背景:核苷(酸)类似物 (NA) 作为慢性乙型肝炎 (CHB) 的一线抗病毒治疗策略之一,既可以有效抑制几乎所有患者的乙型肝炎病毒 (HBV) 复制,又可以改善肝纤维化的发展。1,2 然而,NA 疗法很少导致功能性治愈(即 HBsAg 消失),因为 NA 对共价闭合环状 DNA (cccDNA) 的作用有限,而 cccDNA 被认为是病毒持续存在的主要原因。3 因此,停止 NA 常常伴有各种病毒和临床复发的发生。4 – 6 尽管治疗结束时 (EOT) 的肝内 cccDNA 水平可能是 CHB 患者对抗病毒治疗持续反应的有力预测指标,但肝活检和缺乏标准测试进展限制了其在临床实践中的应用。寻找预测持续病毒反应的替代标志物的研究正在进行中。作为 HBV cccDNA 转录活性的替代指标,血清乙肝表面抗原 (HBsAg) 已被提倡作为监测 CHB 患者治疗反应的新型血清标志物,而 HBsAg 清除被视为 CHB 抗病毒治疗的最终目标。所有主要的国际 CHB 感染指南都推荐 HBsAg 消失(无论有无 HBsAg 抗体 (anti-HBs))作为 CHB 患者,尤其是乙肝 e 抗原 (HBeAg) 阴性患者的 NA 治疗的最佳终点。1,2,7 在最近的一项荟萃分析 8 中,EOT HBsAg 水平 < 100 IU/mL 被建议作为停止 NA 治疗的最佳临界值,无论是 HBeAg 阳性还是 HBeAg 阴性 CHB 患者。还发现血清 HBV RNA(由 cccDNA 转录而成)与 cccDNA 的存在相关,并与对 NA 的反应相关。9 – 12 因此,HBV RNA 可能是长期 NA 治疗后肝内 cccDNA 水平的另一种临床替代标志物,可用于
缩写 AIDS,获得性免疫缺陷综合征;BIRC,盲法独立审查委员会;cBaseline,交叉期基线;cEligibility,交叉期资格评估和影像学;CR,完全缓解;cWeek,交叉周;DOR,缓解持续时间;ECOG PS,东部肿瘤协作组体能状态;EFS,无事件生存期;EOA,评估结束;EOS,研究结束;EOT,治疗结束;ICI,免疫检查点抑制剂;IL-2,白细胞介素-2;ORR,客观缓解率;OS,总生存期;PD,进展性疾病;PD-1,程序性细胞死亡蛋白 1;PFS,无进展生存期;RECIST,实体瘤疗效评价标准;SCID,严重联合免疫缺陷;TEAE,治疗中出现的不良事件;TIL,肿瘤浸润淋巴细胞。
•臂之间的基线时中位CTDNA水平没有显着差异:Giredestrant 0.100(95%CI = 0.044,0.160); PCET 0.073(0.020,0.120); Fulvestrant 0.085(0.016,0.140)。•58/89(65%)的CTDNA水平降低了经过Giredestrant治疗的患者,44/75(59%)PCET治疗的患者和34/56(61%)(61%)在基线时可检测到的可检测/可检测到的TF的患者。•a)与PCET(–29%)或Fulvestrant(–36%)相比,Giredestrant(–66%)的中位数从C1D1到C2D1更大。在EOT上,经PCET处理的患者相对于C1D1,CTDNA水平显着增加。Giredestrant没有看到这种效果,该作用仍显示出–47%CtDNA的中位数。•b)和c)PR或SD患者的CTDNA降低明显更高,与PD患者相比,基线CTDNA水平明显降低(最佳研究者反应),无论治疗组如何。
AE,不良事件;CR,完全缓解;CY,环磷酰胺;DCR,疾病控制率;DLT,剂量限制性毒性;DNA,脱氧核糖核酸;DOR,缓解持续时间;FDA,食品药品管理局;ECOG PS,东部肿瘤协作组体能状态;EOA,评估结束;EOS,研究结束;EOT,治疗结束;FLU,氟达拉滨;ICI,免疫检查点抑制剂;IL-2,白细胞介素-2;IND,新药临床试验;KO,敲除;NMA-LD,非清髓性淋巴细胞耗竭;NSCLC,非小细胞肺癌;ORR,客观缓解率;OS,总生存期;PD-1,程序性细胞死亡蛋白-1;PD-L1,程序性死亡配体 1;PDCD-1,程序性细胞死亡蛋白 1 基因;PFS,无进展生存期; RECIST,实体肿瘤疗效评价标准;RP2D,第 2 阶段推荐剂量;TALEN ®,转录激活因子样效应核酸内切酶;TIL,肿瘤浸润淋巴细胞;wks,周数。
由于胶片摄像头被替换为数码相机,因此追求小像素大小进入亚微米尺度以满足高分辨率成像的需求是一个主要趋势。1,2图像传感器的像素大小的收缩(ISS)引发了严重的信噪问题,并带来了常规光学组件的挑战。3最近通过应用各种纳米光学效应,包括超普通变速器(EOT),4个金属纳米antennans,5 Fano共振,6个MIE共振,7和指导模式共振(GMR)来设计结构性色过滤器。8与基于材料吸收的常规染料颜色过滤器相比,结构颜色技术通过人工微/纳米结构实现光谱滤波,具有互补金属的优势 - 氧化物 - 氧化物 - 轴导剂(CMOS)过程兼容性,稳定性,稳定性和抑制空间颜色crosstalk。9尽管已经进行了彻底的研究以探索基本物理学,但10种高质量的材料11并优化了结构色技术的制造和集成方法12,但没有一个可以在光传输效率(〜90%)和颜色纯度方面击败染料色过滤器。13此外,大多数结构颜色过滤器都是
ADP 年度发展计划 BoD 董事会 CDWP 中央发展工作组 CEO 首席执行官 CFO 首席财务官 CGGC 中国葛洲坝水利电(集团)有限公司 CMEC 中国机械设备工程有限公司 CPM 关键路径法 CDL 现金发展贷款 DAC 部门会计委员会 D&B 钻孔和爆破 EAD 经济事务部 ECC 经济协调委员会 ECNEC 国家经济委员会执行委员会 EOT 延期 EXIM 银行 中国进出口银行 FEC 外汇组成部分 GBR 岩土基线报告 HEP 水力发电 IDB 伊斯兰开发银行 IRP 检查报告 Para IWT 印度河水条约 KFD 科威特发展基金 KHEP 基萨甘加水力发电项目 LAC 土地征用收集者 MOU 谅解备忘录 MOWP 水利电力部 NEC 国家经济委员会 NJC 尼勒姆杰赫勒姆顾问公司 NJHP 尼勒姆杰赫勒姆水电项目 NTDC 国家输配电公司 OFID 欧佩克国际发展基金 欧佩克石油输出国组织 PSDP 公共部门发展计划
缩写:1L,一线;CR,完全缓解;CS,皮质类固醇;DR,持久缓解;EOT,治疗结束;Hb,血红蛋白;ITP,免疫性血小板减少症;IV,静脉注射;IVIG,静脉注射免疫球蛋白;PBO,安慰剂;Q4W,每 4 周一次;R,随机化;TF,治疗失败;wAIHA,温热型自身免疫性溶血性贫血。a 完整的资格标准请参见 ClinicalTrials.gov。b 如果在联合治疗期结束时连续 ≥2 次评估的血小板计数≥50 g/L,则将开始逐渐减少艾曲波帕的剂量,最长 8 周,直至血小板计数保持≥30 g/L 时停药。参考文献:1. Al-Samkari H 等人。血液。2023;142(补充 1):5456。 2. ClinicalTrials.gov。NCT05653349。2024 年 6 月 14 日访问。https://clinicaltrials.gov/ct2/show/NCT05653349 3. 存档数据。VAYHIT1 方案修正案 4. 诺华;2023 年 12 月 14 日。4. ClinicalTrials.gov。NCT05653219。2024 年 6 月 14 日访问。https://clinicaltrials.gov/ct2/show/NCT05653219 5. 存档数据。VAYHIT2 方案修正案 4. 诺华;2023 年 11 月 3 日。6. ClinicalTrials.gov。NCT05648968。2024 年 6 月 14 日访问。https://clinicaltrials.gov/ct2/show/NCT05648968 7. 存档数据。 VAYHIA 协议修正案 4。诺华;2024 年 1 月 17 日。
摘要:HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣,因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究;例如,铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一,因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中,铁电层沉积在 Si 上,界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压,从而增加了操作 FEFET 所需的能量,并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明,铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气,将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压,同时剩余极化强度增加约 2 倍,极化切换突变度增加约 3 倍,这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致,该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致,氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位,从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词:铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
摘要:HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣,因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究;例如,铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一,因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中,铁电层沉积在 Si 上,界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压,从而增加了操作 FEFET 所需的能量,并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明,铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气,将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压,同时剩余极化强度增加约 2 倍,极化切换突变度增加约 3 倍,这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致,该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致,氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位,从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词:铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体(CMOS)后端(BEOL)兼容设备的兴趣,用于整体3维(3D)集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体,至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积(ALD)氧化二颗粒(在2 O 3中)的性能卓越,例如高驱动电流,高迁移率,陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中,使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT,表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级,可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态(DOS)的高尺寸(DOS),这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带中深入对齐。