进一步的成员Abboud,Frank E. Ectronics,Crolles(法国)Levinson,Harry J.,HJL光刻,加利福尼亚州萨拉托加(美国)Maas,Maas,Raymond,Asml,Veldhoven(荷兰)Maly,Enrico,Photronics MZG,Dresden(德国) CEA-LETI,GRENOBLE(法国)Ronse,Kurt,IMEC,Leuven(比利时)Scheruebl,Thomas,Carl Zeiss SMT,Jena(德国)Schnabel,Ronald,Ronald,Vde E.V.德累斯顿 (德国) Schuch、Nivea、应用材料、格勒诺布尔 (法国) Sundermann、Frank、意法半导体、克罗尔 (法国) Tschinkl、Martin、Toppan Photomasks、德累斯顿 (德国) Varga、Ksenija、EV Group、Florian am Inn (奥地利) Wurm、Stefan、ATICE LLC、纽约州奥尔巴尼 (美国) Yoshitake、Shushuke、NuFlare Technology、横滨 (日本) Zeggaoui、Nassima、西门子工业软件、梅朗 (法国) Zurbrick、Larry、是德科技、圣克拉拉 (美国)
与往常一样,主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗,而 Serge Nicoleau(意法半导体)的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性,即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质,如 PFAS(所谓的永恒化学物质)。Kagawa-san(佳能)、Sebastian Dauvé(CEA-LETI)和 Kurt Ronse(IMEC)的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划(FAMES)和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺(例如,最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm),但节点 A1 中只能实现约 6nm(!)的线宽(根据 2040 年的当前路线图)。
1 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 (德国) 2 ASML Dutch BV (荷兰) 3 埃尔朗根弗劳恩霍夫 IISB (德国) 17:00 - 17:15 用于光刻应用的铬膜电液化 Swapnendu N. Ghosh、Santanu Talukder 印度科学教育与研究学院电气工程与计算机科学系 博帕尔 (印度) 17:15 - 17:30 多重触发光刻胶的建模 Thiago José dos Santos 1、Zelalem Belete 1、Andreas Erdmann 1、Alex PG Robinson 2,3、Carmen Popescu 2、Alexandra McClelland 2
EMLC 会议每年都会汇聚来自世界各地的研究机构和公司的科学家、研究人员、工程师和技术人员,展示他们在掩模和光刻技术方面的最新发现。EMLC 2023 会议致力于研究、技术和相关工艺。它概述了掩模和光刻技术的现状和未来战略。掩模制造商和用户有机会熟悉最新的发展和成果。