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宽温度范围统一未掺杂块状硅...
摘要 — 几十年来，对于从 4K 到室温以上的硅载流子，一直没有开发出统一的模型。本文提出了一个统一的未掺杂硅低场和高场迁移率模型，分别针对 8K 到 300K 和 430K 时<100>和<111>方向的电子以及 6K 到 430K 时<100>方向的空穴。研究发现，Canali 高场饱和模型足以拟合<111>实验数据，但不能拟合<100>数据，这是由于各向异性引起的平台期和负差速度。因此，使用了改进的 Farahmand 模型。为了允许在各向异性模拟中进行参数插值，还针对<111>方向校准了改进的 Farahmand 模型。然后使用该模型预测 4K 下未掺杂 Si 中电子和空穴的迁移率，当有可靠的实验数据可用于 TCAD 模型开发时，该迁移率可作为初始校准参数。
课程大纲（草案）ECE3600 计算机...
课程大纲（草稿）ECE3600 计算机通信-QUP 周一、周三和周五下午 12:30 - 下午 1:45，2020 年夏季先决条件：ECE 2020 [最低 C] 和 ECE 2026 [最低 C] 共同要求：无目录描述：互联网网络协议的基本概念。讲师：Fariborz Farahmand 办公室：1356 KACB（Klaus 高级计算大楼）电子邮件：fariborz@ece.gatech.edu 电话：404-894-8364 办公时间：周一，下午 5:45-7:45（EDT）教科书：JF Kurose 和 KW Ross，《计算机网络，自上而下的方法》，第 7 版，Addison-Wesley，2017 年 ISBN 978-0133594140，（Reqd）。评分： 家庭作业：20% 第一次考试：25% 6 月 12 日星期五（暂定） 第二次考试：25% 7 月 10 日星期五（暂定） 期末考试：30% 7 月 24 日星期五 课程成果 – 成功完成本课程后，学生应能够： 1. 描述互联网工作原理的理论基础 2. 使用分层模型解释网络间互连的主要功能 3. 确定算法和功能以允许在不可靠的网络上进行可靠的数据传输