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利用金属辅助化学蚀刻进行 X 射线光学器件微加工：综述
摘要：高纵横比硅微纳米结构在微电子、微机电系统、传感器、热电材料、电池阳极、太阳能电池、光子装置和 X 射线光学等多种应用领域中具有技术相关性。微加工通常通过反应离子干法蚀刻和基于 KOH 的湿法蚀刻来实现，金属辅助化学蚀刻（MacEtch）作为一种新型蚀刻技术正在兴起，它允许在纳米级特征尺寸中实现巨大的纵横比。到目前为止，文献中缺少对 MacEtch 的专门综述，既考虑了基本原理，也考虑了 X 射线光学应用。本综述旨在提供全面的总结，包括：（i）基本机制；（ii）在垂直于 <100> Si 基底的方向上进行均匀蚀刻的基础和作用；（iii）用 MacEtch 制造的几个 X 射线光学元件示例，例如线光栅、圆形光栅阵列、菲涅尔区板和其他 X 射线透镜； (iv) 吸收光栅完整制造的材料和方法以及在基于 X 射线光栅的干涉测量中的应用；以及 (v) X 射线光学制造的未来前景。本综述为研究人员和工程师提供了对 MacEtch 作为 X 射线光学制造新技术的原理和应用的广泛和最新的理解。
关于EDGE Technology Inc.（证券代码：4268）股票等的招标收购结果及子公司变更的通知
千叶银行株式会社（以下简称“要约收购人”）于 2024 年 9 月 6 日召开的董事会上，决议通过公开收购的方式收购 EDGE Technology Inc.（证券代码 4268，东京证券交易所股份有限公司（以下简称“TSE”）成长市场；以下简称“目标公司”）的普通股（以下简称“目标公司股份”）及股票期权（定义见下文“第一、要约收购结果”中“1、购买概要”中的“（3）购买的股票等类别”；下同），并根据《金融商品交易法》（1948 年法律第 25 号，经修订）实施要约收购（以下简称“要约收购”），并于 2024 年 9 月 9 日至 2024 年 10 月 23 日实施该要约收购。要约收购人现将要约收购结果公告如下。收购人还宣布，由于本次收购，目标公司将于 2024 年 10 月 30 日（本次收购结算开始日）成为收购人的合并子公司。 一、收购结果 1、收购概要 (1) 收购人名称及地址 千叶银行株式会社 千叶市中央区千叶港 1-2
有关股票等招标等的通知
Target Company EDGE Technology Inc. (Securities Code: 4268) Methods and Processes Tender offer for the common shares and the share options Tender Offer Period From Monday, September 9, 2024 to Wednesday, October 23, 2024 (30 business days) Tender Offer Price Common shares: 841 yen per share Share options: 1 yen per unit Premium A premium to the closing price on September 5, 2024 : 58.98 % A premium to the simple average of the closing过去一个（1）个月的价格截至2024年9月5日：53.47％的价格高于过去三（3）个月的简单平均值，直到2024年9月5日：48.06％：溢价到过去六（6）个月的简单平均价格，直到9月5日至9月5日至2024％：41.82％：
实验室玻璃器皿清洗机中的玻璃器皿蚀刻：原因……
玻璃器皿清洗机是现代科学实验室必不可少的部件，由于其方便、高效和效果，简化了各种科学仪器的清洗过程。然而，实验室偶尔会遇到玻璃器皿蚀刻的问题，这会损害玻璃器皿的完整性和功能性。蚀刻是玻璃器皿腐蚀的一种形式，表现为玻璃表面暗淡和磨砂的外观。玻璃的物理和化学变化通常会造成不可逆转的损坏。这种退化不仅损害了美观，而且还危及涉及蚀刻玻璃器皿的实验程序的准确性和精确度。本文全面分析了实验室清洗机内玻璃器皿蚀刻的原因、后果和可能的缓解策略。
双蚀刻方法用于制造纳米光子...
将范德华（VDW）材料集成到光子设备中，为许多新的量子和光电应用奠定了基础。尽管在VDW晶体的光子构建块的纳米化过程中取得了巨大进展，但仍然存在局限性，特别是在大面积设备和掩蔽中。在这里，我们将重点放在六角硼（HBN）作为VDW材料上，并提出了一种双蚀刻方法，该方法克服了与使用金属膜和基于抗拒膜的方法相关的问题。通过设计和制造一组功能性光子组件（包括波导，环谐振器和光子晶体腔）来证明开发方案的效率。通过在几个关键频谱范围内的光学表征来证明制造结构的功能。这些包括近红外和蓝色范围，其中HBN硼空缺（V b-）旋转缺陷分别和相干B中心量子发射器发射。双蚀刻方法可实现高质量因子光腔的制造，并构成了VDW材料片上整合的有希望的途径。
将解离能与聚合物蚀刻速率相关联
超越了ohnishi参数：将解离能与聚合物蚀刻相关联Stanfield Youngwon Lee *，Min Kyung Jang，Jae Yun Ahn，Jae Yun Ahn，Jung Jung June Lee和Jin Hong Park Dupont Electronics＆Internalics＆Internalics＆Industrial，20 Samsung 1-Ro 5gil，Hwaseong-si，Gyeeegi-siea，gyeeeegi-do， *stanfield.lee@dupont.com随着光刻图案的大小继续减少，具有快速蚀刻速率和高蚀刻选择性的功能性子层对于维持良好的长宽比和促进成功的模式转移是必要的。因此，预测聚合物蚀刻速率的方法的研究和开发对于设计聚合物在光刻子层中的成功利用至关重要。从这些方法中，OHNISHI参数通常被称为聚合物在某些蚀刻条件下的易于易于。，尽管O.P.值可以是一个强大的预测工具，在某些单体的实现中发现了实际蚀刻率的差异。试图阐明导致这些变化的因素，计算了一系列具有已知蚀刻速率的聚合物的键解离能。与先前引用的研究结合使用，我们的初始发现概述了采用解离能作为OHNISHI参数的替代方案的优势。关键字：ohnishi参数，蚀刻速率，功能性子公司，债券解离能1。引言随着光刻术继续向较低波长的能源过渡，以满足对较小模式大小的需求[1-3]，因此新的材料设计正在不断变化，以满足每一代的需求。然而，尽管每一代人的逝世经常导致不同的子层要求，但某些关键参数仍然坚定不移。其中一种是具有相对更快的蚀刻速率或更高蚀刻性的材料，而蚀刻性的选择性比构成光蛋白天（PR）层的材料。可以提出，随着光刻堆栈的大小不断缩小[4]，蚀刻率不再是主要因素。的确，对有机单层的研究[5-10]，薄无机子层[11-13]，甚至没有有机子层[14]的研究。然而，诸如涂层均匀性，差的模式转移和粘附等问题以及有机抵抗和底层之间的兼容性问题阻碍了这些方法的广泛应用[15,16]。
使用顺序氧化和脱氧氯化反应
摘要：使用O 3（臭氧）和SOCL 2（硫代氯化物）的顺序暴露证明了钼（MO）的热原子层蚀刻（MO）。原位石英晶体微量平衡（QCM）研究对溅射的Mo涂层QCM晶体进行。QCM结果表明，在短暂蚀刻延迟后，Mo Ale显示出线性质量下降与啤酒周期。每次o 3暴露都会观察到明显的质量增加。每次SOCL 2暴露都会发生巨大的质量下降。Mo Ale的每个周期的质量变化（MCPC）是在长时间的SCOL 2暴露后是自限制的。MCPC随着3个暴露时间的较长而增加。原位QCM研究表明，这种软饱和度更长的O 3暴露于Mo的扩散限制氧化引起的。mo蚀刻速率随蚀刻温度逐渐增加。在饱和条件下，在75、125、175和225°C时，mo蚀刻速率分别为0.94、5.77、8.83和10.98Å/循环。X射线光电子光谱（XPS）和原位四倍质谱法（QMS）研究进行了研究，以了解反应机制。XPS在150°C下暴露于O 3后主要在MO表面上显示MOO 3。从QMS研究中，当MO在200°°C中接触MO在MO中暴露于SOCL 2时，监测了挥发性SO 2和MOO 2 Cl 2。这些结果表明，这些结果表明，通过氧化和脱氧氯次反应发生。mo用O 3氧化为MOO 3。随后，MOO 3经历了脱氧氯化反应，其中SOCL 2接受氧气产生SO 2并捐赠氯以产生MOO 2 Cl 2。Additional QCM experiments revealed that sequential exposures of O 3 and SO 2 Cl 2 (sulfuryl chloride) did not etch Mo at 250 ° C. Time-resolved QMS studies at 200 ° C also compared sequential O 3 and SOCl 2 or SO 2 Cl 2 exposures on Mo at 200 ° C. The volatile release of MoO 2 Cl 2 was observed only using the SOCl 2 deoxychlorination reactant.原子力显微镜（AFM）测量结果表明，MO表面的粗糙度与Mo Ale循环缓慢增加。
底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
致谢：半导体 PFAS 联盟谨感谢半导体 PFAS 联盟等离子蚀刻和去
作为行业专家，我们将必要用途定义为“半导体制造中极为重要的用途所必需的，但尚未找到替代品”。我们打算以此定义为视角，扩大对 PFAS 在我们行业中的使用情况的分析，而不仅仅是泛泛的总结。当然，一篇出版物无法涵盖半导体制造中每种 PFAS 用途的详细技术讨论。因此，在本白皮书中，我们将重点介绍三个工艺：等离子（干法）蚀刻、薄膜沉积和确保某些制造步骤稳定性所必需的腔室清洁工艺。对于那些对其他方面感兴趣的人，Ober 等人讨论了含 PFAS 材料在光刻中的使用（Ober、Kafer 和 Deng 2022），半导体 PFAS 联盟正在发布单独的白皮书，重点介绍湿化学和封装。
反应性离子和原子层蚀刻的损伤分析...
在当前的MSC论文中，使用具有Cl 2 /ar +过程的常规RIE和具有相同蚀刻化学的新开发的啤酒对Si（100）中的辐射损伤进行了比较研究。然后通过开尔文力探针显微镜（KFPM）测量接触电势差（CPD）分析的表面损伤。这些实验的结果表明，由于CPD的值和蚀刻表面的工作函数远低于ALE样品的值，因此RIE过程造成的损害很高。根据接近原始Si的CPD值，啤酒过程显示在蚀刻的Si样品上几乎最小损伤形成（100）。最后，该项目为与本研究所使用的不同条件下进一步研究啤酒损害打开了大门，因为它对纳米制作和半导体行业的重要性。