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ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
表 1.参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 DC 规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，两个通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率。25 Mbps（仅限 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率。10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级）V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率。25 Mbps（仅限 CR 级）V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率。所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7 (V DD1 或 V DD2 )
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强系统级 ESD 可靠性数据手册 (Rev. A)
表 1. 参数 符号 最小值典型值最大值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率25 Mbps (仅 CR 级) V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率 25 Mbps（仅 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7（V DD1 或 V DD2 ）
基于频率的方法研究以从TLP测量中提取ESD保护动态香料模型
摘要 - 为了确保在设计阶段的早期系统的可靠性，使模型能够预测暴露于静电排放（ESD）的系统的行为变得至关重要。这是越来越多的必要性，因为嵌入式电子产品的数量正在增长，并且由于它们被用于人们安全的应用，例如汽车和航空应用。到目前为止，准静态保护设备的准静态模型成功地在失败预测（主要是硬故障）中提供了相当好的结果。今天，此类设备的频率范围的增加需要动态模型能够重现其瞬态行为。在本文中，我们调查了通常在频域中使用的线性设备建模的常规方法，可用于获得ESD保护设备的等效频率模型，ESD保护设备表现出非线性行为。提出并详细介绍了从传输线脉冲（TLP）测量中提取ESD保护香料模型的方法，以解决瞬态和频率模拟。我们证明，在明确的条件下，此类频率模型可以提供准确的结果，以预测与保护设备触发延迟相关的过冲。对模型的验证是在三个现成设备上的TLP和人类金属模型（HMM）条件下进行的。
c 放电，或 ESD。在本视频中，我们将解释
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单线双向对称（BISY）ESD保护二极管二极管Vlin系列用于汽车网络（例如Lin-Bus）提供±16 V
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汽车以太网电视的EMC测试
本节描述了ESD保护二极管的操作。虽然没有将ESD脉冲引入系统（即，当系统处于正常操作中时，ESD保护二极管理想地应与保护设备（DUP）断开，以免影响其操作。每个ESD保护二极管的阴极和阳极分别连接到信号线和GND，如下所示。当以这种方式连接ESD保护二极管时，它们在正常运行中时不会充当瞬态电压抑制器。当将ESD脉冲引入系统中时，有必要确保ESD保护二极管进行防止ESD脉冲到达DUP。从连接器中，ESD保护二极管和DUP可以视为并联连接。因此，重要的是要确保ESD保护二极管具有低阻抗，以便大多数ESD能量通过ESD保护二极管分流。
MBR0520L 表面贴装肖特基势垒二极管特性：• 低开启电压 • 快速开关 • PN 结保护环瞬态和 ESD 保护
免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
CDM7162-C00 - 预校准 CO2 模块
注意：CDM7162 是 ESD 敏感产品。本产品不使用任何 ESD 保护元件，例如齐纳二极管或压敏电阻。建议在应用产品组装过程中使用 ESD 保护设备来处理模块。还建议在将本产品嵌入成品时，根据预期应用的要求使用 ESD 保护元件和/或 ESD 保护外壳。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
hasan karaca
我致力于开发由Nexperia Hamburg生产的硅受控整流器（SCRS），以进行ESD保护。我的工作是用Synopsys sentaurus tcad模拟设备，并用Tim（瞬态干涉量学映射），TLP（传输线脉冲），EMMI（发射显微镜）和ESD/Essd/sugerve-sumpry-sinusoidal脉冲来促进ESD保护设备和电路的设计，以满足ESD的设计，并符合ESD ESD的设计。我在维也纳技术大学（TU WIEN）的Dionyz Pogany教授的监督下，并与Nexperia Hamburg的Guido Notermans，Steffen Holland，Hans-Martin-Ritter和Vasantha Kumar合作。我根据这些研究写了我的博士学位论文。与我写的一篇论文中，我在第41届EOS/ESD年度研讨会（美国加利福尼亚州河滨）获得了最佳学生纸奖。