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PESD1CAN CAN 总线 ESD 保护二极管 - 全部产品
销售条款和条件 — 恩智浦半导体产品的销售须遵守一般商业销售条款和条件（见 http://www.nxp.com/profifile/terms ），包括与保修、知识产权侵权和责任限制相关的条款和条件，除非恩智浦半导体另有书面明确约定。如果本文件中的信息与此类条款和条件存在任何不一致或冲突，则以后者为准。
第二届国际 EOS/ESD 设计与系统研讨会
Aihua Dong, HiSilicon Bright Ho, MA-tek Charvaka Duvvury, IEEE Fellow Chun-Yu Lin, National Taiwan Normal University David Pommerenke, Graz University of Technology Geng Yang, UNISOC Guanghui Liu, ViVo Guangyi Lu, HiSilicon Guoyan Zhang, Silergy Corp Hailian Liang, Jiang Nan University Jun Wang, SMIC Ming-Dou Ker, National Yang Ming Chiao Tung University Meng Miao, GLOBALFOUNDRIES Mengfu Di, Skyworks Ming Qiao, UESTC Mingliang Li, HiSilicon Nanhai Xiao, YINT Electronics Qi-an Xu, CXMT Shen-Li Chen, National United University Shurong Dong, Zhejiang University Tung-Yang Chen, AIP Technology Corporation Wei Gao, HiSilicon Wei Huang, ESDEMC Technology Wei Liang, GLOBALFOUNDRIES Wenqiang Song, NuVolta Technologies Xiaozong Huang, CETC-24 Xin Gao, HiSilicon Xin Wu, East China Normal University Yang Wang, Xiang Tan University Yi-Ting Lee, Siemens Yuan Wang, Peking University Zhaonian Yang, Xi'an PolyTech University Zhiguo Li, YMTC Zhiwei Liu, UESTC
Machlab ESD 乙烯基瓷砖 EVT1 _ 技术数据表副本
维护 不建议在 ESD 乙烯基地砖上定期使用蜡或合成地板漆。使用任何此类材料都会在表面形成绝缘膜。这会降低其有效性并影响其性能。首选方法是干式维护方法。使用旋转抛光机和合适的垫子喷洒清洁或抛光地板，并喷洒含有水、酒精和中性清洁剂的抛光溶液。
优化 FPD-Link ADAS 设计以实现系统级 ESD 抗扰度 (Rev. A)
系统级 ESD 测试是全球众多汽车 OEM 的共同要求。系统级 ESD 测试的目标通常有两个：确保模块内的电气元件不会受到损坏，并评估 ESD 事件期间的应用级性能。关于系统级 ESD 测试的一个常见误解是，应用级性能可能与组件数据表中指定的 ESD 额定值有关（例如 IEC 6100-4-2、HBM、CDM 等）。数据表中指定的 ESD 额定值仅描述 IC 承受设备引脚能量放电而不受到损坏的能力。此额定值主要用于了解芯片处理和组装要求，但关键的是，该额定值没有考虑任何应用级性能方面，例如数据丢失。了解高速铜链路在 EMI/ESD 应力下的应用级性能与系统设计密切相关。本指南包括 TI 的建议，即通过强大的硬件设计实践和软件设置优化来最大限度地提高抗扰性能。
亚微米玻璃碳作为ESD和EMI应用的基于HDPE的导电聚合物复合材料
玻璃碳（GC）是一种独特的碳，具有广泛的有用特性，包括高热稳定性，低热膨胀和出色的电导率。这使其成为热塑性复合材料中加强的有前途的候选人。在这项工作中，使用微米GC粉（µGC）和亚皮平GC粉末（SµGC）制造高密度聚乙烯（HDPE）基础复合材料。通过两种不同的方法将GC钢筋引入聚合物基质中，以形成随机和隔离的增强分布。检查了GC体积含量（φ）和复合结构对电导率的影响。证明，虽然玻璃碳可以比石墨更有效地增强HDPE的电导率，但它与碳Na- Notubes的出色性能相匹配，碳Na- Notubes的性能弥补了它们之间的间隙。研究表明，GC的添加增加了HDPE的电导率，并且在φ≈4％时可以实现渗透阈值（φC）。GC的隔离分布导致渗透阈值的值（φC≈1％）低于随机分布。
使用 ESD 枪 NSG 435 进行 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰度测试的 3D 模拟。
ESD 测试的首选方法是接触放电。如果不能应用接触放电，则应改用空气放电。每种测试方法的电压列于提供的表格中。每种方法的电压不同是由于测试方法不同。重要的是要注意，不同的电压并不意味着测试方法之间的测试严苛程度相同。
技术缩放对纳米体 CMOS 技术中硅化物阻挡 PMOSFET 器件 ESD 性能的影响
先进的 CMOS 技术在每一代新产品中都采用传统的尺寸缩放和颠覆性技术创新，以实现预期的性能改进 [1][2]。这在纳米技术中更为重要，因为传统的结深、栅极长度和栅极氧化物厚度缩放正在接近某些物理极限。先进 CMOS 技术的主要工艺突破之一是将大量应力元件引入 NMOSFET 和 PMOSFET（图 1），以提高性能。特别是，PMOSFET 器件受到了更多关注，因为 SiGe 技术随时可用，这种技术易于理解且与基础硅工艺完全兼容。这些工艺元件（如源极/漏极 eSiGe）已成功集成到 45nm [3] 至 32nm [4][5] 及以后的高性能 PMOSFET 中。其他应力元件（如压缩或拉伸应力衬里）对 PMOSFET 或 NMOSFET 都有好处，具体取决于氮化硅衬里的应力极性。尽管有大量文献介绍了传统缩放和不同应力元件如何影响 MOSFET 性能，但人们对它们对在高电流水平下工作的器件的影响知之甚少，例如在 ESD 类脉冲条件下 [6]。据报道，ESD NMOSFET 的故障电流不受拉伸衬里工艺的显著影响 [7]，原因是
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强系统级 ESD 可靠性数据手册 (Rev. A)
表 1. 参数 符号 最小值典型值最大值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率25 Mbps (仅 CR 级) V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率 25 Mbps（仅 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7（V DD1 或 V DD2 ）
适用于2.5V纳米集成电路的超低压触发可控硅ESD保护装置
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而，传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此，它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题，许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出，例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中，DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压，近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如，Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发，进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型（CDM）保护中的应用[7]。此外，DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护，因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题：触发电压过高，难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前，[8，9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构，但它们均侧重于提高保持电压，这些器件的触发电压仍然较高（~8 V）。此外，还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极，实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10]，但需要外部 RC 电路辅助触发，会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11]，实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻，但其保持电压较低，如果施加的电压域较高，会增加闩锁风险。
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
1 当以相同的数据速率运行时，两个通道的电源电流值相加。输出电源电流值是在没有输出负载的情况下指定的。可以按照功耗部分所述计算以给定数据速率运行的单个通道的电源电流。有关每个通道电源电流在空载和负载条件下与数据速率的关系的信息，请参见图 6 至图 8。有关 ADuM3200 和 ADuM3201 通道配置的总 I DD1 和 I DD2 电源电流与数据速率的关系，请参见图 9 至图 11。