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ZSM-5沸石绩效评估...
Alessia Marino A，Alfredo Aloise A，B，Hector Hernando C，Javier Fermo C，Daniela Cozza A，Emanuele Giglio A，Massimo Migliore A，Patricia Pizarro C，D，D，Girolamo Giorolamo a，David P.
Yeolan Lee博士管理副教授和阿拉巴马州信用合作社企业家副教授
▪Lee，Y.，Fong，E。A.，＆Kim，H。2023。合作和技术许可合作伙伴选择。工业营销管理，112，pp。60-70。（H-index：161，4年影响因子：10.58）▪Lee，Y。，＆Fong，E。A.2020。开放创新项目中的专利生命周期管理策略。今天的药物发现。25（10）：pp。1782-1785。（H-index：185，4年影响因素：8.83）▪Fong，E。A.，Wilhite，A。W.，Hickman，C。和Lee，Y。2020。研究不当行为的法律后果：虚假的调查人员和赠款建议。《法律，医学与伦理学杂志》，第48（2）页：pp。331–339。（H-index：60，4年影响因子：1.32）▪Lee，Y.，Fong，E.A.，Barney，J。＆Hawk，A。2019。专家为什么使用开放创新解决复杂的问题？来自美国制药行业的证据。加利福尼亚管理评论。62（1）：pp。144-166。（H-指数：139，4年影响因素：12.48）
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。
ZGEOBW 的地质游览 - 德国联邦国防军
针对士官和军官的高级训练从 29 日起进行。9 月至 1 日。2015 年 10 月，专门讨论佛兰德斯主题。穿越法国和比利时佛兰德斯地区的第一站是古城里尔。在这里我们受到了船长 A 的专业指导。 D.马库斯·克劳尔。重点是沃邦 (Vauban) 风格的堡垒建筑。我们从里尔继续前往伊普尔地区。伊普尔实地考察的重点是堑壕战及其对战争的影响。这里特别深入地探讨了地下战争、采矿战争以及争夺具有重要战略意义的 Wytschaete Arc 山丘的战斗。为了补充实地看到的内容，我们参观了帕斯尚尔战役博物馆。
Creol，光学与光子学院
IYOG名称认可了玻璃在几个世纪和文化中扮演的关键角色，从古埃及艺术到当今互联网的光纤电缆中的硅胶玻璃。联合国指定了2022年IYOG，其中包括一支包括Creol Pegasus教授凯瑟琳·理查森（Kathleen Richardson）的团队的请愿书，该团队实际上也发表了会议演讲，“看到和感知未来：由红外玻璃创新启用。”她的言论涵盖了红外玻璃的历史发展及其在质量教育，性别平等，气候行动以及可持续城市和社区等方面的2030年可持续发展目标（SDG）的潜力。
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
聚合物和复合流变性
ln追求这些目标，在介绍章节之后，进行流变学测量的标准技术将在第2章中列出。，每一章都以对所检查主题的实际和理论重要性的解释开始。接下来是典型数据的呈现，弓可以以图形形式和经验方程式表示。每一章的主体都考虑使用任何专业工具，使用最相关的流变技术时的数据减少以及各种材料的影响。几何和对感兴趣属性的处理变量，并为观察结果提供了物理解释。有讨论。具有最低数学的最低数学，可用的理论模型及其既预测观察到的行为又定量代表数据的能力。每一章还详细阐述了正在进行的工作和未来的研究需求。最后。列出了技术文献的完整引用。这本书以简短的章节结束了关于熔体裂缝的谜，这是一种令人讨厌的流变学起源。限制了聚合物加工操作期间的生产率。
乙肝疫苗接种和信息表 - myEOL
我明白，由于我在工作中接触血液或其他传染性物质，我可能面临感染乙肝病毒的风险。我有机会在工作时间免费接种乙肝疫苗。但是，我目前拒绝接种乙肝疫苗。我明白，拒绝接种这种疫苗，我将继续面临感染乙肝这种严重疾病的风险。如果将来我继续在工作中接触血液或其他潜在传染性物质，并且我想要接种乙肝疫苗，我可以在工作时间免费接种疫苗系列。