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光刻和EUV光刻
最先进的半导体光刻将我们世界上最先进的光学系统与巧妙设计且高度优化的光化学材料和过程结合在一起，以制造使我们的现代信息社会的微型和纳米结构。应用光学，化学和材料科学的独特组合为对应用自然科学和技术感兴趣的科学家和工程师提供了理想的游乐场。多年来，光刻图案技术的发展几乎仅仅是按照驱动的扩展，并着重于改进分辨率，以支持戈登·摩尔（Gordon Moore）将更多组件挤在集成电路上的愿景。尽管这种缩放量仍未达到其最终限制，但在具有所需统一性且没有缺陷的半导体芯片上产生更多和较小的模式变得越来越困难和昂贵。针对新兴新颖应用的未来光刻技术必须强调不同的要求，包括三维（3D）形状控制，新颖（功能）材料的整合，非平面表面上的图案，对目标模式的灵活适应最终应用等等等。在技术开发50多年的技术开发中获得的半导体光刻者的知识和经验为开发新型微型和纳米技术驱动的应用提供了重要关键。它还应帮助高级工程师和经理对替代方法和应用程序的看法。本书并不是要提供对印刷图案技术各个方面的完整描述。这本书的材料是在多年的有关光刻的讲座上编写的：在Friedrich-Alexander-University-University Erlangen-Nuremberg上的技术，身体效果和建模，并为公司的特殊方面以及公司的特殊方面以及作为会议的附带活动准备专门的课程。本书旨在帮助有兴趣的学生具有物理，光学，计算工程，数学，化学，材料科学，纳米技术和其他领域的背景的学生，以在纳米化的光刻技术的迷人领域开始使用。相反，该书着重于对图像和模式形成的基本原理的解释。
EUV 光刻中的氢气回收
DWARDS VACUUM 开发了一种氢气回收系统 (HRS)，可以回收和再利用极紫外 (EUV) 光刻工具使用的约 80% 的氢气。该系统降低了净氢气消耗和成本，降低了供应中断带来的财务和工艺风险以及氢气运输和分配的安全风险，并降低了 EUV 光刻的总能耗和碳足迹。EUV 光刻在所有先进节点制造中都是必不可少的。事实证明，它适合大批量生产，其减少工艺周期数的经济效益现已明确，并且运行中的系统数量正在稳步增加。EUV 工具使用大量氢气，目前约为每分钟 600 标准升，并且可能进一步增加。回收和再循环氢气使制造商能够大幅削减供应需求。Edwards 的 HRS 是与比利时鲁汶 imec 合作开展的十年开发计划的成果。该系统
PTB 的 EUV 辐射测量更新
极紫外光刻 (EUVL) 技术基础设施的开发仍然需要许多领域达到更高水平的技术就绪状态。需要引进大量新材料。例如，开发 EUV 兼容薄膜以采用经批准的 EUVL 光学光刻方法需要以前没有的全新薄膜。为了支持这些发展，PTB 凭借其在 EUV 计量方面 [1] 的数十年经验 [2]，在带内 EUV 波长和带外提供了广泛的光化和非光化测量。两条专用的、互补的 EUV 光束线 [3] 可用于辐射度 [4,5] 特性分析，分别受益于小发散度或可调光斑尺寸。EUV 光束线 [5] 覆盖的波长范围从低于 1 nm 到 45 nm [6]，如果另外使用 VUV 光束线，则可以覆盖更长的波长。标准光斑尺寸为 1 毫米 x 1 毫米，可选尺寸低至 0.1 毫米至 0.1 毫米。单独的光束线提供曝光设置。过去曾采用 20 W/cm 2 的曝光功率水平，通过衰减或失焦曝光可获得较低的通量。由于差分泵送阶段，样品可以在曝光期间保持在定义的气体条件下。我们介绍了我们用于 EUV 计量的仪器和分析能力的最新概述，并提供了数据以供说明。
EUV 掩模吸收层的优化
极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一，它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模，它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成，反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成，通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度，可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2]，吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成，缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年，人们评估了多种材料（Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr）[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程，其中采用了“双层”吸收堆栈。
高NA光刻
euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
EUV教师和健康评估EUV教师和健康评估
•EUV站点内的临床环境中的所有EUV雇用。包括诊所，附属诊所或医院。•EUV- EMORY HEALTARCARE研究站点。•EUV- EMORY医疗保健患者接触。•EUV-接触或与动物一起工作•诊所任命的SOM教职员工，其中包括所有医院设施位置（Grady除外），将遵循药物筛查。ESA医师是Emory医疗保健员工。他们必须进行完整的健康评估。安排ESA医师候选人的健康评估。PGP医师服务未处理100％的Grady和8/8 VA，您与谁联系以开始确保健康评估或设置过程的过程？
2022 年下半年的 EUV 光刻胶筛选活动
EUV 光刻胶材料对于实现下一代光刻技术至关重要，该技术旨在实现 5 nm 以下节点的大批量制造 (HVM)。在本研究中，我们报告了 EUV 光刻胶的广泛性能表征，用于未来的高 NA EUV 光刻。我们在 Paul Scherrer 研究所和 ASML 合作的框架内，使用瑞士光源 (SLS) 的 EUV 干涉光刻工具研究了各种光刻胶的性能。本文介绍了 2022 年下半年开展的工作的主要成果。本研究考虑的重要性能特征是分辨率或半节距 (HP)、剂量与尺寸比 (DtS) 和线宽粗糙度 (LWR)。为了评估光刻胶的整体性能，我们使用了 Z 因子。我们研究了化学放大光刻胶 (CAR) 和非 CAR 材料。两家供应商的 CAR 实现了低至 11 nm 半节距的分辨率，而多触发光刻胶 (MTR) 达到了 13 nm 的分辨率。相比之下，MTR 由于其高灵敏度而表现出更好的 Z 因子值。此外，我们研究了底层对金属有机光刻胶 (MOR) 性能的影响。最后，我们讨论了近年来光刻胶性能的总体进展。我们观察到多个光刻胶平台的稳步改进，这对全球 EUV 光刻胶向高 NA EUVL 的发展是令人鼓舞的。
用于光刻的 EUV 光学系统，分辨率低于 10 纳米
一直遵循摩尔定律，根据该定律，通过光刻生产的集成电路的集成度会翻倍。到目前为止，这些微芯片主要采用波长为 193 nm 的光学光刻技术制造。为了实现 10 纳米以下的结构尺寸，必须使用极紫外光 (EUV)：这可以实现更好的光学分辨率。然而，EUV 光刻面临着许多挑战。EUV 光被强烈吸收，因此必须在真空中进行曝光，并且在照明和成像系统中，必须将带透镜的折射光学器件替换为带镜子的反射光学器件。对要开发的光学器件的要求很高：它们需要高水平的研究和开发，以显著改善表面质量、材料成分、尺寸和形状。
EUV 光刻胶模型的解离光电离
从使用 248-193 nm (4.8-6.4 eV) 的深紫外 (DUV) 光刻技术转变为使用 13.5 nm (92 eV) 的极紫外 (EUV) 光刻技术，这意味着光与光刻胶薄膜相互作用的方式发生了根本性的变化。虽然 DUV 光通过共振激发选择性地激活光刻胶材料中的化学键，但 EUV 的高光子能量本质上会触发电离事件，但该过程仅具有较低的局部选择性。此外，初级光电离事件会导致光刻胶薄膜中发生复杂的辐射化学反应。为了设计适用于 20 nm 以下特征尺寸成像的强效 EUV 光刻胶材料，了解并最终控制用 EUV 辐射成像的光刻胶膜中的物理和化学过程至关重要。本文使用气相光电子光离子巧合 (PEPICO) 光谱研究了甲基丙烯酸叔丁酯 (TBMA) 的解离光电离，TBMA 是一种广泛用于化学放大光刻胶 (CAR) 聚合物的单体单元。通过只关注 EUV 光子与光刻胶相互作用的初始步骤，可以降低化学的复杂性，并获得如果没有这种孤立视角就无法获得的深刻基本见解。这些见解与进一步的补充实验相结合，是解密 EUV 光刻中的完整化学和物理过程的基本组成部分。