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理学硕士物理学第二年拟议的方案和教学大纲...
高级电子学学分 3-0-0：3 课程教育目标： COE1 让学生熟悉先进的电子设备及其应用。 COE2 培养对数字电路设计和使用微控制器连接简单系统的理解。 COE3 培养对通信系统的理解。 UNIT-1 9 L 半导体器件：载流子的漂移和扩散、电荷的产生和复合、直接和间接半导体。PN 结、二极管方程、PN 结的势垒宽度和电容、变容二极管、开关二极管、作为开关和放大器的 FET、光电器件：LED、二极管激光器、光电探测器和太阳能电池。 UNIT-2 9 L 先进电子设备：金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)、MOSFET 中的短沟道效应、鳍式场效应晶体管 (FinFET)、铁电场效应器件和 2D 纳米片器件；新兴存储设备：DRAM、ReRAM、FeRAM 和相变存储器 (PCM) 以及通用存储设备。UNIT-3 10 L 模拟系统：锁相环及其应用频率倍增；模拟乘法器及其应用；对数和反对数放大器；仪表放大器；传感器：温度、磁场、位移、光强度和力传感器组合电路设计：编程逻辑器件和门阵列、7 段和 LCD 显示系统、数字增益控制、模拟多路复用器、基于 PC 的测量系统；序贯电路设计：不同类型的 A/D 和 D/A 转换技术、TTL、ECL、MOS 和 CMOS 操作和规格。 UNIT-4 9 L 通信系统：通信系统的概念、电磁频谱的作用、通信系统术语的基本概念、调制的必要性、幅度、频率、脉冲幅度、脉冲位置、脉冲编码调制、通信系统中的信息、编码、脉冲调制的类型、脉冲宽度调制 (PWM)、脉冲位置调制 (PPM)、脉冲编码调制 (PCM) 的原理；数字通信简介。参考书：
温度对 Al/SiO2/n++-Si RRAM 器件电气特性影响的研究 Maciej:，Micromachines，MDPI，第 13 卷，第 10 期，2
现代纳米电子学的发展依赖于技术进步和能够改善系统性能的新型器件概念。科学家和工程师的不懈努力使得现代集成电路 (IC) 和性能增强器的尺寸不断缩小，从而能够保持 IC 性能的进步 [1,2]。与此同时，人们也投入了类似的努力来开发现代电路中不可或缺的存储器件。然而，为了保持这种进步，需要新型器件。近年来，出现了新的存储器件概念，例如电阻式 RAM (RRAM) [3–6]、自旋转移力矩 RAM (STT-RAM) [7,8]、铁电 RAM (FeRAM) [9] 和相变 RAM (PCRAM) [10]。电阻式 RAM (RRAM) 因其结构简单、能够缩小器件尺寸以实现高密度、低功耗和高速运行而备受关注。它们有可能以并行方式对大量数据进行计算，为了实现如此卓越的性能，人们测试了不同的新型计算范例，例如脑启发计算、内存计算、随机计算和神经形态计算 [11–13]。人们已经测试了各种氧化物材料作为 RRAM 器件中电阻切换层的候选材料 [14–16]。一些工作提出了对 SiO 2 作为这些器件的有前途的材料的研究 [17–20]。在我们最近的研究中，我们表明，Al/SiO 2 /n++-Si 材料堆栈中众所周知的氧化硅也可以表现出电阻切换特性 [21,22]。然而，很少有研究涉及温度对器件性能的影响 [23–25]。在这项工作中，我们研究了温度变化对器件电性能的影响，以研究它们的电传输机制并了解它们的行为。我们分析了电铸电压，并表明它