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光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
生成人工智能导致白领工人的位移，但减少了区域机会差异
图3：基于α-MOO 3的EUV检测器的性能：（a）在不同的光子能量和偏置电压下测量当前时间（I-T）曲线，而EUV辐射在周期中关闭并在循环中打开。时间归一化，以在同一面板中显示所有数字。随着偏差的增加，信号增加，但黑电流也有所增加。（b）。在分贝（𝑑𝐵）中作为光子能量的函数的信噪比（SNR）在低偏置时显示出强信号强度约为15 dB。由于在给定较高的偏置电压下暗电流值增加，在较高的偏置电压下，信号强度降低。（c）EUV在给定光子能量下诱导的电流对光子通量依次增加的响应，表明在检测极高的通量〜10 12𝑃ℎ/𝑠时没有饱和或降解，显示了设备稳定性。（d）记录电流的密度图与极高通量（〜10 12𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠/𝑠）下的100个连续重复测量的偏置电压（-5至5𝑉）的函数进行了测试，以测试该设备的
元素特异性高带宽铁电磁共振光谱与连贯的极端粉丝源
在本文中，我们在超薄的磁合金和多层上，在不透明的SI底物上应用桌面，超快，高谐波生成（HHG）来测量元素特异性铁磁共振（FMR）。我们证明了连续的波带宽高达62 GHz，并承诺将其扩展到100 GHz或更高。该实验室规模的仪器使用超快，极端粉状物（EUV）的光检测FMR，光子能量跨越了最相关的杂志元素的M-边缘。射频频率梳子发生器用于产生微波激发，该微波激发本质上同步与EUV脉冲，其正时抖动为1.1 ps或更高。我们应用该系统来测量多层系统以及Ni-FE和Co-FE合金中的动力学。由于该仪器以反射模式运行，因此它是测量和成像磁态动力学和主动设备在桌面上任意基板上的自旋传输的里程碑。较高的带宽还可以测量具有高磁各向异性的材料，以及纳米结构或纳米电视中的铁磁体，抗铁磁铁和短波长（高波形）自旋波。此外，EUV的相干性和短波长将能够使用动态纳米级无透镜成像技术（例如相干差异成像，Ptychography和全息图）扩展这些研究。
人工智能对光掩模行业的潜在影响
研究了高反射率相移掩模 (HR-PSM) 对 36nm 间距逻辑接触孔进行图案化的方法，并在成像性能 (ILS、LCDU、MEEF 等) 和曝光剂量方面与其他掩模吸收器进行了比较。为此，使用了晶圆数据校准的 CAR 和 MOR EUV 光刻胶模型。我们的模拟结果表明，HR-PSM 在较大的掩模 CD 下会产生暗场图像。但是，随着掩模 CD 的减小，图像的色调会发生反转，并且可以生成具有良好对比度的明场图像。基于这一观察，提出了一种 HR-PSM 加 MOR 图案化方法，用于最小间距等于 36nm 的全间距逻辑接触孔应用。我们表明，这种方法在全间距性能方面表现出多种增强，并且使我们能够使用 0.33NA EUV 扫描仪将逻辑接触孔的实际分辨率扩展到 40nm 间距以下。
项目 - NWO 物理学
Yahia Mostafa [ARCNL] 固态激光产生的等离子体作为纳米光刻的 EUV 光源 Mark van Ninhuijs [TUE] 超冷等离子体的微波腔谐振光谱 Lucas Poirier [ARCNL] Nd:YAG 激光产生的等离子体膨胀过程中的强各向异性离子发射
![arXiv:2001.07992v1 [physics.app-ph] 2020 年 1 月 22 日](/simg/c\cfcaef82cccbbfdc66bffb4cadfb858226454aee.webp)
arXiv:2001.07992v1 [physics.app-ph] 2020 年 1 月 22 日
极紫外光刻 (EUVL) 是一种集成电路 (IC) 制造技术 [1]。该技术使用波长为 13.5 nm 的 EUV 光将光掩模 (也称为掩膜版) 上的图案转移到晶圆上的感光光刻胶上 [2]。鉴于 IC 特征尺寸 < 20 nm，> 20 nm 掩膜版表面上的任何颗粒都会导致印刷图案缺陷 [3]。因此，控制这些纳米颗粒的释放和传输对于 EUVL 至关重要 [4]。EUVL 过程 [5] 在低压氢气环境中进行，以防止镜子氧化和碳生长。EUV 辐射的吸收会导致 EUV 诱导氢等离子体的形成。它由两部分组成：快光电子（E∼70eV）和体等离子体（ne∼108cm−3，Te∼0.5eV）。快电子和等离子体都会给它们能够到达的表面充电。有多项实验[6–8]报道，具有相似参数的等离子体和电子束可以从表面掀起灰尘颗粒。1992年，Sheridan等人[6]观察了介电灰尘从一个被氧化层覆盖的铝球上脱落，该铝球同时暴露在等离子体和电子束中。根据报道的假设（后来得到扩展[9]），粒子被等离子体带电，并被等离子体鞘层的电场掀起。2006年，Flanagan和Goree[7]对一个被风化层覆盖的玻璃球重复了Sheridan的实验，得到了同样的灰尘脱落现象。王等人 [8] 研究了在等离子体、电子束、它们的组合和紫外线辐射的影响下，风化层颗粒堆的浮起。根据已开发的“贴片电荷模型”，电子渗透到颗粒之间的空腔中，借助二次电子发射给隐藏的表面充电，然后
永远化学物质在计算系统中的环境影响
电子和半导体行业是人类和多氟烷基物质（PFA）的著名消费者，也称为永远的化学物质。计算机设计人员和建筑师有机会减少PFA在制造半导体和电子产品中的使用，包括集成电路（IC），电池，显示等，目前仅占欧洲PFAS荧光聚合物总量的惊人10％。在本文中，我们讨论了PFA在计算系统中的环境影响，以及设计师和建筑师如何为具有较低PFA的化学品的设计优化。我们表明，由于面积节省，具有16 nm技术节点的IC比制造量滞后于28 nm滞后技术的PFA量要少15％。我们还表明，与使用深紫外线（DUV）Immersion Immersion simersion Primoshogrosh（而不是EUV）在7 nm技术节点上制造相同的IC相比，使用Ex-Treme紫外线（EUV）平面图在7 nm技术节点上制造IC使用的含PFAS化学品的量减少了20％。
光罩
在半导体器件制造过程中，EUV 光刻技术必不可少，而光化学 EUV 掩模计量技术必不可少。在 PSI，我们正在开发 RESCAN，这是一种基于相干衍射成像 (CDI) 的平台，可以满足当前和未来的掩模检查分辨率要求。在 CDI 中，用相干光照射样品获得的衍射图案由像素检测器记录，这些衍射图案用于通过迭代相位检索算法重建物体的复振幅图像。虽然在传统光学系统中，像差会影响最终图像的分辨率，但 CDI 方法本质上是无像差的。尽管如此，仍需要仔细预处理衍射信号以避免重建图像中出现伪影。特别是，由于我们的系统以 6° 的入射角在反射模式下工作并使用平面检测器，因此有必要校正由于非远心性而导致圆锥失真的记录衍射图案。本文讨论了衍射数据预处理对重建图像质量的影响，并通过在 RESCAN 显微镜中应用优化的数据预处理流程展示了缺陷灵敏度的提高。结果，我们在光掩模上实现了低至 20 nm 的缺陷灵敏度，并在大视场中实现了均匀的图像质量。
太阳瞬变事件发生的概率
来源：2017 年 9 月 6 日 X9.3 太阳耀斑 地区：地球日 持续时间：几分钟 影响：具有 30 海里左右强 EUV 成分的太阳耀斑会严重影响用于航空、海上导航等的 GNSS 定位服务。所有可见的 GNSS 卫星系统都受到类似影响，包括 GPS、GLONASS 和伽利略。