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2D材料提升p型晶体管性能，为未来技术铺平道路
宾夕法尼亚州立大学 (PSU) 的研究人员在阿克利工程科学与力学教授 Saptarshi Das 博士的带领下，开发出了基于二维材料的高性能 p 型场效应晶体管 (FET)。这些晶体管是在《自然电子学》杂志上发表的一篇论文中介绍的，是通过一种制造策略创建的，该策略利用了两种二维材料（即二硒化钼 (MoSe 2 ) 和二硒化钨 (WSe 2 )）的掺杂和厚度控制。
MRC 研究员和主任
表遗传学部分路易斯·阿拉格（LuisAragón）37 Alexis Barr 37教授Amanda Fisher教授38JesúsGil教授38 Petra Hajkova教授（临时董事）39 Harry Leatch 39 Harry Leatch Boris Lenhard教授40 Dr Enrique Martinez-Perez 40 Dr. Mikhail Spivakov 43老师Juan Vaquerias 44 Tobias Dr Warnecke 44 Hegs and NemabolismAndréBrown博士AndréBrown45 Dr Filipe 45老师David Carling 46 HelenaCoochemé博士46老师Stuart Cook 47 Dr Louise Fets 47 Susumu Hirabayashi Dr Louise 89 Iago Vernia 50 James Ware博士50 Dominic Withers教授51
GaN功率器件及应用可靠性
• 每个设备都有需要理解和设计的故障机制 • 高电场导致时间相关击穿 (TDB) • 高电场和热载流子导致电荷捕获 • 切换会导致反向恢复、高压摆率和热载流子磨损带来的应力 • 已知的 GaN 故障模式是切换时间尺度上的 Rds-on 增加。这种动态 Rds-on 增加是由于电荷捕获造成的。 • 可靠性工程包括使 FET 能够可靠地承受应用中的应力
25。电子1 div>的课程规范
II。 课程描述：本课程介绍了原子结构，能带，半导体类型的基本原理和概念，以及如何形成递延类型的电子设备。 第一个要引入的电子设备是二极管，这是最简单的半导体设备，但在电子系统（例如电压整流器，夹具，夹具，夹具，电压乘数电路等）中起着非常重要的作用。 此外，我们将详细研究从结构，操作，参数和特征开始的两种主要类型的晶体管（BJT和FET），II。课程描述：本课程介绍了原子结构，能带，半导体类型的基本原理和概念，以及如何形成递延类型的电子设备。第一个要引入的电子设备是二极管，这是最简单的半导体设备，但在电子系统（例如电压整流器，夹具，夹具，夹具，电压乘数电路等）中起着非常重要的作用。此外，我们将详细研究从结构，操作，参数和特征开始的两种主要类型的晶体管（BJT和FET），
2021 - 2030 年性别平等战略
CGOS 捷克普尔基涅捷克医学会妇产科协会 CCMW 捷克助产士协会 CLF 捷克文学基金会 CNB 捷克国家银行 CNeoS 捷克普尔基涅捷克医学会新生儿学协会 CR 捷克共和国 CDA 捷克发展署 CSMW 捷克助产士协会 CSSA 捷克社会保障局 CZSO 捷克统计局 CSI 捷克学校督察局 FETS 教学人员继续教育 HFS 外交部 EBC 循证护理 EBM 循证医学 EEC 欧洲经济区 EHW 教育、卫生与福利 EIGE 欧洲性别平等研究所 EC 欧盟委员会 EMFF 欧洲海事与渔业基金 ERA 欧洲研究区 ERDF 欧洲区域发展基金 ESF+ 欧洲社会基金 Plus ESI 基金 / ESIF
nnUnetFormer：一种基于 nnUnet 和 Transformer 的多模态 MR 图像脑肿瘤分割自动方法
主要结果：我们通过 5 倍交叉验证在 BraTS 2021 数据集上评估了我们的方法，并取得了优异的性能，Dice 相似系数 (DSC) 为 0.936、0.921 和 0.872，Hausdorff 距离的第 95 百分位数 (HD95) 分别为整个肿瘤 (WT)、肿瘤核心 (TC) 和增强肿瘤 (ET) 区域的 3.96、4.57 和 10.45，在平均 DSC 和平均 HD95 方面均优于近期最先进的方法。此外，消融实验表明，将 Transformer 融合到我们改进的 nnUnet 框架中可以提高脑肿瘤分割的性能，尤其是对于 TC 区域。此外，为了验证我们方法的泛化能力，我们进一步在 FeTS 2021 数据集上进行了实验，并在 11 个看不见的机构上取得了令人满意的分割性能，其中 WT、TC 和 ET 区域的 DSC 分别为 0.912、0.872 和 0.759，HD95 分别为 6.16、8.81 和 38.50。
bq769x2经常询问问题
无需外部处理器。该设备包含一个OTP内存，该内存允许用户控制预设配置，以最佳满足设备电源的需求。2。部分自治：该设备自主检测故障并禁用FET。这会触发到主机设备的中断，并允许主机通过发送诸如0x0093 DSG_PDSG_OFF（）之类的命令来保持FETS禁用，0x0094 CHG_PCHG_OFF（）或0x0095 ALL_FETS_OFF（）。主机决定恢复操作是安全的，主机可以发出0x0096 all_fets_on（）命令以重新启用所有FET。3。手动控制：该设备检测保护故障，并通过警报引脚为主机处理器提供中断。此信息由主机读取，并允许决定是否禁用FET。为了加快关闭期，CFETOFF和DFETOFF引脚可以由主机驱动。之后，主机处理器决定何时安全地恢复操作并可以重新启用FET。
mbc -fet和c- ...
摩尔定律的进步以及电子技术的不断发展和蓬勃发展的发展为综合电路（IC）行业提供了巨大的动力和挑战。[1]最先进的技术已将场效应晶体管（FET）的有效尺寸降低至低于10 nm，甚至均低于5 nm。同时，抑制短通道效应（SCE）并导致州外泄漏电流的增加已成为传统平面转换器的主要技术挑战。[2]创新的设备结构已开发出解决这些问题，包括FinFET，[3,4]全方位的FET（GAAFET），[5–7]多桥通道FET（MBC-FET）和互补的FET（C-FET）。[8-10]通道的增强栅极控制能力导致SCES和电流泄漏减少。finfet已成功地应用于低于10 nm的节点，同时面临由于扩展缩小的高度宽度比的技术挑战。[11]基于GAIFET的MBC-FET结构已成为下一代Sub-5 nm节点的有前途的候选人，C-FET将成为Sub-2 NM节点的强大替代品。但是，现有的基于SI的MBC和C-FET面临着诸如非均匀纳米片几何形状和驱动式折衷的挑战。[8]整合P-和N型FET的复杂处理也使整体集成非常困难，成为单个SI底物。[9,10]
基于二维材料的晶体管，用于未来集成电路
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点，但进一步缩放越来越具有挑战性，因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是，任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点，因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加，导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米，可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD)，其通式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属（例如，Mo 或 W），X 是硫属元素（例如，S、Se 或 Te）3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究，以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展，都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而，仍有许多挑战有待解决，这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中，我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长
垂直通道全方位 igzo fet 可实现低延迟、高...
关键词：Vertica FET、全通道、IGZO、3D Dram。DRAM 设备是大多数数字设备的重要组成部分，在云计算、边缘计算、物联网和人工智能的发展中发挥着至关重要的作用。目前，DRAM 扩展面临的挑战主要是由于存储电容减小和关断电流增加的不匹配。基于 IGZO 的场效应晶体管 (IGZO FET) 以其极低的 I OFF (<10 -22 A/µm) 而闻名，代表了减少 DRAM 单元泄漏的解决方案。基于 IGZO-FET 的 BEOL 兼容长保留 2T0C DRAM 单元的演示展示了一种非常有前途的方法来克服传统 1T1C DRAM 单元的不匹配挑战。我们展示了用于超高密度 DRAM 的垂直全通道 IGZO FET，具有 4F 2 位单元面积和超过 300 秒的长保留时间。并对垂直 CAA IGZO FET 的微缩能力和可靠性进行了研究和评估，工艺关键尺寸 (CD) 低至 50nm。32.8 μA/μm 的高驱动电流、92 mV/decade 的小亚阈值摆幅、良好的热可靠性和稳定性表明垂直 IGZO FET 是未来超高密度 3D DRAM/SoC 应用的有希望的候选者。