摘要 — 这项工作提出了一种新方法,将微/纳米级多孔铜反蛋白石 (CIO) 融入 Sn 基焊料微凸块中,与低温 CMOS 后端 (BEOL) 工艺兼容。微孔结构可使临界孔径小至 5 μm 甚至小至 200 nm(基于凸块尺寸)。这种多孔辅助键合技术具有巨大潜力,可提高细间距 Cu/Sn 键合界面的热导率和机械可靠性。在这项工作中,我们已成功制造并展示了直径为 100 μm 的 Cu 凸块上孔径为 3 μm 的基于 CIO 的微孔结构,实现了 3 μm - 5 μm 的目标厚度,这通过聚焦离子束显微镜 (FIB) 分析得到证实。Cu-CIO 和 Sn 焊料键合界面的微观结构和元素映射表明,熔融焊料可以渗透这些铜 CIO 微孔结构。这样,微凸块就可以通过毛细力进行自对准,形成坚固的机械相互扩散键。此外,采用简化的有限元法 (FEM) 表明,基于 CIO 的微/纳米多孔铜基质结构有可能将 Cu/Sn 键合层的等效热导率提高 2-3 倍。
摘要:对英国遍布医院的爆发的肺炎(K.肺炎)培养,持续了12个月以上。我们试图对爆发菌株进行序列和遗传表征。抗生素敏感性测试(AST)是在从暴发中保存的65 k肺炎分离株上进行的。使用牛津纳米孔技术(ONT)奴才流循环对所有分离株进行了测序:10个分离株,包括2017年最早收集日期的分离株,在Novaseq 6000平台上还测序,以构建高准确性纳米孔 - 小颗粒组件。在测序菌株中,60个键入ST628。96.6%(n = 58/60)ST628菌株具有大约247-kb fib(k)质粒,含有多达11种抗微生物抗性基因,包括扩展的谱β-内酰胺氨基氨基氨基氨基氨基酶(ESBL)基因,BLA CTX-M-15。使用单核苷酸多态性(SNP)键入爆发分离株之间的克隆性。暴发菌株在爆发前6年的2012年与临床ST628菌株有关。在持久的医学医学医学爆发期间,在多个独立的病房中检测到了具有多药抗药性(MDR)质粒的稀有ESBL K.肺炎K2 ST628菌株。建议对这种菌株进行监视,以防止未来的医院暴发。
titre du阶段 /实习标题:通用确定性单离子“植入器”设置,具有纳米准确性简历 /由特定掺杂材料制成的量子量子电路,是用于量子通信和计算的基础。但是,由于非确定性离子源和准确性限制,当前的离子植入技术面临局限性。我们在这里建议为半导体和量子技术中的应用开发高精度,通用的“植入器”设置。为此,我们将利用由原子束的电离产生的每个电子/离子对之间的相关性,以根据电子给出的额外信息积极控制离子传递轨迹,如CS原子[Phys [Phys] [Phys。修订版应用11,064049,2019:https://doi.org/10.1103/physrevapplied.11.064049]。在亚纳米尺度上的受控离子来源的这种开发将打开植入,蚀刻,沉积和成像实验的独特视角,并将允许在半导体领域开发革命性的分析工具。为此,我们将通过使用飞秒脉冲多光子离子化来使原子束系统适应纤维原子束系统,从而产生“冷”离子源以提高准确性。其他离子的使用将使我们能够实现精确的离子轨迹控制和确定性的单离子创建。实习将包括在现有设置上使用CS测试该方法。可能在博士学位中的下一步将包括开发确定性的BI或N来源,以与新的FIB列集成以最终实现纳米尺度植入。
多年来,我越来越清楚地认识到,新闻分析师和评论员是美国最有资格支持我们政府的人。他们已经提出了问题并给出了所有答案。他们拥有对其他公职人员和公职人员的审判权。他们表现出了诊断、分析和解决人员问题方面的卓越才能。他们是当今每个问题的专家,从城市、战争、外交和军事问题到当今的能源和经济问题。他们能立即知道总统在演讲中说了什么是正确的,什么是正确的,什么是正确的。他们能立即知道经验丰富的军事领导人何时可能在前线做出不当举动。他们知道什么时候有人出售或对少数族裔做了错误的事情,或者什么时候有人控制了少数族裔,或者什么时候有人控制了少数族裔,或者什么时候有人控制了少数族裔,或者什么时候有人控制了少数族裔,或者什么时候有人控制了少数族裔。他们已经准备好了满足我们国家社会和生态需求的资金,并且对现在处理这些事务的方式有什么问题没有权威的看法。-J. 哈罗德·斯蒂芬斯,俄亥俄州费尔伯恩第一浸信会牧师,在一封信中写道。
在空间和航空电子应用程序的背景下,在很大程度上已知并研究了总电离剂量(TID)辐射对金属氧化物半导体(MOS)电路的影响。多年来,人们已经知道,诸如X射线之类的高能辐射可以用作诱导扰动到电路的均值,从而可能影响在恶劣环境中运行的系统的可靠性和安全性[1]。但是,直到最近才透露,从安全的角度来看,它们也可能成为威胁。[2]中介绍的作品证明了使用基于同步加速器的纳米焦点X射线梁的单晶体管级攻击的性能。在[3]中提出了进一步的进步,该进步证明了使用简单的实验室X射线源进行此类攻击的可行性。钨或带有微观孔的铅膜,使用聚焦离子束(FIB)钻孔,可以沉积在目标电路上。只有与孔对齐的区域暴露于X射线,从而可以控制所选区域的照明。该技术和整个论文的考虑故障模型是半永久性故障模型。n型MOS可以被迫进入永久导电状态,而P型MOS可以被迫进入永久的开放状态。这种效果仍然是可逆的,可以通过简单的热退火处理来恢复电路的正常状态。半永久性断层与瞬态注射方法(如激光或EM)不同,依赖于氧化物水平上电荷的积累以生效,从而引入了降低X射线束的时间分辨率的时间不精确因素。当前,仅探索了对内存的攻击,因为它们不需要时间同步,但是在展示更高级攻击之前可能只是时间问题。
摘要:异质性超导性发作是Cuprate和基于铁的家族的高-T C超级导管的常见现象。它是由从金属到零抗性状态的相当广泛的过渡表现出来的。通常,在这些强烈的各向异性材料中,超构型(SC)首先显示为孤立域。这会导致t c以上的各向异性过量电导率,并且传输测量值提供了有关样品内部深处的SC结构域结构的宝贵信息。在大量样品中,这种各向异性SC发作给出了SC晶粒的平均形状,而在薄样品中,这也表明SC晶粒的平均大小。在这项工作中,在各种厚度的FESE样品中,测量了层中的和内层的电阻率。为了测量层间电阻率,使用FIB制造了跨层的FESE MESA结构。随着样品厚度的降低,观察到超导过渡温度T C的显着增加:T C在厚度〜40 nm的微生物中从散装物质的8 K提高到12 K。我们应用了分析和数值计算来分析这些数据和早期数据,并发现了FESE中SC域的纵横比和大小与我们的电阻率和Diamamnetic响应测量相一致。我们提出了一种简单且相当准确的方法,用于估计各种小厚度样品中T C各向异性的SC域的长宽比。讨论了FESE中的nematic和超导域之间的关系。我们还将分析公式推广到异质各向异性超级导管中的电导率,以与两个具有相等体积分数的两个垂直方向的细长SC结构域的情况,对应于基于Fe的各种FE基超导体中的nematic结构域结构。
抽象背景:败血症相关的脑病(SAE)是与败血症相关的器官功能障碍的一种普遍形式。没有伴随的明显的中枢神经系统(CNS)感染,但它具有死亡率的重大风险,可能导致持久的神经系统并发症。Angong niuhuang药丸(AGNH)在诸如脑缺血,脑部创伤和败血症等疾病中的功效已经建立了良好。尽管如此,AGNH在SAE进展中的特定调节作用和基本机制仍未探索。方法:脂多糖(LPS)处理用于构建SAE大鼠模型。Berderson的神经检查评分系统用于评分。通过酶联免疫吸附测定(ELISA)或相应的商业试剂盒检查基因和铁含量的水平。通过自动凝血分析仪确认了凝血酶原时间(PT),激活的部分血栓质蛋白时间(APTT),凝血酶时间(TT)和纤维蛋白原(FIB)水平。通过苏木精(HE)染色评估了神经元的数量和形态。蛋白质表达是通过蛋白质印迹确定的。结果:在AGNH或Deatecamine(DFO,铁毒性抑制剂)治疗后,LPS治疗介导的伯德森从未通过LPS治疗介导的功能评分增加,这表明AGNH改善了少年SAE小鼠的神经行为功能。此外,AGNH改善了年轻SAE小鼠的炎症和凝结参数。AGNH促进了少年SAE小鼠的神经元生长和减轻神经元损伤。此外,AGNH抑制了年轻SAE小鼠的氧化应激。最后,证明AGNH促进了与核因子2相关因子2(NRF2)/谷胱甘肽过氧化物酶4(GPX4)信号传导途径,通过上调NRF2和GPX4蛋白表达式。结论:这项研究表明,通过调节NRF2/GPX4信号通路,AGNH具有抑制GPX4诱导的少年SAE小鼠纤维毒性的能力。这一突破意味着AGNH作为SAE的治疗剂有前途的前景。
1 摩尔多瓦技术大学微电子与生物医学工程系纳米技术与纳米传感器中心,168 Stefan cel Mare Av.,MD-2004,摩尔多瓦共和国基希讷乌 2 基尔大学材料科学研究所工程学院功能纳米材料,Kaiserstr。2,D-24143,基尔,德国 * 通讯作者:Oleg Lupan,oleg.lupan@mib.utm.md,Vasile Postica,vasile.postica@mib.utm.md 收到:04. 03. 2020 接受:05. 11. 2020 摘要。由于纳米传感器在气体传感领域的商业化尚处于起步阶段,因此人们做出了许多努力来开发有效的方法来提高其性能。特别关注的是使用不同策略提高基于单个微米或纳米结构的气体纳米传感器的灵敏度和选择性。在这项工作中,重点介绍和总结了摩尔多瓦技术大学纳米技术和纳米传感器中心与德国基尔大学合作的研究小组在高性能气体纳米传感器领域取得的最新成果。使用聚焦离子束/扫描电子显微镜 (FIB/SEM) 仪器将基于氧化锌的准一维 (1-D) 和三维 (3-D) 单个混合结构集成到纳米装置中。结果表明,单个 ZnO 结构的混合可显著提高气体响应,并改变对挥发性有机化合物和氨的选择性。具体来说,通过用 ZnAl2O4 纳米粒子进行表面功能化,氢气响应增加了约 2 倍,而分别用 Fe2O3 纳米粒子或巴克敏斯特富勒烯 (C60) 和碳纳米管 (CNT) 进行表面功能化,对乙醇蒸气和氨的选择性发生了变化。所获得的结果为通过使用具有增强的协同催化行为和势垒操纵的混合纳米材料系统合理设计气体纳米传感器提供了新途径。关键词:混合材料、纳米传感器、气体传感器、ZnO、室温。介绍纳米技术通过整合自下而上的方法而迅速发展,为基于纳米材料的高性能设备制造带来了真正的革命
2023-2024 P9010输血的全血R 9510 $ 227.61 $ 203.31- $ 203.31- $ 24.30-10.7%P9011血液拆分单元r 9520 $ 139.05 $ 139.05 $ 149.23 $ 10.18 leukocytes reduced R 9512 $189.21 $181.00 -$8.21 -4.3% P9017 Plasma 1 donor frz w/in 8 hr R 9508 $85.47 $80.05 -$5.42 -6.3% P9019 Platelets, each unit R 9515 $77.23 $65.11 -$12.12 -15.7% P9020 Platelet RICH血浆单元r 9516 $ 445.27 $ 549.37 $ 104.10 23.4%P9021红细胞单元r 9517 $ 135.52 $ 1352 $ 136.65 $ 1.13 0.8%P9022洗净的红血细胞单元r 9518 9509 $93.03 $60.52 -$32.51 -34.9% P9025 Plasma cryo redu path each R 9538 $65.23 $309.99 $244.76 375.2% P9026 Cryo fib comp path redu each R 9539 $79.29 $79.40 $0.11 0.1% P9031 Platelets leukocytes reduced R 9538 $130.89 $131.01 $0.12 0.1% P9032 Platelets, irradiated R 9539 $143.80 $133.49 -$10.31 -7.2% P9033 Platelets leukoreduced irrad R 9526 $268.36 $230.87 -$37.49 -14.0% P9034 Platelets, pheresis R 9500 $333.97 $322.19 -$11.78 -3.5% P9035 Platelet pheres leukoreduced R 9521 $485.66 $472.82 -$12.84 -2.6% P9036 Platelet pheresis irradiated R 9507 $616.68 $560.53 -$56.15 -9.1% P9037 Plate pheres leukoredu irrad R 9501 $638.19 $673.18 $34.99 5.5% P9038 Rbc irradiated R 9502 $196.20 $216.94 $20.74 10.6% P9039 Rbc deglycerolized R 9530 $413.23 $311.44 -$101.79 -24.6% P9040 Rbc leukoreduced irradiated R 9505 $259.12 $252.74 -$6.38 -2.5% P9043 Plasma protein fract,5%,50ml R 9504 $7.94 $7.95 $0.01 0.1% P9044 Cryoprecipitatereducedplasma R 9522 $68.90 $69.22 $0.32 0.5% P9048 Plasmaprotein分量,5%,250毫升R 9514 $ 158.36 $ 102.15- $ 56.21 -35.5%
摘要 增材制造电子产品 (AME),也称为印刷电子产品,对于预期的物联网 (IoT) 越来越重要。这需要制造技术,允许将各种纯功能材料和设备集成到不同的柔性和刚性表面上。然而,目前的基于墨水的技术存在复杂且昂贵的墨水配方、与墨水相关的污染(添加剂/溶剂)以及有限的印刷材料来源等问题。因此,打印无污染和多材料结构和设备具有挑战性。这里展示了一种利用纳米和微米级定向激光沉积的多材料增材纳米制造 (M-ANM) 技术,允许打印横向和垂直混合结构和设备。这种 M-ANM 技术涉及对放置在打印机头内的目标转盘上的固体目标进行脉冲激光烧蚀,以原位生成无污染的纳米颗粒,然后通过载气将其引导至喷嘴并到达基板表面,在那里它们被第二束激光实时烧结和打印。目标转盘按照预定的顺序将特定目标与烧蚀激光束接触,从而在单个过程中打印多种材料,包括金属、半导体和绝缘体。利用这种 M-ANM 技术,可以打印和表征各种多材料设备,例如银/氧化锌 (Ag/ZnO) 光电探测器和混合银/氧化铝 (Ag/Al 2 O 3 ) 电路。我们的 M-ANM 技术的质量和多功能性为新兴物联网提供了潜在的制造选择。关键词:印刷电子、多材料打印、增材纳米制造、干打印、柔性混合电子。介绍随着物联网 (IoT) 的出现,大多数物体和系统都有望变得智能,人们对开发新材料和先进制造技术产生了浓厚的兴趣,以便将各种功能(包括传感器、电池、显示器和电子设备)直接集成到不同的表面上 [1-6]。传统的电子制造方法,如光刻、聚焦离子束 (FIB) 和电子束光刻 (EBL),需要复杂且昂贵的洁净室设施或高真空设备,并且还涉及多个减材步骤。因此,人们对可以在大气条件下工作并在各种表面上打印的经济高效的增材制造/打印技术产生了广泛的兴趣。