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共轭聚合物的两亲性侧链优化掺杂剂的位置，朝着有效的N型有机热电学
聚合物也已成为有机热电学的潜在候选物，[7,8]有可能提供柔性，大面积和低成本的能源产生或加热 - 可吸引人的应用，例如，可穿戴能量收获，目前是传统的脆性和通常的毒性或稀有毒性或稀有层次的材料，这些材料目前是不可能的。ther- moelectric材料通过优异ZT = S2σT /κ的无量纲数进行评估，其中S，σ，T和κ分别代表塞贝克系数，电气有效性，绝对温度和热电导率。大多数连接的聚合物的特征是低κ值，从本质上有助于高ZT。通过P型共轭聚合物（例如ZT> 0.25）（PEDOT）（PEDOT）（pEDOT）等最广泛的热电研究证实了这一点。[9,10] P型和N型热电材料的性能应在任何实际应用之前彼此配对。ever，基于N型共轭聚合物的热电设备在功率因数方面仍然远低于其P型对应物（s2σ）。[11,12]因此，有效的发展
通过嵌段共聚物薄膜超低能量注入磷离子在硅中形成周期性掺杂阵列
完整作者列表：Kuschlan，Stefano； CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos，Riccardo；东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区，DISIT Laus，Michele；东皮埃蒙特大学，DISIT Perez-Murano，Francesc；巴塞罗那微电子研究所 Llobet，Jordi； IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹，玛尔塔；巴塞罗那微电子研究所，纳米制造 Bonafos，Caroline； CEMES Perego，米歇尔； CNR，微电子与微系统研究所 Seguini，Gabriele； CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可； CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida，Graziella；国家研究委员会微电子与微系统研究所，Agrate Brianza 单位
通过抑制掺杂诱导无序来增强共轭聚合物的热电性能
掺杂是提升各种有机电子器件性能的重要策略。然而，在许多情况下，共轭聚合物中掺杂剂的随机分布会导致聚合物微结构的破坏，严重限制了电子器件的可实现性能。本文表明，通过离子交换掺杂聚噻吩基 P[(3HT) 1-x -stat-(T) x ]（x = 0（P1）、0.12（P2）、0.24（P3）和 0.36（P4）），无规共聚物 P3 实现了 > 400 S cm − 1 的极高电导率和 > 16 μ W m − 1 K − 2 的功率因数，使其成为有史以来报道的基于未排列的 P3HT 薄膜中最高的电导率之一，明显高于 P1（< 40 S cm − 1 、< 4 μ W m − 1 K − 2）。尽管两种聚合物在原始状态下都表现出相当的场效应晶体管空穴迁移率≈0.1 cm 2 V − 1 s − 1，但掺杂后，霍尔效应测量表明 P3 表现出高达 1.2 cm 2 V − 1 s − 1 的霍尔迁移率，明显优于 P1（0.06 cm 2 V − 1 s − 1）。GIWAXS 测量确定掺杂 P3 的平面内𝝅 – 𝝅堆叠距离为 3.44 Å，明显短于掺杂 P1（3.68 Å）。这些发现有助于解决 P3HT 中长期存在的掺杂剂诱导无序问题，并作为在高掺杂聚合物中实现快速电荷传输以实现高效电子器件的典范。
perovs-opant：掺杂散装结构的机器学习潜力
探索新的掺杂材料对于提高半导体的性能，效率和多功能性至关重要。perovskites具有多种结构和可调性，已成为下一代半导体的有前途的候选人。机器学习潜力（MLP）在有效预测散装材料的材料特性方面表现出了巨大的希望。然而，缺乏用于钙壶的全面掺杂数据集阻碍了数据驱动技术在该域中进行高通量筛选和材料发现的应用。在这项工作中，我们提出了一个掺杂数据集“ perovs-opant”，其中包含来自438个不同掺杂的钙钛矿材料宽松轨迹的20,000多个密度功能理论（DFT）数据点。使用perovs-opants，我们评估了在散装材料轨迹上预先介绍的基础模型MACE-MP，以标记最先进的MLP的性能。我们的结果表明，尽管MACE-MP在散装晶体上表现出色，但Perovs-opants代表了分布的挑战，并具有重大的预测错误。我们通过对MACE-MP进行填充以实现佩洛斯型和原始散装晶体的比较建模来赎回这些效果。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
使用笨重的十字架基掺杂剂在无定形半导体聚合物中产生移动电荷载体
摘要：共轭聚合物是多种下一代电子设备中使用的多功能电子材料。这种聚合物的效用在很大程度上取决于其电导率，这既取决于电荷载体（极性）的密度和载体迁移率。载流子的迁移率又受极性柜台和掺杂剂之间的分离而在很大程度上控制，因为柜台可以产生库仑陷阱。在先前的工作中，我们显示了基于十二烷（DDB）簇的大掺杂剂能够减少库仑结合，从而增加晶状体（3-己基噻吩-2,5-二苯基）的载流子迁移率（P3HT）。在这里，我们使用基于DDB的掺杂剂研究化学掺杂的降级（RRA）P3HT的极化子 - 反子分离的作用，这是高度无定形的。X射线散射表明，DDB掺杂剂尽管大小较大，但在掺杂过程中可以部分订购RRA P3HT，并产生与DDB掺杂的RR P3HT相似的掺杂聚合物晶体结构。交替场（AC）霍尔测量值还确认了类似的孔迁移率。我们还表明，大型DDB掺杂剂的使用成功降低了无定形聚合物区域的极性和柜台的库仑结合，从而在RRA P3HT膜上呈77％的掺杂效率。DDB掺杂剂能够生产具有4.92 s/cm电导率的RRA P3HT膜，该值比3,5,6-Tetrafluoro-7,7,7,8,8-8,8-四乙酸氨基甲烷（F 4 TCNQ）（F 4 TCNQ），传统的载量约为200倍。这些结果表明，在共轭聚合物的无定形和半晶体区域量身定制掺杂剂，是增加可实现的聚合物电导率的有效策略，尤其是在具有随机区域化学的低成本聚合物中。结果还强调了掺杂剂的大小和形状对于产生能够在较少有序的材料中电导的库仑未结合的移动极性的重要性。
微晶全无机卤化物perovskite cspbcl3
摘要：灯笼是由于它们在可见光和近红外范围内狭窄的光学发射光谱而导致光电特性的多功能调节剂。它们在金属卤化物钙钛矿（MHP）中的使用最近已获得突出，尽管它们在这些材料中的命运尚未在原子水平上建立。我们使用Cesium-133固态NMR来建立所有非放射活性灯笼离子的物种（La 3+，Ce 3+，Pr 3+，Nd 3+，SM 3+，SM 3+，SM 3+，SM 2+，EU 3+，EU 3+，EU 2+，GD 3+，GD 3+，GD 3+，GD 3+，TB 3+，TB 3+，HO 3+，HO 3+，HO 3+，HO 3+，HO 3+，MIR 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ lu 3+ CSPBCL 3。我们的结果表明，无论其氧化状态如何（+2，+3），所有灯笼均掺入CSPBCL 3的钙钛矿结构中。■引言铅卤化物钙钛矿已引起了光电应用的半导体材料的极大关注。1
周期性的阵列符合人阵中的词 - 欧硫酸 - 能源...
摘要：在这项工作中，结合了块共聚物光刻和超低能离子植入，以获得高浓度的磷原子的纳米伏算，该磷原子在P型硅底物中定期处置在宏观区域上。高剂量的植入掺杂剂会授予硅底物的局部非晶化。在这种情况下，磷磷通过植入区域的固相外延再生（SPER）激活，并具有相对较低的温度热处理，以防止磷原子扩散并保留其空间定位。在此过程中，监测样品（AFM，SEM），硅底物（UV拉曼）的结晶度以及磷原子的位置（STEMEDX，TOF-SIMS）的位置。静电势（KPFM）和掺杂剂激活时样品表面的电导率（C-AFM）图与模拟的I-V特性兼容，这表明存在一个不理想的阵列，但工作p-n纳米结构。所提出的方法为进一步研究的可能性铺平了道路，该方法通过改变自组装的BCP膜的特征性维度来调节纳米级硅底物内的掺杂剂分布。关键字：块共聚物，离子植入，掺杂，硅，PS-B-PMMA■简介
综合和表征溶液可加工，高电子亲和力分子掺杂剂
作者的完整列表：萨斯加，1月；加州大学戴维斯分校，尼古拉的化学Shevchenko；加州大学戴维斯（UC Davis），化学Gonel，Goktug；加州大学戴维斯分校，Zaira化学工程贝德拉·瓦尔迪斯（Bedolla Valdez）；加州大学戴维斯分校，雷切尔化学工程系；加州大学戴维斯分校，化学工程与材料科学Moule，亚当；加州大学戴维斯分校，化学工程和材料科学马斯卡，马克； UC Davis，化学
共轭聚合物的两亲性侧链优化掺杂剂的位置，朝着有效的N型有机热电学
聚合物也已成为有机热电学的潜在候选物，[7,8]有可能提供柔性，大面积和低成本的能源产生或加热 - 可吸引人的应用，例如，可穿戴能量收获，目前是传统的脆性和通常的毒性或稀有毒性或稀有层次的材料，这些材料目前是不可能的。ther- moelectric材料通过优异ZT = S2σT /κ的无量纲数进行评估，其中S，σ，T和κ分别代表塞贝克系数，电气有效性，绝对温度和热电导率。大多数连接的聚合物的特征是低κ值，从本质上有助于高ZT。通过P型共轭聚合物（例如ZT> 0.25）（PEDOT）（PEDOT）（pEDOT）等最广泛的热电研究证实了这一点。[9,10] P型和N型热电材料的性能应在任何实际应用之前彼此配对。ever，基于N型共轭聚合物的热电设备在功率因数方面仍然远低于其P型对应物（s2σ）。[11,12]因此，有效的发展