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EE 0013商业画布
©2024 by Noun Press National Open Universitia University nigeria University University University University University University Village 111，Cadastral区Nnamdi Azikiwe Expressway Jabi，Abuja Lagos办公室14/16 Ahmadu Bello Way Victoria Island Victoria Island，Lagos，Lagos，Lagos E-mail e-mail@cilentrinfo@nou.edu.edu.ng ur：未经出版商书面许可，可以以任何形式或任何方式以任何形式或任何方式重现。在本出版物中所采用的名称和材料的介绍并不意味着尼日利亚国家公开大学关于任何国家，领土，城市或地区或其当局的法律地位，或者涉及其边界或边界的界定。本出版物中表达的思想和观点是作者的思想；它们不一定是尼日利亚国立公开大学的，也不是该机构。印刷2024 ISBN：978-978-786-013-7
ECE 3343 - EEEE 3338 - 电子I
并非所有学生都在第一天走进课堂时会做得很好。为什么？我的经验告诉我：1）有些学生没有在大学一级应该拥有的积极学习和学习技能（需要一两个考试才能认识到这一点）。我们可以一起解决。2）有些学生没有付出必要的努力（即使他们认为自己是）。，如果您对自己诚实，可以解决此问题。对于某些学生来说，可能有两个字母等级之间的“灰色区域”，因此两个人获得相同的加权平均成绩可能会获得不同的字母成绩。如果您在这些灰色区域之一中，无论您获得更高的成绩取决于两个因素：（a）班级参与和（b）您的表现是否随着时间的推移有所改善还是下降。
EE 330 2022 年秋季
E 330。（3-3）学分 4。FS 先决条件：201，学分或选修 EE 230、Cpr E 210。集成电路的半导体技术。集成器件建模，包括二极管、BJT 和 MOSFET。物理布局。电路仿真。数字构建块和数字电路综合。模拟构建块的分析和设计。使用 CAD 工具和标准单元进行实验室练习和设计项目。
硕士课程 - EE 和 CpE
• 与电气与计算机工程 (ECE) 和机械与航空航天工程联合开展的项目 • 针对洛克希德马丁公司和佛罗里达州中部其他航天相关行业的员工 • 课程重点强调与导弹控制和动力学相关的课程 • 课程通过视频流流程提供，每周 7 天、每天 24 小时均可访问
EE 212 -METU EEE EE 374电力系统和电气设备讲师的基础知识：NezihGüven博士（第1节）办公室：E-114，电话：2102330，Guven@Metu。
Section Instructor Office E-mail Address Phone 1 Serdar Kocaman E-112 skocaman@metu.edu.tr 210 2372 2 Murat Eyüboğlu DZ-09 meyub@metu.edu.tr 210 2361 3 Nevzat G. Gençer DZ-02/1 ngencer@metu.edu.tr 210 2314 4 Selçuk Yerci C-110 syerci@metu.edu.tr 210 2344 5cengizBeşikcig-101 besikci@metu.edu.edu.tr 210 4530 6 Cengizbeşikcig-101 besikci@metu.edu.tr.tr.tr 210 4530课程说明：基本半核心概念：基本的半核心概念。半导体和物理电子设备中的传导机制。P-N结二极管的物理学，双极连接晶体管（BJTS）和现场效应晶体管（FET）。操作和特征模式。BJT和FET的晶体管偏置和小信号模型。晶体管中的次要效应。二极管和晶体管的动态模型。对计算机辅助设计的建模概念。
EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II SCDT - Flexe Center网络研讨会系列 认知 - 科学。pdf 建议格式 X射线衍射（XRD） 夏季入学（2023-24-i）... 的临时入围名单 b'' 未成年人名单 研究模块_v6 修订的课程清单（2023-2024-II） 对钢铁行业及其可持续性途径的调查 价格清单 PHY 690K：量子动力学，信息和计算
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology, Kanpur EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II Schedule: Lectures: 10:00 AM – 11:00 AM MWF (L1) Tutorials: 10:00 AM – 11:00 AM Tu (TB103-TB106) Text: Semiconductor Devices and Circuits, Aloke Dutta, Oxford University Press, 2008 References: * Analysis and模拟集成电路的设计； P.R.Gray，P.J。Hurst，S.H。 刘易斯和R.G. Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Hurst，S.H。刘易斯和R.G.Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C.temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C.史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K.iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。I-V特征和基本半导体设备（二极管，BJT和MOSFETS）的小信号模型2。偏见3。放大器4。输出阶段5。放大器的低和高频响应6。放大器的稳定性和补偿7。操作放大器分级：教程评估（微型Quizzes）15％2个测验（1月30日和3月27日）15％中期30％末端 - 末端 - 40％注释：所有相关材料都将在Brihaspati中发布在任何情况下，在任何情况下都可以在任何情况下发布，均不允许使用MINI-QUIZZ
EE技术选修名单
CM CS CR DD EM IP MT ME PW ECE 4193 Automotive Engineering X ECE 4243 Physical Electronics X X ECE 4263 Principles of VLSI Design (ECE 3724 & 3424) X X ECE 4273 Microelectronics Device Design X X ECE 4283 Microelectronics Process Design X X ECE 4293 Nano-electronics X X ECE 4313天线（ECE 3323）X X ECE 4323电磁兼容性X ECE 4333 RF和微波理论（ECE 3323）X ECE 4413数字信号处理（ECE 3443T） X ECE 4613电力传输系统（ECE 3614）X X ECE 4633功率分配系统（ECE 3614）X ECE 4643电源系统中继和控制X X X X
EE 3300秋季2024
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EE 101A - 电路 I (4 个学分)
EE 101A - 电路 I (4 个单元) 课程目标：充分了解电路理论、电路元件（电容器、电阻器、二极管、晶体管、电感器）、放大器的直流和交流分析。为 EE 101B、114、116、153 和其他课程做好准备。构建一些很酷且有用的东西。一路享受乐趣！讲师 Jeff Stribling；电子邮件：stribs@stanford.edu 办公时间（OH）：星期二/星期四下午 1 点至 2:30 Packard 106。课程 James Skelly，电子邮件 skello@stanford.edu，OH 星期一下午 3 点至 5 点 Packard 106。助理实验室经理 Aria Rashidi（所有 EE 教学实验室），ariar@stanford.edu 网站 Canvas：https://canvas.stanford.edu/courses/193323 Gradescope：https://www.gradescope.com/courses/761637 Ed Discussion：https://edstem.org/us/courses/57906 如果您没有自动添加到这些网站，请联系 James 或我。讲座时间：每周二/周四，上午 10:30 – 下午 1:00，从 2024 年 6 月 25 日至 8 月 15 日 现场：Hewlett 101 评审 可选评审会议将于每周五下午 5 点至 6 点 30 分在 Packard 202 举行。实验室 1. 星期三上午 10 点 – 下午 1 点 2. 星期四下午 4 点 – 晚上 7 点 2. 星期三下午 2 点 – 下午 5 点（6 月 26 日-） 所有实验室都在 Packard 004 室。