图 3. (a) XRD 和 (b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像,在 GC 电极上电沉积 HKUST-1,施加 -1.4 V 的恒定电位(相对于 Ag/AgCl)7200 秒。倒角立方体的平均直径为 855 ± 65 nm。图 (b) 显示略微缩小的图像,图 (cd) 显示电极上不同位置的放大图像。
图3。(a)XRD和(b)扫描电子显微镜(SEM)图像在GC电极上进行电沉积的Hkust -1,在施加-1.4 V与AG/AGCL的恒定电势持续7200 s时。倒角立方体的平均直径为855±65 nm。图(b)显示了稍微放大的图像,图(C-D)显示了电极上不同位置的放大图像。
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