Donnelly

Hus, S.、Ge, R.、Chen, P.-A.、Liang, L.、Donnelly, GE、Ko, W.、Huang, F.、Chiang, M.-H.、Li, A.-P. 和 Akinwande, D. (2020 年)。观察单个

按照之前描述的方法15，在90 nm SiO 2 / Si 基底上新沉积的金膜（30 nm Au 和 1 nm Ti 粘附层）上机械剥离非常大规模的单层 MoS 2 薄片。使用光学相机可以轻松识别剥离的 MoS 2，该相机引导 STM 探针位于单层区域之上以进行成像、光谱和传输研究。在进行第一组 STM 测量之前，将样品在 T = 250 °C 的超高真空条件下（p < 10 −10 Torr）退火数小时以去除水和弱键合分子。初始 STM 研究使用金或钨 STM 探针进行。样品随后在 400 °C 下退火以增加硫空位密度。之后，使用用 50% 饱和 KCl 溶液蚀刻的金 STM 探针进行 STM 和原位传输测量。所有 STM 测量均采用在 100K 下运行的可变温度 STM 系统进行。对于 STS 测量，使用 1Khz 下 20 mV 的调制信号。对于传输测量，使用 3.3 nA 或 330 nA 的顺从电流。在每次传输测量之前，使用 MoS 2 带隙内的稳定电压将金 STM 尖端固定在表面上，以确保尖端和 MoS 2 表面之间的真空间隙减小。然后将 STM 尖端进一步靠近表面以提供稳定的机械和电接触。MoS2 的高机械强度可防止在物理接触期间对尖端和样品造成任何损坏 25