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碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。
Silent Swarm ® 无人值守电子战系统 - SRC, Inc.
该系统不显眼，非常适合长期部署在敌对地区。它可以用作无人值守的诱饵，利用电子战综合重编程数据库 (EWIRDB) 经过验证的雷达发射器情报数据来模仿 BLUFOR 和 REDFOR 雷达和武器系统及通信。该系统还提供先进的网络和非传统情报、监视和侦察功能，用于识别和利用对手。
文章
长波长发光材料的严重猝灭是制约OLED发展的重要瓶颈，例如Zhang等报道了一系列新型DA型橙色和红色荧光材料，其外量子效率（EQE）仅为3.15%，发射峰在592nm，而外量子效率（EQE）仅为2.66%，发射峰在630nm。16以三苯胺和N,N-二苯基苯胺为结构发光材料的橙色器件的最大EQE较低，为3.42%。17Yang等也报道了一种以吡啶-3,5-二腈为核心的TADF橙色发光材料，其电致发光（EL）峰值在600nm，其最大EQE为9.8%，18远低于蓝色和绿色器件。具有特色 DA 结构的 HLCT 基材料可以通过快速“热激子”通道从高位三线态 T m 实现逆向系统间窜改 (RISC) 到高位单线态 S n 。由于特殊的杂化局域电子 (LE) 和电荷转移 (CT) 激发态，这种独特的特性使 HLCT-OLED 具有高 EQE 和不明显的效率下降。19
硼、氮和氧掺杂的 𝝅 延伸螺旋
窄带发射多谐振热激活延迟荧光 (MR-TADF) 发射器是一种有前途的解决方案，无需使用光学滤光片即可实现当前行业针对蓝色的色彩标准 Rec. BT.2020-2，旨在实现高效有机发光二极管 (OLED)。然而，它们的长三线态寿命（主要受其缓慢的反向系统间穿越速率影响）会对器件稳定性产生不利影响。在本研究中，设计并合成了螺旋 MR-TADF 发射器 (f-DOABNA)。由于其𝝅 -离域结构，f-DOABNA 拥有较小的单重态-三重态间隙𝚫 E ST ，同时显示出异常快的反向系统间穿越速率常数k RISC ，高达 2 × 10 6 s − 1 ，以及非常高的光致发光量子产率𝚽 PL ，在溶液和掺杂薄膜中均超过 90%。以 f-DOABNA 为发射极的 OLED 在 445 nm 处实现了窄深蓝色发射（半峰全宽为 24 nm），与国际照明委员会 (CIE) 坐标 (0.150, 0.041) 相关，并显示出较高的最大外部量子效率 EQE max ，约为 20%。
学习目标：课程内容
ISBN：9788120351424。 实际作业清单：1。 在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。 4。 设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。 （a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN：9788120351424。实际作业清单：1。在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。4。设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。（a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
![arxiv：2402.10897v3 [Quant-ph] 2024年6月14日](/simg/d\d3e48b33603a1e69bdf36f8b81f90041c95e6f93.webp)
arxiv：2402.10897v3 [Quant-ph] 2024年6月14日
在光学量子信息处理中，基于半导体材料中的两级系统的单光子源可实现单个光子的需求生成。为了启动伴随发射过程，有必要有效地填充激发态。然而，由于在固态环境中存在电荷噪声和声子诱导的反应性，因此以高效率和高光子不明智的效率和高光子不明智的态度来调解需求的需求仍然是一个挑战。在这里，我们重建了WSE 2量子发射器在发射过程中经历的声子光谱密度，我们将此信息用于理论上分析谐振，声音辅助和量子发射器种群（SUPER）摇摆激励方案的性能。在谐振激发下，我们获得了强烈的声子耦合的激发剂限制为0.80的激动子制剂，而超级方案（或0.89，根据所考虑的发射极类型）提高到0.96（或0.89）。在近谐振的语音辅助激发下，我们的理论预测了近乎统一的激发保真度，最高为0.976（0.997）。此外，我们证明，假设抑制了声子边带，诸如电荷和自旋波动之类的残留脱位机制是破坏光子无法区分性的主导地位的反折叠机制。
带有非球形镜的空腔，用于增强量子发射器 - 腔体相互作用
对于现代量子光学的各种应用，无论是在实验学术研究和商业量子技术中，都需要与光学谐振器的量子发射器的强耦合，并且同时在此谐振器中同时长期光子寿命很重要。满足这些实际应用这些要求的一些最有前途的系统是纤维上的微腔[1-4]，离子束蚀刻的介电谐振器[5]或微型组装结构[6]。可以通过紧密定位单个腔光子光子（即使腔非常小）来实现量子发射极与光学循环的强耦合。但是，对于大多数逼真的量子信息处理方案，需要从侧面对发射极的光学访问，例如，用于光学冷却[7]，状态准备和最终状态读数[8]。，将原子或离子传递到腔内的通道，并且将诱捕结构的整合到腔内可能会对骑士长度施加进一步的约束。在离子陷阱量子计算的情况下[9]，形成腔的介电镜还可以散布由于其电敏感性而捕获离子所需的射频频率，并且由于其面部电荷而导致的，如果它们离陷阱电极太近[10，11]。总体而言，因此需要在量子信息应用中使用的光腔，以将强耦合速率与低损失相结合，同时还可以使镜子足够分开。让我们首先审查主参数，以使光谐振器与单个细胞进行强耦合。我们在这里工作的目的是提出一种新方法来实现这些要求，从球形镜的范式转移到与标准高斯模式相比，具有更好的配置属性的工程师光腔模式。在两级发射极之间的相干耦合，例如量子点，离子或冷原子，位于具有光学场模式E（r）的腔坐标为r，其特征是强耦合
辐射缓解技术（针对混合信号电路）
在 BJT 中，TID 对氧化物电介质的损坏会导致：• 基极电流过大（通过与陷阱的复合增强和 β 退化）• 由于发射极面积增加（通过 N ot 的表面反转）导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加（通过陷阱），导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
数字电子与脉冲技术实验室...
负逻辑。[电路- 1，电路- 2] 2. 当 VR 比 V(1) 更正时会发生什么？[电路- 1] 3. 如果不是所有输入都具有相同的上电平，会发生什么？[电路- 1，电路- 2] 4. 为什么使用二极管 D 2？[电路- 3，电路- 4] 5. 发射极和集电极可以互换吗？[电路- 3，电路- 4] 6. hFE(min) 的有效值是多少？[电路- 3，电路- 4] 报告：
课程vitae
有关C-SI太阳能电池的相关过程技术”（SCI，影响因子3）53，60（2021）。https://doi.org/10.1007/s11082-020-020-02689-8 6。 Sudipta Banerjee，Mukul Kr Das，“使用不同的过程技术对钝化发射机后部细胞（PERC）的后表面钝化的回顾”，IEEE赞助了全国性的可持续技术和工程应用新兴趋势（NCETSTEA），2020https://doi.org/10.1007/s11082-020-020-02689-8 6。Sudipta Banerjee，Mukul Kr Das，“使用不同的过程技术对钝化发射机后部细胞（PERC）的后表面钝化的回顾”，IEEE赞助了全国性的可持续技术和工程应用新兴趋势（NCETSTEA），2020