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电子束lithograpy（EBL）
蚀刻设置 - up。尖端可以用作纯发射器作为纯发射器或在氧化物添加氧化涂层时以热效率/ Schottky模式操作。超出尖端的其他应用（尖端直径<100 nm）包括用作STM探针或纳米流动器。可以使用电流 - 电压特性，通过发射模式观察，通过测量液压和电子束的稳定性来分析隧道尖端性能。可以在我们的FI ELD发射显微镜中进行原位进行无涂层尖端的激活和Thermal-Fi ELD发射器（或Schottky发射器）的测试。A.Knápek等。 ： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。 ： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。 A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。
补充信息
补充图 2。散点图显示零偏压下的微分电导 (G 0) 与 a、第一个台阶的电流台阶高度 ∆ I 和 b、发生台阶时 ∆ I 与电压的比率 (∆ I / V s) 之间的正相关。c，散点图显示 G 0 与台阶发生之前的电流与电压的比率 (I s /V s) 之间的正相关。I s 记录在台阶立板的底部。G 0 < 10 − 11 S 的台阶显示在 10 − 11 S。d，散点图显示 ∆ I 与开放周长的关系，用于 EBL 青色和橙色趋势。当绘制这些组与开放周长的关系时，它们的对应关系表明，在这些最大的 EBL 设备中，蚀刻边缘的长度决定了行为。当 EBL 面积进一步减小时，设备面积再次成为 ∆ I 的最佳预测因子。在所有图中，符号与图 3a 中的符号相匹配：它们的颜色对应不同的批次，圆圈（三角形）代表最小正（负）电压下的步骤，较大的数据点对应较高质量的 StC。
肉桂酸酯聚噻吩薄膜的电子束光刻
依靠双光子过程来实现高分辨率，因此需要在写入焦点处具有高激光强度。因此，DLW 需要材料具有高光学透明度。这排除了大多数有机半导体的 DLW，因为它们由于电荷传输 p 电子系统而固有地带有颜色。相反，电子束光刻 (EBL) 的高分辨率为光处理的微型设备提供了机会。当用电子照射时，有机薄膜会交联并发生局部溶解度的变化。9,10 Persson 等人用 EBL 构造聚（3-辛基噻吩），并用氯化铁 (III) 掺杂所得结构。11 Hikmet 等人图案化聚（对苯乙烯基）衍生物 (PPV) 用于多色有机发光二极管 (OLED)。9 在
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