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符合 UL 标准的高性能消防系统
新型 Axis AX 系列探测器专为满足最新 UL 标准的严格要求而开发。完全符合 UL 268 第 7 版，它们使用 Purelight ® 传感技术提供快速准确的火灾探测，并且具有很高的防误报能力。集成智能隔离器提供任何接线故障的准确位置，内置漂移补偿可监控烟雾传感器的长期漂移并自动调整以保持探测器灵敏度。新系列与现有的 Discovery 协议安装向后兼容。
经济理论与计量经济学杂志
带漂移的爆炸自回归模型最小二乘估计的渐近性质 J IN L EE ........................................................................................................................................................................................................ 1
除草剂对树木灌木和花园植物的损害
受影响的植物：树木，灌木，草皮和园林植物描述：每年我们看到暴露于除草剂造成的损害。症状随施用除草剂，暴露的植物，产品和环境因素的浓度，尤其是炎热温度而变化。这是常见损害类型的列表。阔叶除草剂漂移。在农场和家庭草坪上使用的许多除草剂本质上是植物生长激素。其中包括2,4-D，Triclopyr和Dicamba，通常用于控制草坪，牧场或草农作物中的阔叶杂草。这些产品可能会在高温下变成气体（挥发），从而导致它们漂移并损坏非目标植物，例如树木和灌木。症状可能包括植物树叶的扭曲和扭曲，叶片泛黄，在严重的情况下，分支死亡。这种损坏的商标迹象之一是叶叶柄或茎的卷曲Q扭曲。尽管西红柿，红芽树和葡萄对这些除草剂敏感，但如果发生漂移，许多物种会显示出一些损害。如果您看到多种多种物种扭曲，则可能发生除草剂漂移。对菜园的损害。尽管漂移是蔬菜造成除草剂损害的最常见原因，但也存在其他潜在问题。用picloram治疗的牧场（Tordon）喂养草原干草的牛可以用除草剂污染肥料。如果将这种肥料用于菜园，植物可能会生病并死亡。此外，用Quinclorac（一种杀手虫）处理并用作覆盖物的草坪剪报可以具有相同的作用。两种产品都可以保持24个月的活性。树桩或发芽治疗的损害。经常对树桩进行治疗，以防止重塑。两种常用的产品是Picloram（Tordon）和Triclopyr（补救措施，树桩杀手，Brush-B-Gon等）。应用这些除草剂时要小心以防止
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
最低温度测量值 - 量子设计
Low vibration level and the positional drift Temperature range from ~3.5 K to 475 K (optional: 8 K to 650 K) (depending on probes) Works either with liquid nitrogen or liquid helium Helium consumption less than 1 L/h Accommodates up to 2 in (51 mm) diameter wafers (optional: up to 8 in [203 mm]) Up to seven cooled, easily interchangeable, micro-manipulated probe手臂电气测量从DC到67 GHz的各种廉价的LF探针尖端易于替换非常低的三轴探针泄漏电流，仅几个FA非接触式，无损坏的开尔文探针多尖端探针通过单台和多模式Fiber formations进行了启用，以示例型号的启用型号，以示例型号探测器，并探测型号的多模式探测器。微型真空室从杂物盒中传递真空下的样品到探测站非常光滑的X-Y-Z旅行阶段，用于所有单镜系统组件的可选移动样品架系统自定义选项
基于Beta乘数为64ppm/0c温度系数
带隙参考（BGR）是模拟，混合信号，射频和生物医学应用中的关键电路。它提供了与温度无关的电压/电流，以引用低液位调节器（LDO）或临界电路的偏置电压。其输出电压也应对过程电压和温度（PVT）角敏感得多（Wong等，2004）。同时，对于在电池电源上运行的生物医学设备的功率必须是超低功率；因此，电池寿命很大。低温漂移电路是可穿戴生物医学设备中的关键模拟块。例如，具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路（Nagulapalli等，2017）。 因此，这显示了高度准确的参考电路的必要性。例如，具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路（Nagulapalli等，2017）。因此，这显示了高度准确的参考电路的必要性。