静电屏蔽。..., , ....静电。...........设备。ESD 保护处理。.......ESD 保护材料。......ESD 保护包装。.......ESD 敏感度 (ESDS) 分类。场感应模型。地面。.......处理或处理。硬地面。人体模型:1 1 感应。输入保护 1 I 绝缘材料。LRU。........部分。.......受保护区域。...保护性处理。保护性包装。保护性存储。.电阻率。....软土地基。....SRU。.......
随着集成电路规模的不断缩小,静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前,超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关,迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点,例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗,可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而,SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压,造成闩锁效应。 [4] 另外,随着保持电压的提高,ESD器件的瞬态功耗必然增大,导致ESD故障电流(It2)急剧下降。因此,在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离,[5] 但这种方法效率低,不足以实现闩锁效应。
IEC 61000-4-2标准用于测试ESD免疫。表2-6提供了ESD测试详细信息。产品的目标应用程序和属性将确定所需的测试水平。有关更多详细信息,请参阅IEC 61000-4-2标准。当ESD到达触摸电极时,它会立即产生几个KV的电势差。这可能会导致CTSU测量值中发生脉冲噪声,降低测量精度,或者由于检测到过电压或过电流而导致的测量值。请注意,半导体设备并非旨在承受ESD的直接应用。因此,应使用设备盒保护的板上对成品进行ESD测试。在董事会本身引入的对策是在ESD罕见的情况下,由于某种原因会进入董事会的罕见情况,可以保护电路的故障措施。
一段时间以来,电子行业已经认识到静电放电 (ESD) 是潜在损坏源,尤其是对半导体器件而言。在此期间,人们一直在努力开发有意义的人体 ESD 脉冲和能够反复将不同电压水平的脉冲施加到半导体器件的设备。目的是确定部件承受特定电压水平的 ESD 脉冲的能力,并将该信息用作部件坚固性的指标。目前,可用设备能够施加在 MIL-STD 883C 等规范中经常描述的 ESD 脉冲作为人体脉冲;但这是正确的脉冲吗?最近的技术论文提出了一些关于 ESD 波形和捕获该波形的方法的有趣问题。IEC 801-2 等规范也导致了 ESD 波形的明显混乱,这些信息来源共同成为促进此项调查的催化剂。
特殊焦点模块背面功率,3D集成,内存堆叠,异源集成(启用AI革命)新兴技术CMOS Technologies的缩放范围继续延伸,超出了当前3 nm节点的清晰外观,包括围绕技术周围的闸门。引入背部功率将为高级技术带来令人兴奋的新功能,但同时,带来了在提供的ESD设备中需要解决的新ESD挑战。使用高级技术,高应用程序性能和异质集成概念为ESD保护设计带来了新的挑战。对于2025年EOS/ESD研讨会,我们正在寻找展示技术层面的进步和挑战的原始出版物。设备测试技术缩放和包装的复杂性的增加需要更高级的ESD测试解决方案。现代包装技术还引入了制造过程中未知的ESD应力水平。初始测量结果显示出非常快的脉冲解决了次纳秒时间域。现有的测试方法适合在此时间域中的表征,还是我们需要新的方法?我们邀请提交这些问题以及在ESD测试其他领域的进步。制造控制商业高性能2.5D和3D IC的制造具有与ESD相关的特定挑战,其中包含新材料,自定义集成和相关测试方法的新组装过程。模具到磁力,晶圆到磁力粘结,堆叠的ICS和模块包括具有低ESD承受能力的子系统,具有大量和各种各样的模具到die接口和小凹凸音高。我们邀请提交的意见,以解决控制和处理方面的进步,以朝着低于5 V制度的ESD稳健性非常低的行业趋势。
SN 第 27 届可持续发展教育活动/事件 日期:2025 年 牵头组织者 1.1 省级桌面练习 1 月 1 月 内政部,马德西省 2 第 27 届在 77 个地区开展的可持续发展教育计划 1 月 15 日 1 月 20 日 内政部、DCC 3 27 h 地方政府的可持续发展教育计划 1 月 15 日 1 月 20 日 农村和城市 D 由各种 DRR 合作伙伴和利益相关者开展的第 27 届可持续发展教育计划
随着电子元件变得越来越精密,新的 ESD 挑战不断出现,静电放电 (ESD) 对敏感行业构成了越来越大的威胁。ESD 是由绝缘表面上的静电荷积累引起的,当高电场导致气隙介电击穿时,静电荷会突然放电。具有不同电子亲和力的材料的接触和分离会通过摩擦电效应引起电荷转移,摩擦电效应是主要的 ESD 产生因素。低湿度会通过阻止电荷消散而加剧 ESD 风险。ESD 会永久损坏敏感电子设备,例如电压阈值可能只有 100 V 的集成电路。除了电子设备之外,ESD 还会通过引发火灾和爆炸威胁易燃行业,通过设备干扰威胁医疗保健行业,通过破坏航空电子设备威胁航空航天系统。防静电服装和防护设备对于控制敏感环境中的 ESD 至关重要。理想的材料可以快速消散电荷,同时限制放电能量。但是,优化快速衰减和减少放电火花需要在传导和绝缘之间进行权衡。影响防静电性能的关键因素包括纤维成分、导电元件的网格间距、织物结构以及导电元件的集成方式。传统的标准化测试(如电阻率)对于现代非均质织物和实际条件有局限性。特定于应用的评估是理想的选择。将技术创新转化为扩展的测试和实施计划对于提高全球采用率至关重要。通过协调努力,这些织物有可能在技术进步不断加快的情况下减轻不断升级的 ESD 风险。本研究中的系统文献综述侧重于构造防静电纺织品时要考虑的结构、技术要素和测试方法。
课程描述 这门 2 学分的课程提供对循环经济教育 (CE) 和可持续发展教育 (ESD) 的全面了解。它侧重于这些概念在应对全球挑战和促进可持续社会变革中的作用。本课程涵盖 ESD 的基本原则、CE 在实现可持续发展目标 (SDG) 中的重要性,以及 CE 和 ESD 领域内的创新方法和社区驱动的发展方法。本课程包括引人入胜的讲座、互动活动、实地考察和发人深省的纪录片。学生将探索 CE 和 ESD 中的全球议程与当地行动之间的关系,并分析当地社区的可持续性问题。本课程还将介绍创新的 CE 方法、ESD 计划和政策,并通过案例研究研究教师、青年和社区的参与情况。课程期间将提供制定演示文稿的指导问题。到课程结束时,学生将彻底了解 CE 和 ESD 在实现 2030 年前的 17 项可持续发展目标方面的重要性,以及通过教育分析和解决当地可持续性问题的技能。课程目标和学习目标
法案摘要:制定了《华盛顿呼叫中心就业法案》。搬迁意向通知。如果雇主打算将呼叫中心、呼叫中心内设施(与前 12 个月的平均运营呼叫量相比,该设施占呼叫中心总呼叫量的至少 25%)或将基本类似的运营从本州搬迁到国外,则必须在搬迁前至少 120 天通知 ESD 专员。违反规定的雇主将受到民事罚款,罚款金额不得超过每天 10,000 美元。如果州长或总统宣布呼叫中心所在地进入紧急状态,ESD 专员可以减少罚款金额。ESD 专员必须编制一份已通知 ESD 专员的所有雇主的半年名单,并将名单发布在 ESD 网站上。ESD 专员还必须将名单分发给所有州机构。列入名单的呼叫中心雇主在列入名单后的五年内没有资格获得州政府机构授予的任何直接或间接补助金或贷款。如果申请补助金或贷款的雇主证明缺乏补助金或贷款将导致该州大量失业或损害环境,ESD 可在与相关州政府机构协商后免除其资格限制。如果州政府机构
RS485接口广泛应用于工业控制、远程抄表等领域,而这些领域经常受到严重的静电损害。本文提出了一种无需额外工艺改造的片上TVS(OCT)结构和一种用于RS485收发器IC的新型静电放电方法。它由一系列齐纳二极管组成,采用5V/18V/24V 0.5μm CDMOS工艺制作。对提出的OCT进行了100ns脉冲宽度的传输线脉冲(TLP)测试。驱动电路本身也可用作ESD器件。OCT触发电压与RS485标准的信号电平兼容。OCT器件的人体模型(HBM)防护等级高达16.34kV。对集成OCT的RS485收发器也进行了测试,以验证其可靠性。结果表明,它能够通过 IEC61000-4-2 接触 ±10kV 应力和 IEC 61000−4−4 电快速瞬变 (EFT) ±2.2kV,不会出现任何硬损坏和闩锁问题。集成 OCT 的 RS485 收发器可实现高达 500 kbps 的无错误数据传输速率。该芯片占用 2.4 × 1.17mm 2 的硅片面积。关键词:片上 TVS (OCT);传输线脉冲 (TLP);RS485 齐纳二极管。