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重要的安全信息
1。该产品可与NFPA-101和NEC 700.12一起使用紧急LED照明负载。2。确保所有连接都符合《国家电气法典》或《加拿大电气法规》和任何本地法规。3。为了降低电击的风险，请在维修前断开正常和应急电源。4。此应急驾驶员旨在安装在灯具中或封闭在灯具中，适用于工厂或领域的Innstallation。带有单独电池的紧急驱动器旨在将其封闭在灯具中，适合工厂或场安装。5。该产品适合在潮湿位置使用产品，也适合在密封和垫片中安装。产品不适合加热的空气插座，户外，湿或有害位置。最大允许的外壳温度为65ºC。有关TCASE测量位置，请参见单位标签。6。需要一个无交换的交流电源（120-277 VAC，50/60 Hz）。7。请勿在气体或电加热器附近安装。8。不要尝试为电池提供服务。使用密封的无维护电池，无法替换。与制造商联系以获取服务信息。9。制造商不建议使用配件设备可能会导致不安全的状况。10。除了预期的用途以外，请勿将此产品用于其他产品。11。12。13。14。15。安装和维修应由合格的人员进行。设备应安装在不受未经授权人员篡改的位置和高处。对于加拿大应用程序，输出终端应符合加拿大电代码的可访问性要求。此设备符合FCC规则的第15部分。操作应遵守以下两个条件：（1）此设备可能不会引起有害干扰，并且（2）此设备必须接受任何可能导致不受欢迎操作的干扰。该产品必须接地。有关详细信息，请参见接线图。
首先在1.2 kV SIC MOSFET身体二极管鲁棒性测试
1。上下文SIC MOSFET由于其强劲的损失而广泛用于新应用设计，并且具有高开关频率和高工作温度的功能。与氧化门相关的可靠性问题已经很好地解决，并且已经发表了许多有关阈值电压不稳定性的研究[1; 2]。使用车身二极管避免外部Schottky二极管[3; 4]。在本研究中，对1.2 kV的SIC MOSFET体二极管进行了压力并进行了研究，以确定使用时任何衰老或降解问题。
在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。
具有软短路故障模式的 SiC 功率 MOSFET 中的栅极损伤积累和离线恢复
摘要 – 本文详细分析了特定类型的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 的短路故障机制，该 MOSFET 具有安全的开路故障类型特征。结果基于广泛的实验测试，包括晶体管的功能和结构特性，专门设计用于实现逐渐退化和逐渐累积的损伤。结果表明，软故障特征与栅极源结构的退化和最终部分短路有关。此外，在退化的组件上观察到由临时离线偏置引起的部分恢复。结果表明，这是一种现实的新选择，可在应用中部署，以提高系统级稳健性和系统级跳转运行模式能力，这在许多可靠性关键领域（例如运输）中非常重要。
功率SIC MOSFET设备的失败降解相似性提交到短路应力和加速开关条件
2.2。方法论和实验结果，在每个脉冲之间，将重复的短路测试应用于DUT。测试条件为V ds = 600 V，V缓冲区= -5V/+18V和t情况=室温。已经进行了先前的研究[1，3]，以估计平均T SCWT（短路承受时间），约5 µs。找到了这段时间，设置了脉冲宽度的70％T SCWT（3.5 µs）的百分比。因此，防止热失控，然后防止了灾难性的排水量故障模式。SC中的所有测试设备仅显示栅极源降解。图2，第一个短电路事件（＃Cycle1，蓝线）和最后一个（＃Cycle400，红线）中的波形显示。在栅极电流（I G）上观察到的异常效应（电流凸起）可能是由于PCB（印刷板电路）寄生元件引起的电磁干扰以及相关的共同模式电流。
氯化的双苯基转化，过氧化物酶和氧化酶活性的真菌和细菌从历史污染部位分离出来
I。在超短路通道CMOS节点中，TDDB仍然是关键的可靠性问题，并保证了速度性能和低消耗要求。即使状态应力通常以比州立应力较小的速率降解设备，在毫米波域中RF操作下HBD的限制因素也可能成为毫米波域（5G）[1-3]的限制因素，其中通常相对于用于逻辑应用的电源电压V DD通常可以增加一倍。因此，一旦生成了局部缺陷的临界密度，设备参数漂移可能与软崩溃的相关性显着，可能会触发硬性崩溃到栅极驱动器区域。许多论文从口气压力期间的界面损伤的横向分析中讨论了峰值降解发生在闸门边缘之外。崩溃点发生在间隔区域，并与峰界面损伤相处[4-5]。尽管发现了BD后的离子分解机制，排水管和闸门泄漏电流已达成合理的共识，但发现在排水边缘[6-8]中产生了介电堆栈中的渗透路径。
开发用于基于 16 nm FinFET 的 FPGA 老化测量的高精度和稳定性测试台
本文介绍了一种测试台的开发，用于测量 Xilinx 的 Zynq UltraScale + FPGA 中使用的 16nm FinFET 的老化情况。在设置中选择并实施了环形振荡器 (RO) 漂移测量方法。然而，RO 电路不仅对老化敏感，而且对温度和电压也敏感。为了减轻对温度和电压的不良敏感性，我们安装了一个调节系统来控制 FPGA 的温度和内部电压，并根据温度和电压表征 RO 频率以应用后测量补偿。我们通过使用 GPS 信号作为时间参考改进了测量电路。进行了 1000 小时测试，测试温度为 (T FPGA = 100 ◦ C) ，测试温度为 (V FPGA = V nom + 25%)，结果显示 RO 频率漂移明显低于 0.1%，测量精度为 0.9 × 10 − 4。
食品安全见解和新兴风险
以下是新西兰食品系统感兴趣的公开信息的消化。互联网来源，评论，新闻媒体和科学出版物会定期审查有关变化的事件或迹象，这可能与食物的安全有关。项目的相关性和有效性符合健康，不确定性，未来，成本和信任的广泛标准，对项目进行了筛选和选择。整体收集或包括任何特定项目都不表明新西兰食品安全（NZFS）或新西兰政府政策的认可。每一个效果都是为了确保内容准确地反映了文档页脚中指出的“信息的最后日期”的信息。请注意文本中的超链接，请参阅NZF控制之外的外部Internet资源。读者应在依靠此处或参考网站上摘要的内容之前接受建议。这些信息是为了新西兰食品业务的利益而提供的，并且不构成法律建议或官方方向。食品企业应考虑此信息，并在适当的情况下将学习应用于其食品管理系统。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
省级政府：夸祖鲁 - 纳塔尔社区安全与联络申请：实施在线招聘
省级管理：夸祖鲁 - 纳塔尔社区安全和联络申请：随着在线招聘系统的实施，夸祖鲁 - 纳塔尔省内部任何空缺职位的申请人可能会以以下方式申请：-a）通过STHESHA WAYA -KZN WAYA -KZN WAYA -KZN WAYA -KZN WAYA -KZN WAYA -KZN WAYERES（kzn）通过其Z83和简历直接提交给部门的负责人：社区安全与联络，人力资源管理，私人袋子X9143，Pietermaritzburg，3200，或手工运送到179 Jabu Ndlovu街，Pietermaritzburg。注意：S.S Ngcobo女士的截止日期：2024年2月21日：不需要申请人提交资格和其他相关文件的副本，但必须提交Z83和Vitae的Z83和详细的课程（只有简短的候选人才能提交认证资格，必须在所有非sa公民中提交派生的副本。外国资格必须伴随南非资格批准管理局（SAQA）的评估证书。所有入围的候选人将进行（1）技术练习； （2）诚信评估和（3）有关犯罪记录，公民验证，财务记录，资格验证和申请人的人员适用性检查，可能需要同意访问其社交媒体帐户。在预约之前，将要求候选人完成Nyukela计划：高级管理服务的入学前证书，这是由国立政府学院（NSG）提供的在线课程。对于面试和技术练习后的SMS职位，选拔委员会将建议候选人使用强制性公共服务和管理部（DPSA）SMS SMS能力评估工具参加通用管理能力，然后再提交给执行机构的建议。该课程的名称证书是进入SMS的名称证书，可以从以下链接中获取全部详细信息：https：//www.thensg.gov.za/training-course/sms-pre-entry-programme。成功的候选人将被要求在预约之前完成。所有有关申请的个人数据将根据2013年《保护个人信息法》的规定。