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制造和分析来自...
生物塑料的水分含量是指生产过程后的生物塑料的质量百分比。随着使用增塑剂的使用而增加了水分含量。来自图3，为合成的最大甘油添加最大甘油的生物塑料的水分含量最高（49％），并且添加氯仿百分比最高的生物塑料具有最低的水分含量（30％）。当两者之间的比率为1：1时，中间的水分含量位于中间。先前的研究中，香蕉皮被用于制作基于淀粉的生物聚合物（4）表明，基于甘油的生物塑料具有较高的水分含量值。这是因为甘油是羟基的一部分，该羟基很容易与水分子形成氢键，并且对它们具有很大的亲和力。
基于电纺PEDOT的导电纳米纤维的制造，性能和应用的进步
摘要：纳米纤维的生产已成为重要的研究领域，因为它们在生物医学，纺织品，能源和环境科学等各个领域的独特性和多种应用。静电纺丝是一种多功能且可扩展的技术，它因其能够用量身定制的特性制造纳米纤维的能力而引起了人们的关注。在各种构造聚合物中，由于其特殊的电导率，环境稳定性和易于合成性，因此出现了聚（3,4-乙基二苯乙烯）（PEDOT）（PEDOT）作为有希望的材料。基于PEDOT的纳米纤维的静电纺丝提供可调的电气和光学性能，使其适用于有机电子，储能，生物医学和可穿戴技术中的应用。This review, with its comprehensive exploration of the fabrication, properties, and applications of PEDOT nanofibers produced via electrospinning, provides a wealth of knowledge and insights into lever- aging the full potential of PEDOT nanofibers in next-generation electronic and functional devices by examining recent advancements in the synthesis, functionalization, and post-treatment methods of PEDOT nanofibers.此外，审查确定了当前的挑战，未来的方向以及潜在的策略，以解决可扩展性，可重复性，稳定性和集成到实用设备中，从而为导电纳米纤维提供了全面的资源。
半导体制造工艺 - 第 1 轮挑战指南
FABrIC 是一个为期五年、耗资 2.2 亿美元的项目，旨在帮助确保加拿大在半导体领域的未来。半导体为数字经济提供动力，是经济增长的推动力：2022 年，半导体行业的价值超过 5000 亿美元，预计到 2030 年将达到 1 万亿美元。然而，由于疫情和最近的地缘政治变化导致供应中断，过去几年全球半导体格局发生了重大变化。世界各国政府已承诺进行前所未有的投资，以支持其半导体行业、在岸制造并刺激战略技术的研究和产品开发。加拿大也有机会巩固我们在全球半导体市场的地位，并从该领域的增长中受益。为了参与竞争，我们认为我们必须投资于战略领域，以加速加拿大已经拥有强大能力和全球认可的技术和产品的开发和商业化。
由二维硫化镓控制制备原生超薄非晶态氧化镓，用于新兴电子应用
事实证明，二维层状材料的氧化有利于形成氧化物/二维材料异质结构，这为低功耗电子设备的新范式打开了大门。硫化镓（II）（𝜷-GaS）是一种六方相 III 族单硫属化物，是一种宽带隙半导体，单层和少层形式的带隙超过 3 eV。其氧化物氧化镓（Ga 2 O 3）兼具大带隙（4.4-5.3 eV）和高介电常数（≈ 10）。尽管这两种材料都具有技术潜力，但原子级厚度的𝜷-GaS 的受控氧化仍未得到充分探索。本研究重点关注使用氧等离子体处理对𝜷-GaS 进行受控氧化，以解决现有研究中的重大空白。结果表明，在暴露于 10 W 的 O 2 时，能够形成厚度为 4 nm 的超薄天然氧化物 (GaS x O y )，从而形成 GaS x O y /GaS 异质结构，其下方的 GaS 层保持完整。通过将此类结构集成在金属电极之间并施加电压斜坡或脉冲等电应力，研究了它们在电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的应用。所产生的氧化物的超薄特性可实现低操作功率，能耗低至每次操作 0.22 nJ，同时分别保持 350 次循环和 10 4 s 的耐久性和保持力。这些结果表明基于氧化的 GaS x O y /GaS 异质结构在电子应用，特别是低功耗存储设备中具有巨大的潜力。
引用：OJO。 A. A.，Omonikun K.，Omoniyi J. O.，Akipipe A.，Ilestamam R. I.（2024）改进了压缩成型M
摘要：这项研究探讨了旨在有效回收各种塑料废物的改进压缩成型机的设计和性能的进步，重点是聚乙烯第三苯甲酸酯（PET）。随着全球塑料废物积累带来严重的环境挑战，增强回收技术是必须的。在200°C，250°C和300°C的工作温度下测试了重新设计的机器，突出了温度和加工持续时间在确定产品质量中的关键作用。理论加热时间由于现实世界中的效率低下（例如热损失和导热率变化）而比实际时间短。加热过程中的体重减轻归因于挥发性成分和热降解的蒸发。在延长加热时间的样品中形成了空气孔，强调了精确过程控制的必要性。在大约250°C下有效启动的宠物熔化过程。改进的机器在提高回收效率和多功能性方面具有巨大的潜力。关键字：塑料回收；压缩成型；聚对苯二甲酸酯（PET）；热降解；可持续废物管理；环境影响
通过化学加热制造热固体的协同双固定反应
摘要：大型复合结构，例如在风能应用中使用的结构，依赖于热量的大规模聚合在令人印象深刻的大规模上。为了实现这一目标，传统的热固性聚合需要升高温度（> 100°C）和延长的治疗持续时间（> 5 h），以进行完全转换，因此需要使用超大烤箱或加热的模具。反过来，这些要求导致能源密集型聚合，从而产生了高生产成本和流程排放。在这项研究中，我们开发了可以在室温下通过变换的“化学加热”概念在室温下启动的热固性聚合，其中使用次级反应的放热能量来促进一级热代理聚合的加热。通过利用氧化还原引起的甲基丙烯酸甲酯自由基聚合作为放热化学能的来源，我们可以达到峰值反应温度> 140°C，以启动环氧 - 酸性热体的聚合，而无需外部加热。此外，通过采用特洛伊甲基丙烯酸甲酯单体在甲基丙烯酸酯和环氧树脂 - 酸酐结构域之间诱导混合，我们实现了与竞争性热力学特性和可调性的均质混合聚合物材料的合成。在此，我们为我们的创新化学加热方法建立了概念概念，并主张其工业整合，以更广泛地对风叶片和大型复合零件进行更节能和简化的制造。关键词：能源效率，制造，复合合成，热固性，双重治疗，化学加热，可回收划分■简介
双蚀刻方法用于制造纳米光子...
将范德华（VDW）材料集成到光子设备中，为许多新的量子和光电应用奠定了基础。尽管在VDW晶体的光子构建块的纳米化过程中取得了巨大进展，但仍然存在局限性，特别是在大面积设备和掩蔽中。在这里，我们将重点放在六角硼（HBN）作为VDW材料上，并提出了一种双蚀刻方法，该方法克服了与使用金属膜和基于抗拒膜的方法相关的问题。通过设计和制造一组功能性光子组件（包括波导，环谐振器和光子晶体腔）来证明开发方案的效率。通过在几个关键频谱范围内的光学表征来证明制造结构的功能。这些包括近红外和蓝色范围，其中HBN硼空缺（V b-）旋转缺陷分别和相干B中心量子发射器发射。双蚀刻方法可实现高质量因子光腔的制造，并构成了VDW材料片上整合的有希望的途径。
使用燃烧法的锌铁酸盐制造，研究和光学特性
锌铁酸盐纳米颗粒使用硝酸锌，硝酸铁和甘氨酸通过燃烧法合成。在400 o c钙化后获得合成的锌铁素纳米颗粒1小时。使用各种技术对获得的锌铁氧体纳米颗粒进行表征。使用扩散反射光谱研究了反射率和光学性能。使所获得的锌铁素纳米颗粒的带隙和颜色分析被瓦解。关键字：锌铁氧体，燃烧，甘氨酸燃料和带隙。1。当今的引入纳米材料由于其独特的物理特性（例如电导率，光带隙，折射率，磁性特性，磁性特性和出色的机械性能）而引起了注意[1]。中，锌铁氧体纳米颗粒是一种立方尖晶石铁氧体材料，具有通用公式MFE 2 O 4（其中，m =二价金属离子，例如Co 2+，Ni 2+，ni 2+，Zn 2+，Mn 2+），由氧原子组成，形成以面部为中心的立方体（FCC），而Zn和Fe分别占据了四面体和八面体位点。根据实验条件，钙化温度和制备方法[2，3]的特性，形状，大小和纯度变化。有多种制备Znfe 2 O4纳米颗粒的合成方法，例如燃烧[4-7]，共沉淀，热分解，Sol-Gel [8，9]，球铣削，水热/溶剂热/溶剂热，微乳液，微乳液，绿色和陶瓷路线技术[2，10-16]。在此在这些合成方法中，我们在这项工作中使用了燃烧方法，该方法禁食反应速率，化学均匀性，提供高度结晶的纳米颗粒并节省能量和时间[17]。锌铁酸盐（Znfe 2 O 4）纳米结构由于其在气体传感器中的各种和独特的应用[18]，磁性行为，电性能，半导体光催化（它具有约1.9 EV的狭窄带GAB，并且具有可见光的能力，可见光的能力[18]，超级疗法[19，Superaties termoraties [21] 21 21] [23]。锌铁氧体纳米颗粒由于其广泛的应用和有用的特性引起了人们的关注，包括独特的化学和物理特性，例如增强的饱和磁化，高电阻率，低电阻率，低电阻率和非常良好的化学稳定性[24]，出色的磁性通透性，出色可重复使用，在应用外部磁场时很容易与溶液分离[26]。
为超敏光检测的单晶紫磷制造
紫罗兰色磷（VP）因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华（VDW）结构，但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外，尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此，一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性，响应/恢复时间为3.82/3.03 ms，暴露于532 nm光线后。此外，光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流（<1 pa）。结果，探测率为1.38×10 13琼斯，与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。