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Massimo Lopes Zurich Fr Massimo Lopes University,Ch Susan Lovett Brandeis大学,US Niels Mailand蛋白质研究中心,DK Ganesh Nagaraju印度科学研究所,安德烈·努斯尼兹(Andre Nussenzweig)卫生研究院Kaustuv Sanyal Jawaharlal Nehru预先科学研究中心的Atomic Research Center,在英国苏塞克斯郡美国Evi Soutoglou大学的Agnel Sfeir Memorial Sloan Kettering癌症中心Massimo Lopes Zurich Fr Massimo Lopes University,Ch Susan Lovett Brandeis大学,US Niels Mailand蛋白质研究中心,DK Ganesh Nagaraju印度科学研究所,安德烈·努斯尼兹(Andre Nussenzweig)卫生研究院Kaustuv Sanyal Jawaharlal Nehru预先科学研究中心的Atomic Research Center,在英国苏塞克斯郡美国Evi Soutoglou大学的Agnel Sfeir Memorial Sloan Kettering癌症中心Massimo Lopes Zurich Fr Massimo Lopes University,Ch Susan Lovett Brandeis大学,US Niels Mailand蛋白质研究中心,DK Ganesh Nagaraju印度科学研究所,安德烈·努斯尼兹(Andre Nussenzweig)卫生研究院Kaustuv Sanyal Jawaharlal Nehru预先科学研究中心的Atomic Research Center,在英国苏塞克斯郡美国Evi Soutoglou大学的Agnel Sfeir Memorial Sloan Kettering癌症中心Massimo Lopes Zurich Fr Massimo Lopes University,Ch Susan Lovett Brandeis大学,US Niels Mailand蛋白质研究中心,DK Ganesh Nagaraju印度科学研究所,安德烈·努斯尼兹(Andre Nussenzweig)卫生研究院Kaustuv Sanyal Jawaharlal Nehru预先科学研究中心的Atomic Research Center,在英国苏塞克斯郡美国Evi Soutoglou大学的Agnel Sfeir Memorial Sloan Kettering癌症中心
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用于高频应用的具有光敏性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Jukei 和 Masao Tomikawa 东丽工业公司电子与成像材料研究实验室,3-1-2 Sonoyama,大津,滋贺 520-0842,日本 *hitoshi.araki.u8@mail.toray 我们研究了聚酰亚胺链的分子运动和极性,开发出了新型低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 聚酰亚胺。我们发现 10-100 GHz 时的 Df 对应于 -150 至 -50 ℃ 时的分子迁移率。为了降低高频时的介电损耗 (=Df),限制低温下的分子运动非常重要。此外,减少聚酰亚胺链中的极性和柔性单元对于获得低 Dk 和 Df 的聚酰亚胺也很重要。我们利用这些知识开发了用于 RDL 的低介电损耗聚酰亚胺。结果,我们获得了新型聚酰亚胺的损耗角正切为 0.002 和介电常数为 2.7。这些聚酰亚胺可以通过正性光刻胶显影的碱性湿法蚀刻和紫外激光烧蚀法进行图案化。我们还通过混合光活性剂开发了光可定义的低损耗角正切聚酰亚胺。与传统的感光聚酰亚胺相比,新型低 Df 聚酰亚胺的微带线插入损耗更低。这些低介电损耗聚酰亚胺适用于 FO-WLP 绝缘体、中介层和其他微电子射频应用。 关键词:聚酰亚胺,低 Dk 和 Df,高频,图案化,低插入损耗 1. 简介 近年来,使用更高频率的 5G 通信技术正在不断推进,以实现高速大容量通信 [1]。此外,用于汽车防撞系统的毫米波雷达将使用超过 60 GHz 的频率 [2]。扇出型晶圆级封装 (FO- WLP) 因其封装尺寸小、制造成本低而备受半导体封装关注。高频 FO-WLP 中的再分布层 (RDL) 需要具有低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 的绝缘体材料 [3]。特别是,采用扇出技术的封装天线 (AiP) 是 5G 时代的关键技术之一。聚四氟乙烯和液晶聚合物被称为低介电常数、低介电损耗材料。然而,这些材料在粘附性和精细图案的图案化性方面存在困难。用于 FO-WLP 再分布层的光电 BCB 介电常数低
• [1] JH Stathis 和 S. Zafar,“MOS 器件中的负偏压温度不稳定性:综述”,《微电子可靠性》第 46 卷(2006 年),第 270-286 页。 • [2] DK Schroder,“负偏压温度不稳定性:我们了解什么?”《微电子可靠性》第 44 卷(2007 年),第 841-852 页。
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受到卫生学院院长的欢迎,Anne-Mette HVAS Paul Peter Tak,Candel Therapeutics,波士顿,美国,美国(Keynote):非现成的产品,个性化的抗肿瘤免疫反应:通过病毒免疫治疗对实体Monors Monors trimors tracey jacobsen,enth n n n n n n n n n n n n n no:esslociant granciral in n n n n n n no: antibodies Sophia Karagiannis , Epsilogen & King's College, UK: AllergoOncology - IgE immunotherapy to activate immune responses against solid tumours Petra Bacher , Universitätsklinikum Schleswig-Holstein, Kiel, DE: T cell mechanisms in Autoimmunity & Allergy Boe Sandahl Sørensen , Aarhus University Hospital, DK: Circulating DNA作为DK Herlev大学医院癌症Inge Marie Svane的生物标志物:超越检查点抑制剂,以通过免疫疗法克里斯蒂安·克莱恩(Christian Klein),罗氏(Roche),巴塞尔(Roche),巴塞尔(Basel,CH)击败癌症:用单克隆/双骨/双特异性抗体和联合疗法的靶向CD20,以外英国阿斯利康:自身免疫性疾病的CAR-T
收到日期:2020年5月15日;修改稿收到日期:2020年8月11日;接受日期:2020年8月17日;J-STAGE 预发表日期:2020年10月7日在线发布 初审时间:31天 俄罗斯莫斯科国家治疗与预防医学研究中心(A. Kontsevaya,OD,BG,A. Kalinina,DK,YB,AB,DK,AA,AM,EL);爱知健康促进公益基金会综合健康科学中心(EN、MI、KT);大津滋贺医科大学(TW、ST-M.、KM);日本吹田国家脑心血管研究中心(YM) YM 是 Circulation Reports 编辑团队的成员。邮寄地址:Anna Kontsevaya,医学博士,哲学博士,国家治疗和预防医学研究中心,俄罗斯莫斯科 Petroverigsky Pereulok, 10,邮编 101953。电子邮箱:koncanna@yandex.ru 日本循环学会保留所有权利。如需获得许可,请发送电子邮件至:cr@j-circ.or.jp ISSN-2434-0790