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2D NC-FET 中负电容的短沟道稳健性 Yuh-Chen Lin 1、G. Bruce Rayner 3、Jorge Cardenas 1 和 Aaron D.
5 TS Böscke、J Müller、D Bräuhaus、U Schröder 和 U Böttger，《应用物理快报》99 (10), 102903 (2011)。 6 Uwe Schroeder、S Mueller、Johannes Mueller、Ekatarina Yurchuk、D Martin、Christoph Adelmann、Till Schloesser、Ralf van Bentum 和 Thomas Mikolajick，ECS 固体科学与技术杂志 2 (4)，N69 (2013)。 7 H Alex Hsain、Younghwan Lee、Gregory Parsons 和 Jacob L Jones，《应用物理快报》116 (19)、192901 (2020)。 8 Johannes Muller、Tim S Boscke、Uwe Schroder、Stefan Mueller、Dennis Brauhaus、Ulrich Bottger、Lothar Frey 和 Thomas Mikolajick，《纳米快报》12 (8)，4318 (2012)。9 Yuh-Chen Lin、Felicia McGuire 和 Aaron D Franklin，《真空科学与技术 B 期刊》，《纳米技术和微电子学：材料、加工、测量和现象》36 (1)，011204 (2018)。10 Justin C Wong 和 Sayeef Salahuddin，《IEEE 会议纪要》107 (1)，49 (2018)。 11 C Zacharaki、P Tsipas、S Chaitoglou、EK Evangelou、CM Istrate、L Pintilie 和 A Dimoulas，《应用物理快报》116 (18), 182904 (2020)。 12 Zoran Krivokapic、U Rana、R Galatage、A Razavieh、A Aziz、J Liu、J Shi、HJ Kim、R Sporer 和 C Serrao，在 2017 年 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表，2017 年（未发表）。 13 Shen-Yang Lee、Han-Wei Chen、Chiuan-Huei Shen、Po-Yi Kuo、Chun-Chih Chung、Yu-En Huang、Hsin-Yu Chen 和 Tien-Sheng Chao，IEEE 电子器件快报 40 (11), 1708 (2019)。 14 Sujay B Desai、Surabhi R Madhvapathy、Angada B Sachid、Juan Pablo Llinas、Qingxiao Wang、Geun Ho Ahn、Gregory Pitner、Moon J Kim、Jeffrey Bokor 和 Chenming Hu，Science 354 (6308), 99 (2016)。15 Amirhasan Nourbakhsh、Ahmad Zubair、Redwan N Sajjad、Amir Tavakkoli KG、Wei Chen、Shiang Fang、Xi Ling、Jing Kong、Mildred S Dresselhaus 和 Efthimios Kaxiras，Nano letters 16 (12), 7798 (2016)。16 Felicia A McGuire、Zhihui Cheng、Katherine Price 和 Aaron D Franklin，Applied Physics Letters 109 (9), 093101 (2016)。 17 Felicia A McGuire、Yuh-Chen Lin、Katherine Price、G Bruce Rayner、Sourabh Khandelwal、Sayeef Salahuddin 和 Aaron D Franklin，《Nano Letters》17 (8)，4801 (2017)。18 Yuh-Chen Lin、Felicia McGuire、Steven Noyce、Nicholas Williams、Zhihui Cheng、Joseph Andrews 和 Aaron D Franklin，《IEEE 电子设备学会杂志》7，645 (2019)。19 Mengwei Si、Chun-Jung Su、Chunsheng Jiang、Nathan J Conrad、Hong Zhou、Kerry D Maize、Gang Qiu、Chien-Ting Wu、Ali Shakouri 和 Muhammad A Alam，《自然纳米技术》13 (1)，24 (2018)。 20 Amirhasan Nourbakhsh、Ahmad Zubair、Sameer Joglekar、Mildred Dresselhaus 和 Tomás Palacios，纳米尺度 9 (18), 6122 (2017)。 21 Girish Pahwa、Amit Agarwal 和 Yogesh Singh Chauhan，IEEE Transactions on Electron Devices 65 (11), 5130 (2018)。 22 Daewoong Kwon、Korok Chatterjee、Ava J Tan、Ajay K Yadav、Hong Zhou、Angada B Sachid、Roberto Dos Reis、Chenming Hu 和 Sayeef Salahuddin，IEEE 电子设备快报 39 (2)、300 (2017)。 23 Daewoong Kwon、Suraj Cheema、Nirmaan Shanker、Korok Chatterjee、Yu-Hung Liao、Ava J Tan、Chenming Hu 和 Sayeef Salahuddin，IEEE Electron Device Letters 40(6)，993 (2019)。 24 Junichi Hattori、Koichi Fukuda、Tsutomu Ikegami、Hiroyuki Ota、Shinji Migita、Hidehiro Asai 和 Akira Toriumi，《日本应用物理学杂志》57(4S)，04FD07 (2018)。
介质系统中的量子传输
介绍物理已成为一个成熟的领域。其理论基础和主要模型是在过去一个世纪的最后二十年中建立的[1，2]。从那以后，量子传输技术一直是了解纳米级导体中电荷载体引人入胜的特性的绝佳工具[3，4]。但是，在过去的几年中，申请的数量已经迅速增加，以至于甚至专家发现，很难随着最近的进步提供更新。本期特刊的目的是通过一系列评论论文和研究工作来提供最新的遗迹快照，以讨论最热门的理论问题和实验结果。虽然平均电流是早期研究的重点，但兴趣逐渐转移到了时间分辨的运输中。动机部分是由于新设备，例如单电子发射器，它们能够将电流脉冲注射到费米海上，以研究对电子碰撞的非弹性和相互作用的研究。这是Filippone等人的评论论文的主题。[5]，其中使用费米液体理论来分析介质电容器过平衡动力学中的强相关性（库仑相互作用），这是一种纯粹的响应，其纯粹是动态的。在这里，动力学是通过应用于附近门的时间相关电位来实施的。在某些情况下，这种潜力和库仑相互作用的相互作用会导致单电子转移（量化泵）中的分数效应。一个例子是Pandey等人的工作。Chen和Zhu [6]在绝热限制中为双屏障系统找到量子泵。新颖性在于他们考虑了狄拉克 - 韦尔元素。Tokura [7]也考虑了缓慢的电位，但是该系统现在是一个干涉仪，不仅允许Aharanov – Bohm相，而且允许由于Rashba和Dresselhaus旋转轨道耦合，而且还允许自旋依赖性偏移。与此同时，Hashimoto和Uchiyama [8]处理了非绝热状态，并对附着的储层中温度调制引起的泵电荷，自旋和能量进行了完整分析。一种解决此类问题的特别有用的方法是基于广义的主利率方程。Moldoveanu，Manolescu和Gumundsson [9]说明了这种方法对具有电子自由度和玻色子自由度的混合量子点系统的功能。除其他外，它们还解决了主方程，包括对在接触区域应用的时间相关信号的瞬态响应中的多体效应。动态驱动的量子设备也是用于测试替代理论配方的合适系统。[10]，其中Bohmian量子理论被用来阐明在非常高频率下探测的非马克维亚条件在石墨烯中的作用。在热力学和量子物理学之间最近的交叉施肥中，介质系统起着关键的贡献。在他们的评论文章中，Ansari，Van Steensel和Nazarov [11]将信息理论概念与量子系统中的熵进行评估。他们说明