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Nafeas，生命，FESE和FESE和
摘要：已经提出了许多基于铁的超导体的理论模型，但是通常缺少基于模型的TC计算。We have chosen two models of iron-based superconductors in the literature and then compute the Tc values accordingly: Recently two models have been announced which suggest that superconducting electron concentration involved in the pairing mechanism of iron-based superconductors may have been underestimated, and that the antiferromagnetism and the induced xy potential may even have a dramatic amplification effect on electron-phonon coupling.我们使用散装FESE，生命值和Nafeas数据根据这些模型来计算TC，并测试合并模型是否可以预测纳米结构的FESE单层的超导过渡温度（T C）。为了证实文献中最近宣布的XY电位，我们创建了一个两通道模型，将电子的动力学分别叠加到上下四面体平面。我们的两通道模型的结果支持文献数据。虽然科学家仍在寻找可以描述所有基于铁的超导体的配对机制的通用DFT功能，但我们基于ARPES数据，以提出DFT功能的经验组合，以修改在超导状态中电子 - phonon散射矩阵的经验组合，以确保所有基于铁基于铁的超级超级超级超级电体的超级导向，均在计算中均包含了Inccumcation inccumigation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concuctivation in Concutivection in Concutivection中。关键字：基于铁的超导性我们的计算模型考虑了抗磁磁性的这种放大效果以及对电子散射矩阵的校正以及分层结构的异常软平面晶格振动，这使我们能够计算出对压力的合理性，从而可以计算出对寿命，NAFEAS和FESE的理论值得良好的实验。更重要的是，通过考虑FESE单层与其SRTIO 3底物之间的界面效应，作为附加的增益因子，我们计算出的T C值高达91 K高，并提供了证据，证据表明，在T c范围内，最近在此类单层中观察到的强t c值可以从ARPES范围内的电子中造成100 k的贡献。
多层FESE膜中位错网格的旋转和
了解结构和电子对称性破坏在基于Fe的高温超导体中的相互作用仍然引起了人们的关注。在这项工作中，我们使用分子束外延在一系列厚度中种植了应变的多层FESE薄膜。我们使用扫描隧道显微镜和光谱法研究了电子列区域和空间变化应变的形成。我们直接可视化边缘的形成，从而导致膜中的二维边缘脱位网络。有趣的是，我们观察到位错网络的45度内部旋转是膜厚度的函数，从而沿不同方向产生抗对称应变。这会导致电子列域和反对称应变之间的耦合比不同。最后，我们能够通过揭示两个区域之间差分电导图的较小能量依赖性差异来区分不同的正交列域。这可以通过轨道选择性尖端样本隧道来解释。我们的观察结果为外延薄膜中的脱位网络形成带来了新的见解，并提供了另一个纳米级工具来探索基于Fe的超导体中的电子nematicity。
线粒体在与Desmin突变相关的心肌病的发展中的关键贡献
摘要：异质性超导性发作是Cuprate和基于铁的家族的高-T C超级导管的常见现象。它是由从金属到零抗性状态的相当广泛的过渡表现出来的。通常，在这些强烈的各向异性材料中，超构型（SC）首先显示为孤立域。这会导致t c以上的各向异性过量电导率，并且传输测量值提供了有关样品内部深处的SC结构域结构的宝贵信息。在大量样品中，这种各向异性SC发作给出了SC晶粒的平均形状，而在薄样品中，这也表明SC晶粒的平均大小。在这项工作中，在各种厚度的FESE样品中，测量了层中的和内层的电阻率。为了测量层间电阻率，使用FIB制造了跨层的FESE MESA结构。随着样品厚度的降低，观察到超导过渡温度T C的显着增加：T C在厚度〜40 nm的微生物中从散装物质的8 K提高到12 K。我们应用了分析和数值计算来分析这些数据和早期数据，并发现了FESE中SC域的纵横比和大小与我们的电阻率和Diamamnetic响应测量相一致。我们提出了一种简单且相当准确的方法，用于估计各种小厚度样品中T C各向异性的SC域的长宽比。讨论了FESE中的nematic和超导域之间的关系。我们还将分析公式推广到异质各向异性超级导管中的电导率，以与两个具有相等体积分数的两个垂直方向的细长SC结构域的情况，对应于基于Fe的各种FE基超导体中的nematic结构域结构。
在FESE/PBO X
摘要。在FESE/SRTIO 3中发现了高温超导性，这引发了人们对具有工程界面的新超导系统的重大兴趣。在这里，使用分子束外延生长，我们成功地制造了FESE/PBO X异质结构，并在三个不同的单层FESE相关界面中发现超导性。我们观察到在PBO X的两个不同阶段生长的单层FESE膜中的13〜14 MEV的超导间隙。此外，我们发现了一个新的绝缘Fe 10 SE 9相，具有有序的√5×√5Se-vacancy结构。我们的第一原理计算表明，这个新的绝缘阶段起源于电子相关性。有趣的是，在绝缘Fe 10 SE 9上生长的另外一部单层FESE膜也具有超导性，间隙尺寸为5 meV。我们的结果表明，单层FESE与底物之间的功能差异，可以诱导带弯曲和电荷转移，对于界面超导性至关重要。
通过运输特性研究的FESE中的不均匀超导性发作
抽象肥胖与神经认知功能障碍有关，包括记忆缺陷。当肥胖症在青春期发生时，这尤其令人担忧，这是认知至关重要的脑结构的成熟时期。在啮齿动物模型中，我们最近报道说，在周期期间，通过腹侧海马（VHPC）的化学遗传操纵可以逆转肥胖的高脂饮食（HFD）摄入诱导的记忆障碍。在这里，我们在HFD喂养的雄性小鼠中使用了交叉病毒方法，以使特定的特定的VHPC传播途径在记忆任务期间向伏隔核（NAC）或内侧前额叶皮层（NAC）或内侧前额叶皮层（MPFC）使用。我们首先证明了训练后HFD增强了两种途径的激活，并且我们的化学方法可以有效地使这种激活归一化。VHPC-NAC途径的失活挽救了HFD诱导的识别中的缺陷，但没有位置记忆。 相反，VHPC – MPFC途径的灭活恢复了位置，但没有HFD产生的识别记忆障碍。 操纵途径不影响探索或类似焦虑的行为。 这些发现表明，整个青春期的HFD摄入量通过过度促进特定海马传出途径而损害不同类型的记忆，并且针对这些过度活跃途径具有治疗潜力。VHPC-NAC途径的失活挽救了HFD诱导的识别中的缺陷，但没有位置记忆。相反，VHPC – MPFC途径的灭活恢复了位置，但没有HFD产生的识别记忆障碍。操纵途径不影响探索或类似焦虑的行为。这些发现表明，整个青春期的HFD摄入量通过过度促进特定海马传出途径而损害不同类型的记忆，并且针对这些过度活跃途径具有治疗潜力。
超导铁硒化物的结构演化和相图 ${\rm{L}}{{\rm{i}}_x}{( {{{\rm{C}}_{\rm{2}}}{{\rm{H}}_{\rm{8}}}{{\rm{N}}_2}} )_y}{\rm{F}}{{\rm{e}}_2}{\rm{S}}{{\rm{e}}_2}( {x = 0\sim 0.8} )$
这里我们报道了在很宽的掺杂浓度范围（x = 0 ∼ 0 . 8）下锂和乙二胺插层的 FeSe 的结构和电子相图。未掺杂的 (C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 结晶为正交相。随着锂掺杂的增加，在 x = 0 . 35 处发生正交到四方相变，并且超导四方相一直持续到 x = 0 . 5。同时，发现 T c 强烈依赖于掺杂剂浓度，从 x = 0 . 35 时的 30 K 迅速上升到 x = 0 . 5 时的 45 K。Li 0 . 31(3) (C 2 H 8 N 2 ) 0 . 52(7) Fe 2 的晶体结构。利用高分辨率中子衍射数据分别在 5、60、150 和 295 K 下测定了 FeSe 四面体的形变。在 150 到 295 K 之间，FeSe 四面体的畸变显著增强，同时，在同一温度范围内正常态霍尔电阻率由负转正。在 230 K 以上，电子掺杂的 Li 0.5(C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 中以空穴载流子为主，这表明温度引起的结构畸变可能导致费米面拓扑结构的重构和空穴袋的出现。
II型超导率在PB-BI合金中为9K
图1超导性和异常大厅效应在锂插入的FESE中共存。实验设置的示意图。b温度依赖性电阻在锂插入后的样品S1上的不同触点测量。插图是样品S1的光学图像，在用H-BN上限之前拍摄。𝑅的上指数对应于插图中显示的触点。c和d大厅的电阻是锂插入后同一FESE样品上三对触点的垂直磁场的函数。𝑅表示所使用的触点（如图2b）。它们以150 K（C）和50 K（d）为单位。数据是从原始数据中抗对称的（请参阅方法）。曲线被垂直偏移，以确保清晰。虚线标记不同数据集的零霍尔电阻。箭头指示磁场的横向方向。
S44214-024-00058-0.pdf
抽象的FESE是最神秘的超导体之一。在基于铁的化合物家族中，它具有最简单的化学构成和结构，但是它显示出薄膜的超导过渡温度（T C），跨度为0至15 k，而单晶通常为8 k。一个家族中T C的这种较大变化强调了与理解果雀源性铁的超导性有关的关键挑战。在这里，使用双光束脉冲激光沉积（PLD）方法，我们制造了一种独特的FESE晶状体构成梯度薄膜，该纤维薄膜揭示了原子结构与第一次的超导过渡温度之间的明显关系。在血浆羽流内生成激光梯度的双光束PLD导致单个纤维内边缘位错的分布的连续变化，并且在这里观察到了晶格常数和t c之间的精确相关性，在此观察到，t c∝√c - c –√c - c –√c - c -c c – c c c c c c c c c c c c – is c is C constanty是常量性的constanstant stonstants constants conkentess。与理论研究结合使用的这种显式关系表明，Fe的D Xy轨道的转移在FESE中的nematicition和超导性之间起着相互作用的作用。
跨部门2014年秋季/2015年冬季
助理教授史蒂文·约翰斯顿（Steven Johnston）和他的同事发现，鉴于正确的环境，弱者超导体可以创建记录。这些努力的结果于11月13日在题为“界面模式耦合作为srtio 3中T C增强的起源的自然信中发表。”超导材料没有电势。在看似无限的应用中，当前结果的效率效率：“流动”列车，紧凑型电缆和生物磁技术的超导磁铁只是少数示例。超导性的起源方式并不完全简单，这与电子的行为方式有关。通常，电子互相排斥。然而，有些情况诱使他们配对，清除所有阻力并沿着目前的不受阻碍。这种现象有所不同：有低能（常规）超导体，其中电阻率在39 kelvin或更低的过渡温度下消失。在这里，电子配对是由声子引起的：材料类似晶格的结构中的振动（通常被描述为丛林健身房）。在1980年代中期，高温（或高t c）供应器到达，他们显示出过渡温度的增加。然而，他们如何在第一个地方成为超导，这是一个谜，因为一些思想流派排除了候选人。这是使本文字母更有趣的一部分。
磁振子谱的量子计算
相互作用系统通常以它们的基态和低能激发的特性为特征。例如，在自旋系统中，低能激发的特性将海森堡模型与伊辛或 XY 模型区分开来，即使基态可能相似。在量子材料中，可以通过仔细分类它们的激发来区分各种各样的有间隙系统（由电荷密度波、强关联或超导引起）。低能激发的特性因材料所表现出的物理行为而异。考虑一个绝缘体，其低能行为可以用相互作用的自旋很好地描述。它将表现出与金属费米液体不同的低能激发，而金属费米液体的低能行为可以用电子准粒子很好地描述。此外，不同的探针（如光导率、中子散射或光发射）可以探测系统的不同方面。举一个具体的例子，我们来看看 Fe 基超导体 FeSe 的低能激发。这些激发既可以从自旋（中子）1 的角度观察，也可以从电荷（光学）2 的角度观察。这两种方法都可以提供有关该材料的互补信息。有些多体相互作用系统可以通过分析确定其光谱。在自旋系统中（如 XY 模型），Holstein-Primakoff 3 或 Jordan-Wigner 4 变换会将系统转换为可以立即确定激发光谱的形式。这是因为自旋系统的激发实际上具有费米子特性，而从原始自旋图像中提取这种特性很麻烦。另一种方法是猜测波函数，然后获得激发，例如在 BCS 理论 5 中