r TH(J-A)表示Sytem的热电阻,并包括与包装接触的硅死亡,包装和任何热量,以将热量耗散到环境中。在给定的耗散级别的p d中,在环境温度t a上的ΔTj j t a的增加由以下方式给出:∆ t j = r th(j-a)x p d r th(j-a)(j-a)由设备内的许多元素和外部组成。如果单独考虑设备,则从硅死亡到铅框架,再到成型化合物,再到环境的耗散路径给出。实验值在此条件下非常大,尤其是对于小包装(例如小型轮廓类型)。但是,在实践中没有达到这一定位,并且当前工作中包含的详细数据表明了最坏的情况(浮动样本)。在大多数应用中,表面安装的设备都被焊接到基板上(通常是环氧玻璃(FR4),并通过焊接接头和铜互连进行热接触。在这种情况下,将热电路产生给铅框,然后转移给铅框,然后转移到substrate。图A显示了实验模块。
摘要:研究了焊接联合制造对焊接到玻璃环氧基板(FR4)的IGBT的热性能的影响。使用厚度为1.50 mm的玻璃 - 环氧基底,覆盖有35 µm厚的Cu层。从热空气平整(HAL)SN99CU0.7AG0.3层厚度为1÷40 µm。 IGBT晶体管ngb8207亿固定在sacx0307(sn99ag0.3cu0.7)糊中。样品被焊接在不同的焊接和不同的温度下框架中。测量了样品的热阻抗z t(t)和热电阻。进行了微观结构和空隙分析。发现不同样本的差异分别达到z th(t)和rth的15%和20%。尽管焊接接头中气体的比率在3%至30%之间变化,但发现空隙比与r TH的增加之间没有相关性。在不同的焊接技术的情况下,焊接接头的微观结构在金属间化合物(IMC)层的厚度上显示出显着差异。这些差异与焊接过程中Lilesus上面的时间息息相关。与焊料的热导率相比,IGBT的热参数可以更改,因为IMC层的导热率增加。我们的研究强调了使用IGBT组件组件的焊接技术的重要性和热量文件的重要性。
摘要。印刷电路板 (PCB) 是环氧树脂浸渍和固化的反编织玻璃纤维 (例如 FR4) 板,层压在薄铜板之间。PCB 的性质本质上是各向异性和不均匀的,但之前的 PCB 模态 FEM 假设了各向同性、各向异性 (横向各向同性和正交各向异性) 材料特性,并显示出与特定场景的测试数据有良好的相关性 [1-3]。本文详细介绍了一项研究计划的一部分,旨在更好地理解如何准确模拟 PCB 的动态行为。分析了材料各向异性的影响的新研究,特别是材料正交平面定义 (𝐸 ௫ 和 𝐸 ௬ ) 对特征频率的影响。使用 Steinberg 完善的理论和其他人的经验数据 [4, 5] 创建、验证和确认了 JEDEC PCB 的模态 FEM。使用参数模态 FEM 检查了 𝐸 ௫ 、𝐸 ௬ 和 𝐸 ௭ 对 PCB 特征频率的相对贡献,分析了材料各向同性和各向异性的作用。还分析了典型 JEDEC PCB 的横向各向同性材料特性的影响。此分析详细说明了准确建模 PCB 特征频率所需的网格密度。结果表明,𝐸 ௭ 增加 100% 只会导致特征频率差异 0.2%,而 𝐸 ௬ 增加 100% 会导致特征频率差异 1.2%。正交各向异性平面定义(交替使用 𝐸 ௫ 和 𝐸 ௬ )对 JEDEC PCB 的影响使特征频率发生了 7.95 % 的偏移。
最近,许多文章和论文都大力宣传相移全桥拓扑的性能和优势,这是理所当然的。这种拓扑有效地利用了困扰电源设计人员数十年的那些臭名昭著的寄生元件。这种拓扑使设计人员能够充分利用变压器漏电感、MOSFET 输出电容和 MOSFET 体二极管,从而轻松地提高设计频率。这种拓扑还具有其他优势,例如在恒定开关频率下进行零电压开关,从而大大降低了开关损耗。这足以消除功率 MOSFET 的散热和/或允许使用更便宜的功率器件。降低 EMI 和 RFI 是额外的好处,因为与传统脉冲宽度调制 (PWM) 技术相比,电压和电流开关波形“更干净”,波形边缘切换更柔和。提高频率的能力最终将减小电源的整体尺寸并降低成本。使用此拓扑结构可以实现 1 兆赫及以上的操作。这确实是拓扑结构的重大进步。此设计的要求是全桥配置、辅助谐振操作的附加电感器以及由双二极管整流器和 LC 滤波器组成的输出结构。特殊热基板可能不是
