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利用机器学习潜力拓展量子计算在材料科学领域的应用范围
解决电子结构问题代表了量子计算机的一个有前途的应用领域。目前，人们投入了大量精力设计和优化近期量子处理器的量子算法，目的是使用有限的量子资源在选定的问题实例上超越经典算法。这些方法仍有望具有防止大规模和批量系统量子模拟的运行时间。在这项工作中，我们提出了一种策略，使用在量子模拟数据上训练的机器学习潜能将量子计算方法的范围扩展到大规模模拟。在当今的量子环境中应用机器学习潜能的挑战来自于影响电子能量和力的量子计算的几种噪声源。我们研究了选择各种噪声源的机器学习潜能的可训练性：统计、优化和硬件噪声。最后，我们从实际 IBM Quantum 处理器上计算的氢分子数据构建了第一个机器学习潜能。这已经使我们能够执行任意长且稳定的分子动力学模拟，优于所有当前分子动力学和结构优化的量子方法。
学习恢复和扩展学习计划
随着学年的结束，危机显然还会持续，我们需要以不同的方式思考 2020-2021 学年。经过深思熟虑的规划，克利夫兰艺术与社会科学学院为家庭提供了三种学习选项，无论学生的年级如何，这些选项都在开学第一天实施。这三个选项让家庭能够考虑学生的健康状况、他们对社区当前 COVID-19 状况的适应程度、他们在家促进学习的能力或兴趣以及许多其他重要因素。家庭被要求在开学前做出选择，并继续采用这种方式直到第一学期结束。我们的学校领导团队可以随时满足家庭更改选项的请求。如果学校的健康状况发生变化，或州长颁布了关闭命令，所有学生都可以立即转向选项 3。
学习恢复和扩展学习计划
从 2020 年 3 月开始，由于 COVID-19 疫情，美国和世界的教育发生了巨大变化。随着学年的结束，危机显然会持续下去，我们需要以不同的方式思考 2020-2021 学年。经过深思熟虑的规划，刚刚重新开学的乔治·沃伊诺维奇高中为家庭提供了一个虚拟选项，无论学生的年级如何，该选项在开学第一天实施。这让家庭能够考虑学生的健康状况和他们对社区当前 COVID-19 状况的适应程度，以及他们在家学习的能力或兴趣以及许多其他重要因素。已入学的家庭被告知，我们将全年采用虚拟形式。
扩展生产者的责任和贸易流量
在关于国际废物贸易的辩论中，对资源效率和回收利用的关注逐渐开始伴随着否定环境外部性的关注。在这种情况下，我们研究了扩展生产者责任（EPR）对废物蝙蝠出口（WB）的影响。EPR被认为是“废物市场化”的关键政策。另一方面，WB是一种危险废物，也含有高浓度的关键原材料。因此，它们对于恢复关键资源的战略重要性，同时需要适当的环境管理。因此，对于处理WB的情况以及如何影响相关策略的情况至关重要。我们的结果基于重力框架中的差异差异模型，在EPR实施与其他废物的趋势相结合后，WB出口显示出一致的增加。此结果可能是间接的
边缘扩展的曲折石墨烯Nanoribbons的地下合成
石墨烯纳米纤维（GNR）由于通过边缘结构和色带宽度的变化来精确调整电子性能的潜力，因此在纳米电子学上引起了显着关注。然而，GNR与高度渴望的锯齿形边缘（ZGNR）的合成，对旋转和量子信息技术至关重要，仍然具有挑战性。在这项研究中，提出了用于合成一类称为边缘延伸ZGNRS的新型GNR类的设计主题。此基序可以定期沿曲折边缘的边缘扩展进行控制。与融合到功能区轴交替侧面的双斜烯单元的特定GNR实例（3- Zigzag行宽的ZGNR）的合成。 所得的边缘延伸的3-ZGNR使用扫描探针技术以其化学结构和电子性能进行了全面的特征，并取决于密度功能理论计算。 此处展示的设计主题为综合各种边缘扩展的ZGNR范围开辟了新的可能性，扩大了GNR的结构景观，并促进了其结构依赖性电子特性的探索。与融合到功能区轴交替侧面的双斜烯单元的特定GNR实例（3- Zigzag行宽的ZGNR）的合成。所得的边缘延伸的3-ZGNR使用扫描探针技术以其化学结构和电子性能进行了全面的特征，并取决于密度功能理论计算。此处展示的设计主题为综合各种边缘扩展的ZGNR范围开辟了新的可能性，扩大了GNR的结构景观，并促进了其结构依赖性电子特性的探索。
扩展数据图1. 使用RFdiffusion设计β链配对支架。为了充分利用RFdiffusion的多样化生成潜力，同时
扩展数据图 1. 使用 RFdiffusion 设计 β 链配对支架。为了充分利用 RFdiffusion 的多样化生成潜力，同时鼓励在设计输出中使用 β 链界面，我们实现了一种界面调节算法，该算法可根据简单的用户输入生成 SS/ADJ 调节张量。该模型以张量的形式理解折叠调节，这些张量标记每个残基（a，顶部和左侧）的二级结构（蓝色）以及这些二级结构块的邻接关系（a，黄色中心）。用户指定的参数指定了以下信息：结合剂界面二级结构块（在本例中为 β 链）、该块的长度（b，结合剂张量 L 中的青色块）以及结合剂块相邻的靶位残基（b，靶位张量 T 中的青色块）。根据这些预定义参数，该算法随机采样结合剂界面二级结构块在残基索引空间中的位置，同时保持与指定靶位残基的确定邻接关系（绿色）。该用户定义的调节张量将扩散输出导向β链配对的结合物-靶标界面 (c)。此前，RFdiffusion 界面设计计算可以针对指定为靶标“热点”的特定残基，以指定要结合的靶标残基。而这种新的链间 SS/ADJ 调节功能，使用户能够在结合物支架生成过程中指定“β链热点”或“ɑ-螺旋热点”。基于扩展的结合物-靶标 SS/ADJ 张量调节的结合物支架输出，支持用户指定 β 链界面类型的设计。
240V扩展电池模块（EBM），用于选择Eaton 9px G2 UPS系统，3U机架/塔
备用电池模块可为您兼容的Eaton UPS系统延长运行时，9PXEBM240RTG2与Eaton的9px8kg2，9px8ktf5g2，9px11kg2，9px11ktff5g2，9px11ktff5g2，9px11ktff5g2，9px11ktff5g2，9px11ktf5g2，9px111111111111111M11mbtff5g2，和9pfff5g2，和9pfff5g2，和9pfff5g2，和9pfff5g2，和9pfff5g2，以及UPS系统。它也可以通过雏菊链，最多可以使用12个自动检测的电池组，以提供更长的延长运行操作。带有高电流直流连接器的重规格电缆可用于安全，简单的安装。
25 GBAUD 850 nm VCSEL，用于延长温度范围
I.在高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中，垂直腔表面发射激光器（VCSEL）是高速和功率的高速和功率短次光学互连（OIS）的首选光源[1]。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络[2]和光网络，需要在温度较大的范围内运行，例如从-40到125°C。VCSEL是OI温度敏感的组件，成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作，因此需要在温度依赖性降低的VCSEL上，在温度范围更大的情况下运行。在高温下降低温度依赖和改善的VCSER性能也将使基于VCSEL的光学收发器在高性能计算系统中的共包装受益[3]。
花菌质量hominis颅内脓肿，该脓肿是通过扩展文化获得的特征菌落诊断的：病例报告和文献综述
植菌花（M. hominis）会引起泌尿生殖器感染和与妊娠有关的并发症。由于h. hominis感染引起的颅内脓肿的报道很少见。在这里，我们报告了一场交通事故后被送往我们医院的交通事故后（第0天）。患者，一个70年代的男人，进行了膀胱摄影，并插入了尿道导管。在第三天，患者进行了脑血肿疏散，在第七天，患者发烧后，服用了静脉炎头和万古霉素。在第10天，由于持续发烧，抗生素切换为MeropeNem和Vansomycin。在第17天，磁共振成像揭示了大脑和硬膜外脓肿，并进行了脓肿的排水。革兰氏染色显示出许多多形核白细胞，但没有可见的微生物。在接种培养的两天后，第19天，在血琼脂上观察到微小的精确菌落。从这些菌落中对16S rRNA基因的测序揭示了hominis的存在。在第27天，将治疗改为左氧氟沙星和克林霉素，以治疗由himinis造成的颅内脓肿。抗生素治疗持续52天，直到脓肿消失。未观察到复发。当怀疑细菌是颅内脓肿的原因时，患有himinis感染的风险，革兰氏染色并未显示出任何微生物，考虑到hominis M. hominis是一种病原体，进行扩展的培养很重要。
降低了延长的期限LED的表面重组，朝向电致发冷却的Krabben，L.M。van der； Gruginskie，n。埃尔登（Eerden），马顿·范（Maarten Van）；
摘要：iii-v半导体发光二极管（LED）是证明电致发冷却的有前途的候选人。但是，异常高的内部量子效率设计对于实现这一目标至关重要。可以防止基于GAAS的设备中统一内部量子效率的重要损失机制是周长侧壁的非辐射表面重组。为了解决此问题，提出了非常规的LED设计，其中从中央电流注入区到设备周边的距离延长了，同时保持恒定的前触点网格大小。这种方法有效地将周长移动到电流密度10 1-10 2 A/cm 2的电流密度以外的横向扩散。在P - I-N GAAS/INGAP双重杂结LED中，用不同尺寸和周长扩展制造的LED，通过将外周向接触距离从250μm扩展到250μm的前触点尺寸，可实现19％的外部量子效率。利用内部开发的光子动力学模型，估计内部量子效率的相对相对增加为5％。这些结果归因于由于较低的周边面积（p/a）比，周长重组的重组显着降低。但是，与通过增加LED的前触点网格大小来降低P/A比相反，目前的方法可以改进这些改进，而不会影响前触点网格下显微镜活性LED所需的最大电流密度。这些发现有助于在LED中进行电致发冷却的进步，并可能在其他专用的半导体设备中有用，在这些专用的半导体设备中，在外围重组是限制的。关键字：电致发冷却（ELC），微型LED（发光二极管），III-V半导体，电流扩散，周边重组，表面钝化