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临床前研究的一般考虑
目录1。Introduction ............................................................................................................................. 6 2.Scope ....................................................................................................................................... 6 3.Definitions ............................................................................................................................... 8 4.Part A: Preclinical data requirements .................................................................................... 11 4.1.New drug applications ....................................................................................................... 11 4.2.New generic drug application ............................................................................................ 12 4.3.Impurities ........................................................................................................................... 13 4.3.1.Qualification of Organic Impurities ............................................................................... 13 4.3.1.1.Mutagenicity Assessment of Impurities ..................................................................... 14 4.3.2.Qualification of Residual Solvents and Elemental Impurities ....................................... 14 5.Part B: Writing Guide for Non-clinical Study Reports ......................................................... 15 5.1.Documents Format ............................................................................................................. 15 5.3.非临床书面和列表摘要...........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................非临床研究报告.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................Appendices ............................................................................................................................ 22
对人血浆中28个痕量元件的定量分析和血清中的三倍四极杆电感耦合等离子体质谱法
仅用于一般实验室。不适用于诊断程序。©2022 Thermo Fisher Scientific Inc.保留所有权利。Clinmass和食谱是食谱化学品 +仪器GmbH的商标。元素科学是元素科学的商标。所有其他商标都是Thermo Fisher Scientific及其子公司的财产。TN000598-EN 0322S
事实推翻了人们对独立疫苗的担忧
不。任何疫苗中都不含元素汞。元素汞在环境中会形成甲基汞。甲基汞是一种毒素，可在鱼类和海鲜中生物累积。乙基汞是硫柳汞中的一种化合物。与甲基汞不同，乙基汞很容易从体内排出。乙基使它成为与甲基汞完全不同的化学物质。2001 年，除多剂量流感疫苗外，所有儿童疫苗中均不含硫柳汞。
独立疫苗担心被事实摘要推翻
编号元素汞从未在任何疫苗中。元素汞在环境中形成甲基汞。甲基汞是一种可以在鱼类和海鲜中生物占用的毒素。乙酰汞是锡莫拉索中的一种化合物。与甲基汞不同，乙基汞很容易从体内消除。乙基组使其与甲基汞完全不同。在2001年，除多蛋白流感疫苗外，将Thimerasol从所有儿童疫苗中取出。
多氧计能负载减少了氧化石墨烯改性金属钒酸盐催化剂，用于通过间接Z-Scheme机制的光氧化反应
图S8。fesem图像（c）c，（c）c，（d）o，（e）p，（e）p，（f）ag，（g）v，（g）v，（h）W。fesem rpom-cv3 at（i）较低和（i）较低和（j）较高的eDx元素（e edx元素）（k）（k）（k）o， （o）V，（P）W。
支持信息合成硅量子点...
图 S2(a) 和 S1(b) 分别显示了合成状态和氢化硅化 Si-QDs（样品 1）的 Si 2p 光谱。合成状态的 Si-QDs 在 99.6 和 100.5 eV 处出现峰，分别对应于 Si 2p 1/2 和 Si 2p 3/2 ，这是元素 Si 的特征，还有其他氧化 Si 物质，Si 1+（100.4 eV）、Si 2+（101.9 eV）、Si 3+（102.6 eV）和 Si 4+（103.7 eV）。1, 2。元素 Si 峰的存在证实样品由 Si 制成。宽氧化峰表明氢化物端接的 Si-QDs 在转移过程中与环境氧发生了反应，而 Si-QDs 本质上并不存在这些反应。对于氢化硅化 Si-NC（图 S2(b)），我们发现元素 Si 峰与合成样品类似，还有对应于 Si-C（101.3 eV）和 Si- R/Si(O)R（101.8 和 102.3 eV）3 的峰，而氧化 Si 物质没有产生显著贡献。图 S2(c) 中所示的氢化硅化 Si-QDs 的 C 1s 光谱分别显示存在 C=C（284.5 eV）、CC（285.1 eV）和 C- Si（283.9 eV）4，没有氧化物相关峰，与 Si 2p 元素光谱一致。该结果与 FTIR 观察结果一致，并证实了氢化物封端的 Si-QDs 通过氢化硅化用烷基钝化。
支持信息外延驱动的相位选择性...
图S2：A，长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数，也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B，鳗鱼elemental sn，sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳，而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c，从（b）中标记为in，sn和sb边缘标记的（b）中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d，INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能，或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为：（a）100 nm，（b）100 nm，（d）20 nm。