优势。
ECM-S12X-070-1001
A/D分辨率：10位A/D精度：20％ @ 4 A，10％ @ 12 A Note - 实现使用带有飞回（再循环）二极管的低侧驱动器到DRVP。LSO2（3）具有PWM功能IMAX = 2 A fmax = 500 Hz注意的低侧输出 - 500 Hz的最大频率最大频率导致短路到电池中过量功率耗散导致。实现使用低侧驱动器，带有飞回（再循环）二极管到DRVP。lSO3（16），LSO4（61）低侧输出具有PWM功能IMAX = 1 A FMAX = 1000 Hz注意 - 1000 Hz的最大频率最大频率导致短途电池中过量功率耗散导致。实现使用低侧驱动器，带有飞回（再循环）二极管到DRVP。LSO5（63），LSO8（56）低侧输出IMAX = 1 A EMAX = 100 MJ fmax = 1000 Hz注意 - 此输出上没有反式二极管。1000 Hz的最大频率导致短时间电池中过量的功率耗散导致。LSO6（43），LSO9（60），低侧输出IMAX = 500 mA EMAX = 50 MJ NOTE-此输出上没有反式二极管。短，电池短，直至接地保护。未检测到地面。c在45 V（名义）处灯。lso7（2）低端输出注意：通常在（即使关键下）
