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通过确定性生成的光子图状态启用的量子中继器的性能分析
通过将逻辑Qubits编码为特定类型的光子图状态，人们可以实现Quanth-tum中继器，从而使快速的纠缠分布率接近经典连接。但是，这些光子图状态的产生需要使用基于线性光学器件的传统方法来启动的源头。克服了这一挑战，已经提出了许多新方案，这些方案采用量子发射器来终止生成光子图状态。尽管这些方案有可能显着降低资源成本，但缺乏不同编码和不同产生方案之间的中继器演奏的系统比较。在这里，我们基于两个不同的图状态，即树图状态和中继器图状态。对于两种状态，我们比较了两个生成方案之间的性能，一个基于与辅助物质量子位耦合的单个量子发射器，另一个基于一个基于单个量子发射器与延迟反馈相关的单个量子发射器。我们在不同的系统参数上识别数值最佳方案。我们的分析提供了有关基于图形状态的量子中继器的生成方案的定义的明确指南，并提出了对不同方案的实验实现实验实现的要求。
方向2050：丹麦CCUS路线图2024
→分析的DEA方案在2030年的角度表明对CCUS技术的研究需求很强。•在情况下，CCS的应用很大程度上取决于土地使用和农业的排放减少量。从农业和土地使用中假定的排放减少越低，对CCS溶液的负排放的需求越高。→所有DEA方案从2030年〜2-5.5MTPA范围内施加了大量的CO 2捕获（生物和化石）。•从点源捕获的技术潜力估计在2030年为〜7-14mtpa（平均约为10.5mtpa），说明了更高的排放降低潜力。但是，捕获技术必须足够成熟，以进行升级才能提供足够的捕获量。•在丹麦项目中应用的普遍捕获解决方案是燃烧后的胺溶剂，具有TRL 7-9。但是，他们在多个部门缺乏大规模应用。•TRL 9的技术仍然需要研究围绕核心技术的技术，以确保大规模实施。这可能是为了监视CO 2捕获率和纯度的技术。•它将需要对TRL 7-9技术的优化和缩放进行更多研究，以达到2030年目标减少所需的捕获量。•发射极烟道/同性恋的组成对捕获技术的效率具有很大的影响。•丹麦普遍存在的长期发射器是行业生产，电力和地区供暖生产，废物焚化和沼气升级。研究应将捕获技术的测试集中在丹麦普遍的发射极类型上，以尽早确定适合性和提高效率。•具有TRL 6-7的各种点源捕获解决方案，在2030年的透视图中，有可能将其成熟到TRL 9的潜力，从而推测持续的研究工作。•开发更大的解决方案支持识别丹麦的TAR GETED IMTTER组最有效的解决方案。•当前的CO 2捕获解决方案的点源仍具有高能量惩罚，需要通过加强研究来实现最高2030年的大规模应用。•增强的BECC应用将需要足够的过剩可再生能源。•与此同时，研究应重点关注协同效应和与地区供暖等技术的最佳能源系统集成。
局部抗性测量，用于用内在的薄层（命中）太阳模块降解C-SI异质结构：预印度
摘要 - 固有的薄层（或命中）模块的硅异质结通常在太阳能场中每年低于1％的降解，而在开路电压中显性降解，并且在串联电阻中有些降解。但是，详细的机制因模块而异。在这里，我们研究了在长期田间部署中发生的局部系列抗性的增加，这是由细胞区域指示的，在这些细胞区域中，光致发光强度不会降解，而是电致发光显着降解。为了直接测量局部串联电阻，我们已经凝固了局部电致发光降解区域，并使用扫描扩散抗性显微镜（SSRM）测量了4点探针和局部NM-尺度电阻的板电阻。通过4点探针的结果显示出散射的板电阻，例如，通过透明的导电氧化物层，A-SI：H Emitter或近结式C-SI反转层引起的不均匀电流路径。相比之下，SSRM结果表明在较小的纳米空间尺度上具有相对均匀且非降解的电阻率。SSRM是一种基于原子力显微镜的两末端电阻映射技术，可测量探针下方的NM-体积的局部电阻。在对照和降解样品上测得的一致电阻可以排除透明导电氧化物电阻的降解。
设计高协同性光学腔的进化算法
量子发射体（例如离子、原子、 NV 中心或量子点）与谐振器光学模式的强耦合和较长的腔光子寿命对于量子光学在基础研究和实用量子技术的众多应用中至关重要。有望满足这些要求的系统是光纤微腔 [1-4]、离子束蚀刻介质谐振器 [5] 或微组装结构 [6]。发射体和腔光子之间的强耦合可以通过很小的腔体体积和非常短的光学腔来实现。然而，对于许多现实的量子装置，由于技术困难，腔镜不能放置得太近：对于囚禁离子系统，短腔会导致介质镜带电并导致射频离子囚禁场畸变 [7]；对于中性原子，由于需要将原子输送到腔内以及需要从光学侧面进入腔体进行冷却和捕获[8,9]，短腔长受到限制。因此，用于量子光学装置应用的光学腔需要结合强耦合率和低损耗，同时保持镜子足够远。实现强耦合的一种方法是使腔体处于（近）同心配置中 [10]。这使腔中心的光模场腰部最小化，从而使发射极-光子耦合最大化，但是由于镜子上的模场直径较大，会增加削波损耗，从而限制了由腔协同性所能实现的最大腔性能。增加腔中心场振幅的另一种方法是通过调制镜子轮廓来创建某种干涉图案 [11]。我们假设我们不受球形腔的限制，即我们可以使用例如聚焦离子束铣削或激光烧蚀来创建任意形状的镜子，如第 6 节中更详细讨论的那样。在这里，我们用数字方式探索了腔镜的调制球面轮廓，这些轮廓会产生高度局部化的腔模式，同时保持较低的损耗。通过这种方法，我们发现了一种镜子轮廓的流形，它可以提供比同心腔更低的损耗率，从而实现更高的协同性。与我们之前的工作 [ 11 ] 相比，在这里我们不需要先验地了解我们想要生成的确切模式形状（特别是特定的
在嘈杂环境中调整单个和多个量子发射器的光谱特性
动态环境中的量子发射器的能级可能会随着波动的浴液而不受控制地漂移。这会导致发射和/或吸收光谱分布在很宽的频率范围内，并对各种应用构成挑战。我们考虑一个量子发射器，它处于一个能级改变的环境中，因此发射频率由给定平均值周围的高斯随机分布表示，给定标准差和相关时间。我们研究了该系统在受到周期性有限宽度π脉冲序列影响时的发射光谱。我们表明，这种外部场协议可以通过将大部分发射光谱重新聚焦到脉冲载波频率上来有效克服该系统中的光谱扩散。我们进一步考虑了不同噪声环境中的两个这样的发射器，发现通过在两个系统上应用有限宽度脉冲序列可以使双光子干涉操作变得高效。最后，我们展示了一组名义上相似的发射器，每个发射器都有不同的环境，因此发射频率会随机偏移，其整体发射光谱可以重新聚焦到具有明确中心峰的线形上，该峰的线宽与单个孤立无噪声发射器的线宽相同，而这些发射器各自具有不同的环境，因此发射频率会随机偏移，其整体发射光谱本来会根据随机分布不均匀地加宽。这些结果表明，对于这种特定的噪声环境模型，外部控制协议可以保护光谱特性，这里用有限宽度脉冲的周期性序列来表示。
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，
迈向TOPCon的工业化制造
简介在过去的五年中，光伏行业见证了转换效率不断提高的发展势头。长期以来，该行业的主力一直是铝背面场 (BSF) 太阳能电池，但现在它正被钝化发射极和背面电池 (PERC) 所取代，PERC 可使生产中的转换效率超过 21%，在临近生产环境中的转换效率高达 23.6% [1]。对这些太阳能电池的详细损耗分析表明，金属/半导体触点处的少数电荷载流子复合是主要的损耗机制 [2]。通常采用两种策略来减轻复合损耗：(1) 通过扩散或合金化（例如选择性发射极或铝背面场）在金属触点下方形成重掺杂的 c-Si 区域，以减少界面处的少数电荷载流子；(2) 减少金属化面积分数。后一种策略的一个主要例子是 PERC 结构，其特点是具有局部 Al 接触的介电背面钝化，从而不仅增加了开路电压 (V oc )，而且还增加了短路电流密度 (J sc )（因为改善了红外光的背面反射）。然而，必须通过调整背面接触线（或点）的间距和基极电阻率来仔细平衡 V oc 增益和填充因子 (FF ) 损失。因此，克服这一限制的更好策略是钝化接触，它可以抑制少数电荷载流子复合并实现有效的多数电荷载流子传输。最著名的例子是 a-Si:H/c-Si 异质结（通常称为 HIT、HJT、SHJ）太阳能电池，
泌尿生殖器癌的自适应免疫
更改。[1]这需要将太阳能电池的生产提高到Terawatt量表[2]，同时降低生产成本。激光处理已成为生产太阳能电池的估计工具。[3 - 5]目前，它主要用于生产钝化发射极后细胞（PERC）的激光接触开口（LCO）过程。[6]由于有限的可用性，银消耗是大规模制造的挑战。[7]未来的无银方法，例如电镀[8]或铝制金属，[9]也需要激光开口。在大多数应用中，激光消融过程仅需很少的消耗品。因此，对LCO系统的所有权成本（COO）的主要贡献包括收购，劳动力和方面的成本，其成本超过75％。[10]因此，增加吞吐量是降低每个细胞处理成本的非常有效的方法。对于诸如化学批处理处理之类的前端过程，对于晶圆尺寸M10（182毫米），晶圆吞吐量预计将从10 200增加到16 700 wph。[6]这增加了70％以上。对于激光过程，例如激光掺杂的选择性发射极（LDSE）和LCO，预计吞吐量增益仅为约7000至10 000 wph，即约为42％。[6]这种错误匹配也是由于以下事实：基于批处理的过程（例如湿化学碱性纹理或炉子扩散和氧化）可以通过增加批处理大小来有效地扩展。[11]
