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摘要:电化学随机访问记忆(ECRAM)是一种最近开发且高度有希望的模拟电阻记忆元件,用于内存计算。一个长期以来的ECRAM挑战是在几个小时内获得保留时间。这种短暂的保留使ECRAM无法被考虑在深神经网络中进行推理分类,这可能是进行内存计算的最大机会。在这项工作中,我们开发了一个ECRAM细胞,其保留率的保留率比以前的数量级长,并且我们预计在85°C下将超过10年。我们假设这种特殊保留的起源是相位分离,它可以形成多个有效的平衡抗性状态。这项工作强调了使用相位分离来产生ecram细胞的承诺和机会,并具有特殊且潜在的永久保留时间。