• FEOL 采用现成的代工工艺制造集成电路 • BEOL 采用 SoP 制造,具有超薄、灵活和背面功能 • 包括精密电阻器、电容器、电感器 • 能够包含灵活的光子硅波导(美国专利 9,733,428) • 堆叠金属层之间的高密度互连 • 精确的尺寸公差简化了 IC 键合和连接 • 半导体材料与硅 IC 的 CTE 相匹配 • 顶部和底部表面均具有高密度互连
ICPT 作为平面化/CMP 的国际研讨会,为讨论包括 FEOL 和 BEOL CMP、3D/TSV、CMP 基础、抛光工艺、耗材、设备、绿色设备、新应用、计量、清洁、缺陷控制、工艺控制、CMP 替代品、SiC、GaN、蓝宝石和钻石在内的技术提供了绝佳的机会。会议为研究人员和工程师提供了一个会面、讨论和分享各自知识领域经验的地方。无论演讲者来自哪个国家或组织,担任什么职位,或在哪个技术领域积累了经验或成为专家,都希望在平等的基础上进行热情洋溢的演讲和讨论,就像晶圆表面一样平坦。
• 基本 FEOL 可靠性:栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada,TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch,Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei,IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner,可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen,Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky,英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran,Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh,博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战:从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra(印度理工学院,孟买)和 Muhammad Ashraf Alam(普渡大学)• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal,大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens,安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick,英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee,台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb,NVIDIA • 相变存储器:从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis,IBM • 系统可靠性 - Geny Gao,博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman,IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell,汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge,IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas,英特尔
• 基本 FEOL 可靠性:栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada,TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch,Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei,IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner,可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen,Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky,英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran,Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh,博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战:从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra(孟买印度理工学院)和 Muhammad Ashraf Alam(普渡大学) • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal,大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens,安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick,英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee,台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb,NVIDIA • 相变存储器:从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis,IBM • 系统可靠性 - Geny Gao,博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman,IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell,汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge,IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas,英特尔
EDFAS终身成就奖旨在表彰那些赋予电子设备故障分析行业促进时间,知识和能力的人。2023年获奖者是戴维·艾伯特(David Albert),失败分析工程师,退休,IBM Corp.,Hopewell Jct。戴夫·阿尔伯特(Dave Albert)在IBM工作了42年后于2021年退休。在他职业生涯的大部分时间里,他对电子设备进行了故障分析。这些范围从供应商组件IBM购买(离散晶体管,光电,微处理器等)。), to IBM's Analytical Service Group for outside customers (optoelectronics and cable TV industry components), to IBM's Development / Manufacturing Fab (parametric and defectivity test sites covering first Cu metallization and first Silicon-on-Insulator processors, plus memory and logic functional arrays), to IBM's Processor Product Support (Yield, Burn-In, Reliability Stress, and Card / System / Field Returns).在支持IBM的300mm晶圆厂时,Dave是电气表征(产量)组中涵盖Feol,Mol和设备的技术领导。Dave拥有电子和物理学的学位。在他的职业生涯中,他一直参与光学故障隔离,微型探针,SEM成像和材料分析以及纳米探针。这些演变为将功能测试和光学故障隔离结果变成EFA游戏计划,以及解释纳米折射晶体管数据。两次戴夫(Dave)在IBM的失败分析和材料分析区域内两次教授了半导体物理和半导体处理。此外,他还是他的部门和第二级经理的资本设备协调员。戴夫多年来参加了ISTFA和其他会议。他撰写了四篇ISTFA论文,并在另外五篇ISTFA论文中撰写了合着者。Dave当前是教程主持人,并且是用户组演示者。他担任ISTFA的纳米驾驶委员会,目前是主席。Dave还参加了ASM的IMAT会议,他教他的ISTFA教程。去年,戴夫(Dave)在俄亥俄州立大学的失败分析课程中教授微电子失败分析作为一日课。在工作之外,退休后,戴夫喜欢旅行,远足,摄影,严重的拖拉机和传教士。