XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemFDS
在FDSOI 28 nm和BICMOS 55 nm
摘要 - 本文的上下文是低功率应用：RF能量收集。在本文中，我们比较了用两种不同的技术实现的两个迪克森电压直流的性能：FDSOI 28 nm和BICMOS 55 nm。两种技术中二极管的I-V特性的测量表明，与BICMOS相比，FDSOI显示出较小的阈值电压和泄漏电流较小。也通过测量结果确定，用FDSOI实现的直接效力的效率优于使用BICMOS获得的直径的效率。此外，研究了后门极化（BGP）在FDSOI中的影响，并提出了新型的动态BGP。在FDSOI中实现了44％的功率转化效率（PCE），而BICMO中观察到37％的PCE。
FDSOI 技术中关键路径老化的活动感知预测
摘要 — 现代 CMOS 技术（例如 FDSOI）受到严重老化效应的影响，这种老化效应不仅取决于与纳米级技术相关的物理问题，还取决于电路环境及其运行时活动。因此，很难为关键路径估计建立可靠的先验保护带，通常会导致较大的延迟损失（从而导致性能损失）或过短的工作寿命。在本文中，我们提出了一种使用机器学习技术的方法来获得近关键路径老化的可靠预测。从一组有限的测量和模拟数据开始，我们的框架能够根据物理参数、环境条件和电路活动准确估计关键路径延迟随时间下降的情况。此外，还应用相应的回归模型来获得动态老化感知的操作性能点选择策略。
深低温下 FDSOI 器件的 TCAD 模拟
摘要 — 本文证明了在深低温下 FDSOI 器件 TCAD 模拟的可行性。为此，麦克斯韦-玻尔兹曼载流子统计被具有 3D 态密度的费米-狄拉克积分的解析近似所取代。通过求解二维泊松方程来研究器件静电，而使用漂移扩散模型模拟传输。我们探讨了温度对线性和饱和区器件性能的影响以及短沟道效应的影响，这些影响考虑了各种栅极和间隔物长度、室温和深低温。最后，将得到的结果与一些实验数据进行了比较，强调了 TCAD 模拟在提供器件物理和性能见解方面的作用。关键词 — 低温电子学、FDSOI、TCAD 模拟
FDSS/μCELL 动态平板成像仪 C13299
具有从荧光到发光的宽灵敏度范围的高灵敏度/高速相机。作为荧光/发光板成像仪，可高通量地执行各种测定。由于微孔板的所有孔都是同时读取的，因此在添加底物后，荧光指示剂或孔间测量没有时间滞后。要测量快速荧光动力学，可以使用高速数据捕获功能（可选）以最多 5 毫秒的间隔捕获数据。当需要在短时间内采样时，例如使用高速电压敏感荧光染料和评估 iPS 细胞衍生的心肌细胞时，它是有效的。对于荧光和发光的测量，通过 FRET 和 BRET 等能量转移进行双波长测量是离子通道和蛋白质动力学分析的有效方法。通过安装在传感器前面的荧光滤光片转换器，可以高通量地进行双波长测量。
FDS2.pdf
序言：如何使用本文件 所有申请人及其机构在填写及提交本计划申请前，应仔细阅读本计划概述及指南（指南）。 如你的申请不符合本指南所列的任何要求，研究资助局（RGC）可停止进一步处理你的申请。 申请人亦应阅读征集建议书以了解教师发展计划（FDS）的详情，并参考 RGC 网站上的“本地自资学位界别竞争性研究资助计划的拨款、会计及监察安排指引”（SF-DAMA）。 本指南分为两部分：第 1 部分总结有关该计划的关键信息，而第 2 部分的结构与申请表各部分相似，并逐节指导如何填写申请文件。如欲查询本指引的内容及其他与基金资助计划资助事宜（包括上诉及投诉），请联络各院校的研究统筹主任或负责人员。处理提交予研资局的申请书所载资料及个人资料的指引载于附件 A。申请人如需要更多有关内部截止期限、申请程序或填写申请表的协助，可联络其院校的研究统筹主任或负责人员。 第一部分 — 计划概览 计划目的 1. 基金资助计划旨在发展本地自资学位颁授院校个别学术人员的研究能力，使他们能将研究经验和新知识转化用于教学。我们期望首席研究员能提供可转化为教学的知识进步以及研究界感兴趣及／或有价值的见解，包括出版物、专利等。
食品科学技术（FDST）
fdst 405食品微生物学交叉列表：BIOS 445，BIOS 845，FDST 805先决条件：BIOS 312注释：Bioc 401或Bioc 431推荐描述：自然，生理和食物中微生物的相互作用。食品传播疾病的简介，食品加工系统对食物菌群的影响，食物保存原理，食物变质和微生物产生的食物。食品植物的卫生和制定食品微生物标准的标准。学分：每学期最高学分：每学位最高学分3个学分：3个评分选项：提供选项的分级：秋季/SPR的先决条件：BIOS 446，BIOS 846，FDST 406，FDST 806； FDST 424，FDST 824; FDST 425，FDST 825; FDST 455L，FDST 855L，MBIO 455L; FDST 460，FDST 860; FDST 867; FDST 875; FDST 877; FDST 908B
案例1：22-CV-122052-FDS文件146提交08/19/24 ...
3在2024年1月10日，《光子规则30》（b）（6）在马萨诸塞州的代表中，Photon的律师指示Ramakrishnan不要回答与主题8和9有关的问题。案卷号57-5在7-8。 收购随后提出强迫此类证词，本法院允许的证词。 Docket No. 55，64。 Photon拒绝让目击者再次在马萨诸塞州提供，并坚持认为该沉积是在德克萨斯州进行的。 案卷号 78在2-3。57-5在7-8。收购随后提出强迫此类证词，本法院允许的证词。Docket No.55，64。Photon拒绝让目击者再次在马萨诸塞州提供，并坚持认为该沉积是在德克萨斯州进行的。案卷号78在2-3。78在2-3。
用于量子计算的 FDSOI 平台 | Quobly
以及在 V GT = V GS – V TH = 200mV 时本征电压增益（AV = gm /g D ），对于具有不同尺寸（沟道长度 L 和宽度 W）的器件，工作在 300K（RT，红色）和 4.2K（LT，蓝色）。由于 gm 主要由有效迁移率 (µ eff ) [8] 决定，因此对于长 L 器件，测得的 RT 和 LT 增加了 3-5 倍，具体取决于 W。另一方面，g D 的行为由 µ eff 和沟道长度调制的组合决定。由于 gm 和 g D 都与 µ eff 成正比，因此迁移率效应不会反映在 A V 中。随着 L 在 300K 和 4.2K 时的增加，较长 L 的短沟道效应 (SCE) 的降低会改善 g D ，从而改善 AV 。我们观察到的 AV 随 T 的微小差异可以用 SHE 来解释，这将在后面讨论。对于 L = 150nm，我们测量了 LT 和 RT 处的电压增益约为 39dB，这与 FDSOI [9] 的报告值相当。
MFDS的监管更新 - 大韩民国
•经常询问有关U-Healthcare医疗设备的审查和批准的问题（2023年10月）•将物理和化学表征纳入技术文档的指南（2023年12月）•考虑到体外诊断的临床表现指南（2023年12月）•针对安全，绩效评估和数字疗法的临床试验和DIVED AD DIVERIDES（DECH）
