信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计,如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性,并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W,允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备(-LC 选项)。它们电容只有标准类型电容的一半,因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm,采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求,因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行,并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证,光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
Excelitas致力于严格的制造和质量系统,我们拥有持续的改进文化,包括六个Sigma和精益制造。卓越运营是我们专注于为OEM客户及其客户创造更好结果的先决条件。创建一个更加明亮,更安全,更健康的未来,以全球对质量的承诺开始和结束。
光电子化是吸收高光电离的术语是气体或蒸气分子吸收高能光子的术语,该术语通过气体或蒸气分子具有能量光子,该分子具有电离电位较低或近似于光子离子化电位或近似光子能量的电离电位。这导致源提供的能量电离。这导致该分子的电离。如果在该分子的区域应用了电场。如果将电场应用于离子化的分子物种区域,则产生的电流是离子化的分子物种,那么产生的电流与分子在样品环境中成比例的浓度成正比成比例。这为样本环境提供了一种简单的方法;这提供了一种简单的方法,用于定量分析比源/灯的光子能量低的光子磅,对各种气态或蒸气量的各种气态或蒸气分析的电离潜力低。该技术是源/灯的非破坏性能量。该技术是非破坏性的,因此可以与其他检测器一起使用,以便与其他检测器一起使用以扩展分析。扩展分析。PID灯。对于手持式探测器,RF版本为较小尺寸和低功率驱动电路的需求提供了解决方案。在一般DC操作中是固定安装仪器(例如气相色谱仪)的首选选项,其中需要连续监测,并且可以支持高压电源。Excelitas在RF和DC版本中都为标准设计制造了广泛的PID灯。客户也可以从我们的设计专业知识中受益,因为Excelitas技术团队可以与OEM合作设计和制造产品,以达到其特定的维度和性能要求。
传奇csac = microchip sa.45s csac tcsac = teededene csac(初步)cpt = chengdu spaceon cpt nac = accubeat rb nac1 iqrb1 = iqrb1 = iqd iqd iqrb-1 SRS PRS10 LP = Spectratime low profile Rb AR133A = Accubeat AR133A Rb miniRAFS = Spectratime miniRAFS IQRB2 = IQD IQRB-2 5669 = FEI FE-5669 Rb FS725 = SRS FS725 RAFS = Excelitas space RAFS iRAFS = Spectratime iSpace RAFS CsIII = Microchip CBT 4310B CsIII FEI RAFS = FEI RAFS 5071A = Microchip 5071A CBT OPC = Chengdu Spaceon TA1000 OPC c-Rb = Spectradynamics cold Rb c-Rb PHM = T4Science pHMaser 1008 mu = Muquans cold-atom MuClock (preliminary) MHM = Microchip MHM 2010 H Maser Vremya = Vremya VCH-1003M H Maser T4 = T4Science Imaser-3000 H Maser
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。此结构在 400 nm 和 1000 nm 之间提供高响应度,并在所有波长下提供极快的上升和下降时间。器件的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。C30902SH 系列硅 SPAD 提供极低的噪声和大暗电流,可实现非常高性能的数据和距离测量。它们特别适合超低光照水平检测应用(例如单光子计数和量子通信),适用于光功率小于 1 pW 的情况。C30902SH 可在线性模式(V OP < V BD )下使用,典型增益为 250 或更高,或在“盖革”模式(V OP > V BD )下使用,具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比。在此模式下,无需放大器,单光子检测概率最高可达约 50%。为了获得更高性能,这些高性能 SPAD 可配备单级或双级热电冷却器。
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。这种结构在 400 nm 和 1000 nm 之间具有高响应度,并且在所有波长下都具有极快的上升和下降时间。该设备的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。探测器芯片密封在改进的 TO-18 封装中的平板玻璃窗后面。光敏表面的有用直径为 0.5 毫米。C30921EH 采用光导管 TO-18 封装,可将光从聚焦点或直径达 0.25 毫米的光纤高效耦合到探测器。密封的 TO-18 封装允许将光纤连接到光导管末端,以最大限度地减少信号损失,而不必担心危及探测器的稳定性。 C30902EH-2 采用密封 TO-18 封装,内嵌 905nm 通带滤波器,C30902BH 采用密封球透镜,构成了 C30902EH 系列。C30902 APD 系列还具有单光子 APD (SPAD),可在盖革模式和线性模式下以更高的增益运行。有关更多信息,请参阅我们的 C30902SH 数据表。
OmniCure ® AC8-HD 系列产品将空气冷却 UV LED 固化提升到新的水平。这些系统可提供出色的高光剂量,并采用专利技术设计,可在整个照射区域实现无与伦比的输出均匀性。这些装置提供三种标准固化宽度 - 6 英寸 (150 毫米)、9 英寸 (225 毫米) 和 12 英寸 (300 毫米),可以连接起来定制并实现无数固化尺寸,而不会影响均匀性。Excelitas Technologies 的专利工艺用于处理单个 UV LED 模块输出,不仅可以在整个固化区域实现出色的均匀性,而且还使客户能够定制输出并受益于更严格的过程控制。AC8-HD 系统可提供超过 15W/cm 2 的峰值辐照度,剂量是标准 AC8 系列产品的两倍,使这些系统成为需要高剂量应用的理想选择。凭借高 UV LED 输出,AC8-HD 系列可以支持更广泛的应用,并提高处理速度。 AC8150P-HD、AC8225P-HD 和 AC8300P-HD 具有 385nm、395nm 和 405nm 波长,还提供 RS485 功能,以实现更大的灵活性和易于集成。
2025 年非 GAAP 每股收益预期为 21.10 美元至 21.50 美元,其中包括 Micropac 但不包括 Excelitas Teledyne 今天公布 2024 年第四季度净销售额为 15.023 亿美元,而 2023 年第四季度的净销售额为 14.25 亿美元,增长 5.4%。2024 年第四季度的净销售额包括 1730 万美元的收购增量净销售额。2024 年第四季度归属于 Teledyne 的净收入为 1.985 亿美元(每股 4.20 美元稀释收益),而 2023 年第四季度为 3.231 亿美元(每股 6.75 美元稀释收益),下降 38.6%。 2024 年第四季度包括 4970 万美元的税前收购无形资产摊销费用、5250 万美元的税前非现金商标减值、150 万美元的税前交易和整合成本以及来自 FLIR 收购相关税务事项的 1660 万美元所得税收益。不包括这些项目,2024 年第四季度归属于 Teledyne 的非 GAAP 净收入为 2.609 亿美元(每股摊薄收益 5.52 美元)。2023 年第四季度包括 4860 万美元的税前收购无形资产摊销费用、300 万美元的税前交易和整合成本以及来自 FLIR 收购相关税务事项的 1.022 亿美元所得税收益。不包括这些项目,2023 年第四季度归属于 Teledyne 的非 GAAP 净收入为 2.605 亿美元(每股摊薄收益 5.44 美元)。 2024 年第四季度的营业利润率为 15.8%,而 2023 年第四季度为 19.1%。除上述项目外,2024 年和 2023 年第四季度的非 GAAP 营业利润率均为 22.7%。
电子束光刻:根据应用,将电子束光刻胶 (950K PMMA A4,MicroChem) 旋涂至 270 nm-330 nm 的厚度。接下来,在顶部热蒸发 20 nm Au 的导电层,以避免光刻过程中电荷积聚。为了进一步减轻充电效应,我们使用了相对较低的束电流 (0.3 nA)、多通道曝光 (GenISys BEAMER) 和减少电子束在一个区域持续停留时间的写入顺序。光刻胶的总曝光剂量为 1200 uC/cm2,电压为 100 kV (Raith EBPG5000 plus)。曝光后,我们用 TFA 金蚀刻剂 (Transene) 去除导电层,并在 7 C 的冷板上将光刻胶置于 1:3 MIBK:IPA 溶液中显影 90 秒,然后用 IPA 封堵 60 秒,再用 DI 水冲洗。原子层沉积:在进行 ALD 之前,我们在 ICP RIE 工具 (PlasmaTherm Apex) 中使用 10 sccm O2 和 50 W ICP 功率进行三秒等离子曝光,以去除残留聚合物。使用此配方,PMMA 蚀刻速率约为 2.5 nm/s。对于 TiO 2 沉积,我们使用商用热 ALD 室 (Veeco/Cambridge Savannah ALD)。使用四(二甲酰胺)钛 (TDMAT) 和水在 90 C 下沉积非晶态 TiO 2,交替脉冲分别为 0.08 秒和 0.10 秒。沉积期间连续流动 100 sccm N 2,前体脉冲之间的等待时间为 8 秒。沉积速率通常为 0.6 A/循环。 ICP 蚀刻程序:我们通过氯基 ICP RIE 蚀刻(PlasmaTherm Apex)去除过填充的 TiO 2,基板偏压为 150 W,ICP 功率为 400 W,Cl 2 为 12 sccm,BCl 为 8 sccm。蚀刻速率通常为 1.5-1.7 nm/s。SEM 成像:在 5 nm Cr 导电层热沉积后,使用 Carl Zeiss Merlin FE-SEM 对纳米光子结构进行成像。FDTD 模拟:使用 Lumerical 有限差分时域软件模拟环形谐振器、光子晶体腔和光栅耦合器。透射光谱:我们使用自制的共焦显微镜装置,该装置具有独立的收集和激发通道,以进行透射光谱。脉冲超连续源 (430-2400 nm,SC-OEM YSL Photonics) 和光谱仪 (1200 g/mm,Princeton Instruments) 用于宽带测量。为了对单个腔体谐振进行高分辨率扫描,我们使用 50 kHz 线宽、可调 CW 激光器 (MSquared) 进行激发,并使用雪崩光电二极管 (Excelitas) 进行检测。金刚石膜:通过离子轰击 34 生成 500 nm 厚的金刚石膜,并在阿贡国家实验室通过化学气相沉积进行覆盖。在对离子损伤层进行电化学蚀刻后,去除悬浮膜并用 PDMS 印章翻转。然后使用 ~500 nm 的 HSQ 抗蚀剂将它们粘附到 Si 载体上,并在氩气中以 420 C 的温度退火 8 小时。最后,使用 ICP 蚀刻法将膜蚀刻至所需厚度,蚀刻气体为 25 sccm Ar、40 sccm Cl2、400 W ICP 功率和 250 W 偏压功率。蚀刻速率通常为 1.2-1.4nm/s。
姓名 收件人 地址 1 地址 2 城市 州 邮编 国家/地区 Adhawk Microsystems 收件人:法律部 410 Albert St Unit#102 Waterloo On N2L 3V3 加拿大 Air Product Canada Ltd 收件人:法律部 185 Corkstown Road Nepean On K2H 8V4 加拿大 Angstrom Power 收件人:法律部 Unit 106 West First St. Noan Vancover Bc V7P 3N4 加拿大 Bennett Jones LLP 收件人:法律部 4500 855 2 Street SW Calgary Ab T2P 4K7 加拿大 Cmc Microsystems 收件人:法律部 1055 Princess Street Suite 301 Kingston On K7L 1H3 加拿大 Cyrium Technologies Incorporated 收件人:法律部 50 Hines Road Suite 100 Ottawa On K2K 2M5 加拿大 DA-Integrated 收件人:法律部 3 Iber Road Ottawa On K2S 1E6 加拿大 DALSA Semiconductor Inc. 收件人:法律部 18 boul. de lAeroport Bromont Qc J2L 1S7 加拿大 Delphax 收件人:法律部 5030 Timberlea Blvd. Mississauga On L4W 2S5 加拿大 Digico Fabrication Electronique Inc Amitkumar Patel Amitkumar Patel 950 Rue Bergar Laval Qc H7L 5A1 加拿大 Digitho Technologies Inc. 收件人:法律部 51 DAlma Granby Qc J2H 2B1 加拿大 D-Wave Systems Inc 收件人:法律部 3033 Beta Ave Burnaby Bc V5G 4M9 加拿大 Eg&g 加拿大 收件人:法律部 22001 Dumberry Vaudreuil Qc J7V 8P7 加拿大 Eis Polifibra Toronto 收件人:法律部 6 Melanie Dr Brampton On L6T 4K9 加拿大 Electronic Direct Inc. 收件人 Gus Lamer Gus Lamer 102 Chemin du Tremblay Pointe-Claire Qc J4B 6Z6 加拿大 Escher-Grad Inc 收件人:法律部 5643 Ferrier Street Montreal Qc H4P 1N1 加拿大 Excelitas Canada Inc 收件人:法律部 22001 Dumberry Vaudreuil-Dorion Qc J7V 8P7 加拿大 Fiso Technologies 收件人:法律部 500 Avenue St-Jean-Baptiste Bureau 195 Quebec Qc G2E 5Rp 加拿大 Future (Canada) Electronics Inc. 收件人:法律部 237 Hymus Blvd Pointe-Claire Qc H9R 5C7 加拿大 Gennum Corporation 收件人:法律部 970 Fraser Dr. Burlington On L71 5P5 加拿大 Gennum Corporation 收件人:法律部 PO Box 489 Station A Burlington On L7R 3Y3 加拿大 Gentec Electro Optics 收件人:法律部 445 St Jean Baptiste Suite 160 Quebec Qc G2E 5N7 加拿大 Great Western Chemical Co 收件人:法律部185 Corkstown Road Nepean On K2H 8V4 加拿大 Group Telplus Inc. 收件人:法律部 330 Rue St-Vallier Est Bureau 332 Santa Clara G1K 9C5 加拿大 Icspi Corp 收件人:法律部 248 Corrie Cres Waterloo On N2L 6E1 加拿大 Jatom Systems Inc. Stephen Smith 99 Michael Cowpland Dr Kanata On K2M 1X3 加拿大 Mc Gill University 收件人:法律部 840 Dr. Penfield Ave 3rd Floor James Ferrier Bldg Montreal Qc H3A 1A4 加拿大 Mcmaster University 收件人:法律部 1280 Main St W Hamilton On L8S 4M3 加拿大 Micralyne 收件人:法律部 1911-94 Street Edmonton Ab T6N 1E6 加拿大 Mitel SCC 收件人:法律部 18 Boul. De LAeroport Bromont Qc J2L 1S7 加拿大 Monoc Capital Ltd. 收件人股东 2816 Highbury St Vancouver Bc V6R 3T6 加拿大 MPIQC Inc. Nicholas Sakkas 550 Campbell St Cornwall On K6H 6T7 加拿大 Northern Telecom Limited 收件人:法律部应付账款 PO Box 3511 Station C Ottawa On K1Y 4H7 加拿大 PerkinElmer Canada Inc. 收件人:法律部 22001 Dumberry Vaudreuil Qc J7V 8P7 加拿大 PFC Flexible Circuits Limites 收件人:法律部 11 Canadian Road Unit 7 Scarborough On M1R 5G1 加拿大 Photonic Inc 收件人:法律部 Unit 2-169 Golden Drive Coquitlam Bc V3K 6T1 加拿大 Potentia Semiconductor 收件人:法律部 50 Hines Road Ste. 240 Kanata On K2K 2M5 加拿大 Preciseley Microtechnology Corp. 收件人:法律部 8577 Commerce Court Burnaby Bc V5A 4N6 加拿大 Promeg Eniviro 收件人:法律部 8042 Winston Street Burnaby Bc V5A 2H5 加拿大 Quantum5X Systems Inc. 收件人 James Sangirov Julie Demers 30 Adelaide St. North Suite 101 London On N6B 3N5 加拿大 Ranovus Inc 收件人:法律部 11 Hines Rd Ste 101 Ottawa On K2K 2X1 加拿大 Rbc Dominion Securities Inc Itf Gordon L Roberts PO Box 50 Royal Bank Plaza Toronto On M5J 2W7 加拿大 Renesas Electronics Canada Limited 收件人:法律部 603 March Road Ottawa On K2K 2M5 加拿大 Rocky Mountain 收件人:Michael Finot 1964 Adamson Terrace SW Edmonton Al T6W 2N7 加拿大 Selcom Industries Inc. 收件人 Sandra Lind Sandra Lind 112-3011 Underhill Avenue Burnaby Bc V5A 3C2 加拿大 Selcom Industries Inc. Sandra Lind 7475 Kilrea Cres Burnaby Bc V5A 3N8 加拿大 Simpler Networks 收件人:法律部 1840 Transcanada Suite 100 Dorval Qc H9P 1H7 加拿大