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采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
在193 nm
在193 nm处的光刻是在光刻中从436到365到248 nm的自然延续，这取决于不断较高的分辨率的要求。预计193 nm的光刻将在使用常规面具和O.带有相位转移掩码的18-JLM分辨率。正在解决此新波长时与光刻相关的主要问题。已显示出高度透明的光学材料在193 nm处可用。此外，激光辐射以足够缓慢的速度损坏它们，预计高质量投影光学元件将在10年的全日制运行中执行。因此，正在构建193 nm的踏扫描系统，其设计为在22 x 35 mm的场上达到0.25-L-LM分辨率。已经证明了193 nm光孔师方案的范围。它们包括半透明的单层固定，正色调表面成像（sily！ation）以及使用基于Ultrathin硅聚合物的负色调双层。在大多数情况下，我们已经证明了Sub-O.25-TTM分辨率，高光敏性，良好的暴露量化纬度和非常低的蚀刻残基。总的来说，已经采取了全面设计的193 nm光刻的成功步骤，并且没有预期的主要障碍。
陶瓷聚合物微流体传感器的生物材料嵌入工艺
摘要：微流体生物传感器的主要问题之一是生物层沉积。典型的制造工艺，例如陶瓷的烧制和硅与玻璃的阳极键合，都涉及高温暴露，任何生物材料都很容易受到高温的影响。因此，目前的方法是基于液体沉积，例如化学浴沉积 (CBD) 和电沉积 (ED)。然而，这种方法并不适用于许多生物材料。通过使用等离子体处理引入陶瓷-聚合物键合，部分解决了这个问题。该方法在等离子体激活和用聚合物盖密封系统之间引入了大约 15 分钟的生物改性窗口。不幸的是，一些生化过程相当缓慢，这段时间不足以将生物材料正确附着到表面。因此，介绍了一种基于生物改性后等离子体激活的新方法。至关重要的是，放电是有选择性的；否则，它会蚀刻生物材料。通过使用等离子处理和与聚合物粘合进行选择性表面改性，可以克服制造陶瓷生物传感器的困难。通过接触角测量和傅里叶变换红外 (FTIR) 分析研究了等离子体改性的区域。为了证明这一概念，制造了一个样品结构。结果表明该方法是可行的。
Expo Station以化学为中心的激光
原子在材料中的排列会影响材料的特性，例如硬度，导电性和不透明。了解原子的排列方式，尤其是在材料的表面上，对于学习材料为什么表现出某些特性至关重要。这不是一件小事，因为原子非常小。那么，我们如何实际“看到”它们？AFM可用于“感觉”物品在分子水平上的表面上的排列。AFM的悬臂在末端附有一个很小的针。针头拖过材料的表面，当针与原子接触时，它会导致悬臂向上弯曲。激光用于确定悬臂的弯曲程度，激光光的偏转程度指示了原子的高度。所得图像是材料表面的高度图，类似于地形图。这是科学家和工程师可以如何形象地看到分子或离子化合物中的原子在样品表面上的排列方式。AFMS允许科学家和工程师蚀刻硅的电子设备越来越小。他们还被用作科学家和工程师研究使数据存储更加有效的方法。
植物中的强，可调的抗侵蚀/cas活动
摘要CRISPR/CAS已彻底改变了植物中的基因组工程。然而，尚未探索使用抗Crispr蛋白作为防止CRISPR/CAS介导的基因编辑和植物中基因激活的工具。这项研究描述了烟熏本米那（Nicotiana Benthamiana）的两种抗Crispr蛋白Acriia4和Acrva1的表征。我们的结果表明，当与CRISPR/CAS9瞬时共表达时，Acriia4可防止叶片位置定向的诱变。以类似的方式，AcRVA1能够防止CRISPR/CAS12A介导的基因编辑。此外，使用N. benthamiana系组成表达Cas9，我们表明，使用烟草蚀刻病毒的Acriia4的病毒递送能够完全废除当用病毒传递引导RNA时获得的高编辑水平，在这种情况下，在这种情况下是马铃薯病毒X。我们还表明，Acriia4和AcRVA1抑制基于记者基因的基于CRISPR/DCAS的转录激活。在Acriia4的情况下，这种抑制以高度有效的剂量依赖性方式出现。此外，生长素脱脂与Acriia4的融合导致下游报告基因的生长素调节的激活。此处报道的Acriia4和Acrva1的强抗CAS活性为植物中基因编辑和基因表达的定制控制开辟了新的可能性。
用CRISPR-CAS12和CRISPR-Cas13
摘要：植物中的病毒感染威胁粮食安全。因此，需要简单有效的病毒检测方法，以采用可以防止病毒扩散的早期措施。然而，基于聚合酶链反应（PCR）扩增病毒基因组的当前方法需要实验室条件。在这里，我们利用了CRISPR-CAS12A和CRISPR-CAS13A/D系统来检测三种RNA病毒，即烟草的烟叶病毒，烟草蚀刻病毒和马铃薯病毒X，在Nicotiana Benthamiana植物中。我们应用了CRISPR-CAS12A系统来检测由PCR或等温扩增产生的病毒DNA扩增子，并且在混合感染的植物中也进行了多重检测。此外，我们调整了检测系统以绕过昂贵的RNA纯化步骤，并获得带有横向流条的可见读数。最后，我们应用了CRISPR-CAS13A/D系统直接检测病毒RNA，从而避免了进行前置步骤的必要性，并获得了随病毒载荷缩放的读数。这些方法允许在收获叶片后半小时内进行病毒诊断的性能，因此可能与可灭绝的应用有关。关键词：核酸检测，CRISPR诊断，多重诊断，植物病毒■简介
MiraSäe：基于GAAS的远场630 nm ...
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要，在各种领域（例如微电子，光电子学和光学电信）中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改，以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时，半导体激光器的远场是至关重要的参数，因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备，可以将更多功率传递到光纤。此外，从光学的角度来看，单模式激光器更好，因为光线更容易对齐。因此，使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中，基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式，从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸，因此，将两种不同的底物（638 nm和633 nm）与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外，还分析了光电压和光谱测量值。此外，为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性，使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的，但是633 nm底物的蚀刻时间更长，从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长，导致脊比638 nm设备深507 nm，这是预期的。与638 nm设备相比，具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器，该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度，腔长为1500 µm，脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度，即638 nm激光器，所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外，模拟结果很好地支持了实验结果。
气隙互连的机械稳定性
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例；在填充底漆之前，最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的，模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上，多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化（ESL）和低k介电或气隙之间，在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm，长2 µm，在接线方向上延伸，如图4所示。在完整的低K集成方案中，由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配，在M3间的裂纹3中，ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果，用于跨层次的全气隙结构，在该结构中，空气间隙取代了M3的所有金属间介电（IMD）。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是
晶圆级光学制造
市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo，以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心； acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备；从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术；创始人纳尔逊（Nelson）将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆（Plasma-therm）获得OEM的PVD，RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron， SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录，至32.9％
木兰胶 7500 A/B
ASTM D 1002 搭接剪切强度 (psi) 2024 T-3 铝 FPL 蚀刻温度：- 67° F 3,500 75° F 4,000 180° F 2,750 250° F 1,500 300° F 900 400° F 400 ASTM D 1002 拉伸搭接剪切强度 (psi) @ RT 浸泡 7 天后：喷气燃料 4,000 MIL H 83282 4,000 MIL L 7808J 4,000 MIL H 5606 4,000 MIL L 23699 4,000 ASTM D 1002 拉伸搭接剪切强度 (psi) @：RT 浸泡 30 天后@125F / 85% 湿度 4,000 180°F，浸泡 30 天@125°F/85% 湿度 2,500 ASTM D 1876 T 剥离强度 (pli) 于：RT 10 180° F 15 RT 在 Jet A 燃料中浸泡 7 天@RT 15 RT 在 MIL H 83282 中浸泡 7 天@RT 15 RT 在 MIL H 5606 中浸泡 7 天@RT 15 RT 在 MIL L 7808J 中浸泡 7 天@RT 15 RT 在 MIL L 23699 中浸泡 7 天@RT 15 RT 在 125°F / 85% 湿度下浸泡 30 天 15 180°F，浸泡 30 天@125°F / 85% 湿度 15